300mΩ低内阻 | 双封装可选 | 国产替代进口型号首选
KPY6115A(DFN5*6) / KPD6115A(TO-252) | KIA半导体
KPY6115A/KPD6115A P沟道功率MOSFET
-150V耐压，-10A连续大电流输出
300mΩ低内阻，低损耗高效率
DFN5*6 / TO-252双封装可选
高密度沟槽工艺，开关速度快
100%雪崩/耐压测试，高可靠性
适用于主板供电、电机驱动、开关电源
Pin to Pin兼容主流型号，直接替换
| 参数项 | 规格 | 单位 |
|---|---|---|
| 产品型号 | KPY6115A / KPD6115A | - |
| 封装类型 | DFN5*6 / TO-252 | - |
| 沟道类型 | P沟道 | - |
| 漏源电压 | -150 | V |
| 连续电流 | -10 | A |
| 导通电阻 | 300 | mΩ |
| 工作温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 电压 | 电流 |
|---|---|---|---|---|
| 华羿微 | HY6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 新洁能 | NCE6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 韦尔 | WSD6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 锐骏 | RU6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 士兰微 | SL6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 富满 | FM6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 电压 | 电流 |
|---|---|---|---|---|
| 安森美 | NTJD6115 | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 威世 | Si6115A | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 英飞凌 | IRL6115 | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 仙童 | FDD6115 | DFN5*6/TO-252 | -150V | -10A |
| 优势类别 | 产品亮点 |
|---|---|
| 低内阻性能 | 300mΩ低内阻，发热小，损耗低 |
| 双封装适配 | DFN5*6小型化 / TO-252贴片通用 |
| 高耐压特性 | -150V高耐压，适合高压反向应用 |
| 开关速度快 | 低栅极电荷，快速开关，高频适配 |
| 高可靠性 | 宽温工作，雪崩测试，稳定性强 |
| 替代兼容性 | Pin to Pin兼容，直接替换不改板 |
| 供货优势 | 国产原厂直供，交期稳，成本低 |
| 主板/显卡供电 | CPU/GPU核心供电、电源管理模块 |
| 开关电源 | 二次侧同步整流、适配器、充电器 |
| 电机驱动 | BLDC无刷电机、小型电机控制 |
| 负载点电源 | POL电源、模块电源、DC-DC转换 |
| 消费电子 | 家电、显示器、工控设备供电 |
| 客户痛点 | KPY6115A/KPD6115A解决方案 |
|---|---|
| 进口型号价格高、交期不稳定 | 国产高性价比，交期稳定，成本更低 |
| P沟道耐压不足，容易炸管 | -150V高耐压，安全余量充足 |
| 设备发热大、效率低 | 低内阻设计，降低损耗，提升效率 |
| 封装选择少，安装受限 | 双封装可选，满足小型化与通用需求 |
| 恶劣环境可靠性差 | 宽温工作，100%测试，品质稳定 |
| 封装 | 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|---|
| DFN5*6 (KPY6115A) | 4 | Gate（栅极） |
| 5,6,7,8 | Drain（漏极） | |
| 1,2,3 | Source（源极） | |
| TO-252 (KPD6115A) | 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） | |
| 3 | Source（源极） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KPY6115A | DFN5*6 | KIA |
| KPD6115A | TO-252 | KIA |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极电压 | VDS | -150 | V |
| 栅源极电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 ID (VGS=-10V) | TC=25℃ | -10 | A |
| TC=100℃ | -6.4 | A | |
| 脉冲漏极电流 | IDM | -40 | A |
| 总功耗 PD | TC=25℃ | 89 | W |
| TC=100℃ | 35 | W | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 30.2 | mJ |
| 雪崩电流 | IAS | -11 | A |
| 结温/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 20 | ℃/W |
| 结到壳热阻 | RθJC | 1.4 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 静态特性 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -150 | - | - | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-5A | - | 300 | 320 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=-250μA | -2.0 | - | -4.0 | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=-150V, VGS=0V | - | - | -1 | μA |
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 正向跨导 | gfs | VDS=-5V, ID=-3A | - | 11 | - | S |
| 动态特性 | ||||||
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 5.7 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=-40V, VGS=0V, f=1MHz | - | 2109 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 513 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 408 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=-50V, VGS=-10V, RG=3Ω, ID=-3A | - | 28 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 30 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 230 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 130 | - | ns | |
| 栅极电荷特性 | ||||||
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=-50V, VGS=-10V, ID=-3A | - | 35 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 6 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 8.5 | - | nC | |
| 二极管特性 | ||||||
| 源极连续正向电流 | IS | VG=VD=0V | - | - | -10 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V, IS=-5A, TJ=25℃ | - | - | -1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=-5A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ | - | 34 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 32 | - | nC | |
注：以上参数基于KIA 6115A系列官方数据手册整理，所有数据均在标准测试条件下测得。脉冲测试条件：脉宽≤300us，占空比≤2%。
联系方式：邹先生
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