DFN5×6/TO-252/TO-263/TO-220 全封装 | 低内阻低损耗 | 100% 雪崩测试 | 原厂直供
KNY2904A, KND2904A, KNB2904A, KNP2904A, 2904A MOSFET, 40V 130A MOSFET
| 一、产品核心特性 | |
|---|---|
| 低导通电阻 |
DFN5*6封装：Rds(on)=2.0mΩ(典型)@VGS=10V TO-252/263/220封装：Rds(on)=2.5mΩ(典型)@VGS=10V |
| 其他特性 |
低Crss反向传输电容、快速开关特性 100%雪崩测试、优化的dv/dt抗干扰能力 |
| 二、典型应用场景 | |
| 应用领域 |
PWM电源电路、负载开关、电源管理模块 PD快充、工业控制、新能源汽车电子 |
| 三、封装与型号对应 | |
| 型号 | 封装形式 |
| KNY2904A | DFN5*6 |
| KND2904A | TO-252 |
| KNB2904A | TO-263 |
| KNP2904A | TO-220 |
| 四、引脚定义 | |
| DFN5*6引脚 | 4脚=Gate；5/6/7/8脚=Drain；1/2/3脚=Source |
| TO-252/263/220引脚 | 1脚=Gate；2脚=Drain；3脚=Source |
| 五、绝对最大额定值(Tc=25℃) | |
| 漏源电压VDS | 40V |
| 栅源电压VGS | ±20V |
| 连续漏极电流ID(Tc=25℃) | 130A |
| 连续漏极电流ID(Tc=100℃) | 84A |
| 脉冲漏极电流IDM | 400A |
| 单脉冲雪崩能量EAS | 250mJ |
| 功耗PD(Tc=25℃) | DFN5*6:54W；TO-252:130W；TO-263/220:328W |
| 存储/工作结温 | -55℃~+150℃ |
| 六、热特性参数 | |
| 结-壳热阻RθJC | DFN5*6:2.3℃/W；TO-252:0.96℃/W；TO-263/220:0.38℃/W |
| 七、电气特性参数(Tc=25℃) | |
| 漏源击穿电压BVdss | 40V(最小值，VGS=0V,ID=250μA) |
| 漏源漏电流Idss | ≤1μA(最大值，VDS=40V,VGS=0V) |
| 栅源漏电流Igss | ±100nA(最大值，VGS=±20V,VDS=0V) |
| 栅极阈值电压VGS(th) | 1.0~2.3V(典型1.5V，VDS=VGS,ID=250μA) |
| 导通电阻Rds(on) |
DFN5*6封装： 2.0~2.7mΩ(典型2.0mΩ，VGS=10V,ID=20A) 2.6~3.5mΩ(典型2.6mΩ，VGS=4.5V,ID=15A) 其他封装： 2.5~3.2mΩ(典型2.5mΩ，VGS=10V,ID=20A) 3.1~4.2mΩ(典型3.1mΩ，VGS=4.5V,ID=15A) |
| 栅极串联电阻RG | 1.3Ω(典型值，f=1MHz) |
| 输入电容Ciss | 6260pF(典型值，VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz) |
| 反向传输电容Crss | 570pF(典型值，同上条件) |
| 输出电容Coss | 580pF(典型值，同上条件) |
| 开通延迟时间td(on) | 18ns(典型值，VGS=10V,VDS=20V,RL=3Ω,ID=10A) |
| 上升时间tr | 20ns(典型值，同上条件) |
| 关断延迟时间td(off) | 50ns(典型值，同上条件) |
| 下降时间tf | 16ns(典型值，同上条件) |
| 总栅极电荷Qg | 135nC(典型值，VDS=15V,ID=20A,VGS=10V) |
| 栅源电荷Qgs | 30nC(典型值，同上条件) |
| 栅漏电荷Qgd | 19nC(典型值，同上条件) |
| 体二极管正向电流Is | 130A(最大值) |
| 体二极管脉冲电流Ism | 400A(最大值) |
| 体二极管正向压降VSD | ≤1.2V(最大值，IsD=20A,VGS=0V,TJ=25℃) |
| 八、测试电路说明 | |
| 栅极电荷测试电路 | 采用恒流源3mA驱动，通过双管结构测量Qg/Qgs/Qgd电荷曲线 |
| 电阻负载开关测试 | 10V驱动信号，RL负载为0.5倍额定VDS，测量td(on)/tr/td(off)/tf参数 |
