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一、产品核心特性
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低导通电阻
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Rds(on)=2.2mΩ(典型值)@VGS=10V
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环保特性
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无铅绿色器件，符合RoHS标准
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性能优势
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极低导通损耗，高雪崩电流能力
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二、典型应用场景
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应用领域
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电源供应器、DC-DC转换器、工业控制
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三、引脚配置（TO-252-7封装）
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引脚1
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Gate（栅极）
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引脚2/3/5/6/7
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Source（源极）
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引脚4
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Drain（漏极）
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四、绝对最大额定值
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漏源电压VDS
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40V
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栅源电压VGS
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±25V
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连续漏极电流ID(Tc=25℃)
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硅限制：190A
封装限制：120A
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连续漏极电流ID(Tc=100℃)
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109A
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脉冲漏极电流IDP
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480A
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雪崩电流IAS(L=0.5mH)
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46A
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单脉冲雪崩能量EAS(L=0.5mH)
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529mJ
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功耗PD(Tc=25℃)
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123W
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功耗PD(Tc=100℃)
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82W
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存储/工作结温范围
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-55℃~+150℃
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五、热特性参数
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结-壳热阻RθJC
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1.02℃/W(典型值)
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结-环境热阻RθJA
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80℃/W(典型值)
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六、电气特性参数(TA=25℃)
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漏源击穿电压BVdss
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40V(最小值，VGS=0V,IDS=250μA)
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零栅压漏极电流IDSS
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≤1μA(最大值，VDS=64V,VGS=0V)
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栅极阈值电压VGS(th)
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2~4V(最小值/最大值，VDS=VGS,IDS=250μA)
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栅极漏电流IGSS
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±100nA(最大值，VGS=±25V,VDS=0V)
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导通电阻Rds(on)
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2.2~3.5mΩ(典型2.2mΩ，VGS=10V,IDS=30A)
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正向跨导Gfs
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135S(典型值，VDS=5V,ID=40A)
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体二极管正向压降VSD
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0.9~1.3V(典型/最大值，ISD=40A,VGS=0V)
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体二极管连续正向电流IS
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≤190A(最大值)
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反向恢复时间trr
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≤55ns(最大值，IS=40A,dl/dt=100A/μs)
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反向恢复电荷Qrr
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≤70nC(最大值，同上条件)
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栅极串联电阻RG
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2.0Ω(典型值，VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz)
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输入电容Ciss
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6010pF(典型值，VGS=0V,VDS=25V,F=1MHz)
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输出电容Coss
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1400pF(典型值，同上条件)
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反向传输电容Crss
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675pF(典型值，同上条件)
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开通延迟时间td(on)
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25ns(典型值，VDD=25V,ID=90A,VGS=10V,RG=2.7Ω)
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上升时间tr
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102ns(典型值，同上条件)
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关断延迟时间td(off)
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62ns(典型值，同上条件)
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下降时间tf
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84ns(典型值，同上条件)
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总栅极电荷Qg
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150nC(典型值，VDS=40V,VGS=10V,ID=32A,F=1MHz)
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栅源电荷Qgs
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32nC(典型值，同上条件)
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栅漏电荷Qgd
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70nC(典型值，同上条件)
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七、典型特性曲线说明
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输出特性曲线
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展示不同VGS下ID与VDS的关系，体现低内阻特性
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转移特性曲线
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展示不同温度下ID与VGS的关系，体现温度稳定性
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Rds(on)特性曲线
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展示Rds(on)随ID、VGS、温度的变化趋势
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电容特性曲线
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展示Ciss/Coss/Crss随VDS的变化趋势
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栅极电荷特性曲线
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展示VGS随Qg的变化，体现开关驱动特性
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体二极管特性曲线
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展示不同温度下正向电流与压降的关系
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功耗与电流降额曲线
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展示器件功耗与电流随壳温的变化限制
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安全工作区(SOA)曲线
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展示不同脉冲宽度下ID与VDS的安全工作范围
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瞬态热阻抗曲线
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展示不同占空比下器件的热阻抗特性
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