| 无钳位电感开关测试 | 用于测量单脉冲雪崩能量EAS，公式：EAS=0.5×L×Ias2 |
| 体二极管恢复dv/dt测试 | 通过RG控制dv/dt，测量反向恢复电流IRM，验证抗干扰能力 |
| 一、产品型号与封装对应 | |||
|---|---|---|---|
| 型号 | KNY2904A | KND2904A | KNB2904A / KNP2904A |
| 封装 | DFN5×6 | TO-252 | TO-263 / TO-220 |
| 规格 | N沟道 · 40V · 130A · 超低内阻MOSFET | ||
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二、同规格主流产品替代型号对照表
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| 品牌 | 型号 | 封装 | 电气规格 |
| 国产替代 | IRL3803 | 全封装 | 30V 140A 内阻偏高 |
| 国产替代 | AON6512 | DFN5×6 | 40V 120A 内阻接近 |
| 国产替代 | AP4904 | 全封装 | 40V 120A 通用款 |
| 国产替代 | CS4904 | 全封装 | 40V 120A 常规内阻 |
| 国产替代 | HY4904 | 全封装 | 40V 120A 通用型 |
| 国产替代 | IRLMS3803 | DFN5×6 | 30V 160A 耐压偏低 |
| 国产替代 | SI7842 | DFN5×6 | 40V 135A 价格偏高 |
| 国产替代 | NTMFS4904 | DFN5×6 | 40V 120A 进口型号 |
| 国产替代 | IPL40R130 | 全封装 | 40V 130A 对标型号 |
| 三、核心参数优势对比 | |||
| 参数项 | 我司产品 | 行业竞品 | 我方优势 |
| 耐压VDS | 40V | 多数30V | 耐压更高 更安全 |
| 连续电流 | 130A | 100-120A | 大电流 带载更强 |
| 导通电阻 | 2.0mΩ起 | ≥2.8mΩ | 内阻更低 发热更小 |
| 开关速度 | 快速开关 | 常规速度 | 损耗低 效率更高 |
| 雪崩能力 | 100%测试 | 部分不测试 | 可靠性更强 |
| 供货稳定 | 长期现货 | 交期不稳定 | 保障量产 |
| 四、官方KNY2904A/ KND2904A/ KND2904A/KNP2904A产品介绍（全型号） | |||
| 型号 | 官方KNY2904A/ KND2904A/ KND2904A/KNP2904A产品介绍 | ||
| KNY2904A |
DFN5×6超薄封装 40V130A超低内阻MOSFET 小体积大电流 适合高密度电源/快充/模块 |
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| KND2904A |
TO-252贴片MOS 40V130A低内阻高可靠性 适合电源管理 负载开关 工业控制 车规级场景 |
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| KNB2904A |
TO-263大封装MOS 40V130A超强散热 适合大功率电源 逆变器 电机驱动 大电流设备 |
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| KNP2904A |
TO-220直插MOS 40V130A高稳定长寿命 工业电源 工控设备 安防电源 通用大功率场景 |
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| 系列通用 |
40V130A全系列MOSFET 国产替代优选 内阻低 电流大 开关快 雪崩强 价格优 交期稳 |
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| 五、典型应用场景 | |||
| PD快充电源、开关电源、负载开关、电机驱动、逆变器 | |||
| 工业控制、汽车电子、安防电源、储能模块、电池保护板 | |||
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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