KIA 原厂现货 30V50A，引脚兼容 NCE3050，降本替换进口 MOS
KIA50N03CD，50N03 贴片 MOS，30V50A MOS，TO252 MOS 管，可易亚 MOS 管
| 一、KIA50N03CD（TO-252）产品核心参数 | |||
|---|---|---|---|
| 产品型号 | KIA50N03CD | 封装规格 | TO-252(DPAK贴片) |
| 沟道类型 | N沟道增强型MOSFET | 耐压Vdss | 30V |
| 额定电流Id | 50A(25℃) | 典型Rds(on) | 6.5mΩ@Vgs=10V |
| 最大功率Pd | 60W | 栅极阈值Vgs(th) | 1.5~3.0V |
| 二、KIA50N03CD同参数平替替代型号汇总（可直接替换对标） | |||
| 竞品品牌 | 竞品料号 | 关键参数 | 替换说明 |
| NCE新洁能 | NCE3050K | 30V/50A/TO252 | 市面主流竞品，引脚通用直替 |
| MDD辰达 | MDD50N03D | 30V/50A/6.5mΩ | 国产同规格对标款 |
| 飞虹FHD | FHD70N03C | 30V/70A/TO252 | 余量更大，升级替换选型 |
| GOFORD谷峰 | GOFORD50N03 | 30V/50A/5.9mΩ | 性价比竞品，BOM兼容 |
| 英飞凌 | IPD50N03S2-07 | 30V/50A进口原厂 | 进口对标，降本优选国产替换 |
| 富海微HL | HL50N03 | 30V/50A TO252 | 通用国产竞品，现货充足 |
| 三、产品官网官宣KIA50N03CD介绍（分痛点/优势/应用） | |||
| 采购痛点 | 1.竞品MOS导通内阻大，整机发热严重、效率偏低； 2.进口料缺货涨价、交期不稳，成本不可控； 3.同规格器件参数虚标，大电流负载易炸管。 | ||
| 产品核心卖点 | 1.原厂沟槽工艺，低Rds(on)，减少发热、降低散热成本； 2.足流足压50A/30V，雪崩耐量高，负载稳定性强； 3.TO252标准引脚，兼容NCE3050等竞品，免改PCB直替； 4.KIA原厂常备现货，批量价优，长期稳定供货。 | ||
| 应用领域 | 小家电主控板、DC-DC开关电源、电机驱动、 锂电池保护板、LED驱动电源、车载小电源。 | ||
| 四、SEO简短导购文案（产品详情页用） | |||
| 短宣传语1 | KIA50N03CD替代NCE3050，低内阻省电，现货直发 | ||
| 短宣传语2 | TO252贴片MOS管，50A30V，小家电电源优选器件 | ||
| 短宣传语3 | 国产替代进口50N03，足参数抗冲击，批量可议价 | ||
| 卖点 | 优势说明 |
|---|---|
| 超低内阻 | Rds(on)仅6.5mΩ，发热小 |
| 高速开关 | 开关速度快，系统效率更高 |
| 雪崩耐量 | 全检雪崩，可靠性更高 |
| 宽温稳定 | -55~150℃，适应恶劣环境 |
| 直接替代 | 引脚兼容，免改板直接替换 |
| 成本优势 | 国产原厂，性价比更高 |
| 应用分类 | 适用产品 |
|---|---|
| 电源管理 | 开关电源、适配器、快充 |
| 负载开关 | 电池保护、电源分配 |
| 电机驱动 | 小风扇、玩具、小型马达 |
| 通信设备 | 机顶盒、路由器、模块电源 |
| 消费电子 | 充电器、移动电源、小家电 |
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品品类 | N-CHANNEL N沟道功率MOSFET |
| 原厂料号 | KIA50N03CD，丝印型号：50N03C |
| 封装规格 | TO-252；引脚：1-G、2-D、3-S，内置体二极管 |
| 品牌厂商 | KIA可易亚半导体 |
| 分类 | 明细内容 |
|---|---|
| 产品核心特点 |
1.Rds(on)典型6.5mΩ@VGS=10V；低导通内阻 2.低Crss反向传输电容；高速开关特性 3.全检雪崩耐压；优异dv/dt抗冲击性能 |
| 应用场景 | PWM开关电路、电源管理IC、负载开关模块 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 备注条件 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 30 | V | 常规耐压额定值 |
| 25℃连续漏极电流 | Id | 40 | A | Tc=25℃壳体温度 |
| 100℃连续漏极电流 | Id | 24 | A | Tc=100℃壳体温度 |
| 脉冲峰值漏极电流 | Idm | 120 | A | 脉冲受结温限制 |
| 栅源额定电压 | Vgs | ±20 | V | 常态驱动电压范围 |
| 单次雪崩耐量 | Eas | 121 | mJ | 单脉冲雪崩能量 |
| 重复雪崩耐量 | Ear | 25 | mJ | 周期性雪崩负载 |
| 二极管临界电压变化率 | dv/dt | 5 | V/ns | 体二极管dv/dt参数 |
| 25℃耗散功率 | Pd | 36 | W | Tc=25℃ |
| 结温&存储温度 | Tj/Tstg | -55~+150 | ℃ | 芯片工作与仓储温度 |
| 引脚极限焊温 | Tl | 300 | ℃ | 距外壳1/8英寸，焊接5s |
| 参数名称 | 符号 | 参数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 芯片结到外壳热阻 | RθJC | 3.47 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | Min | Typ | Max | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | 30 | - | - | V | Vgs=0V,Id=250μA |
| 常温漏源漏电流 | Idss | - | - | 1 | uA | Vds=30V,Vgs=0V |
| 125℃漏源漏电流 | Idss | - | - | 10 | uA | Vds=24V,Tc=125℃ |
| 栅源漏电流 | Igss | - | - | ±100 | nA | Vgs=±20V,Vds=0V |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | 1.1 | 1.6 | 2.2 | V | Vds=Vgs,Id=250uA |
| 10V导通内阻 | Rds(on) | - | 6.5 | 8.5 | mΩ | Vgs=10V,Id=15A |
| 4.5V导通内阻 | Rds(on) | - | 10 | 13 | mΩ | Vgs=4.5V,Id=15A |
| 体二极管连续正向电流 | Is | - | - | 40 | A | 源漏正向连续电流 |
| 体二极管脉冲电流 | Ism | - | - | 120 | A | 源漏正向脉冲电流 |
| 体二极管正向压降 | Vsd | - | 1.2 | - | V | Isd=15A,Vgs=0V,Tj=25℃ |
| 参数名称 | 符号 | Typ值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | 1271 | pF | Vds=15V,Vgs=0V,f=1MHz |
| 输出电容 | Coss | 130 | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 112 | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | 13 | ns | Vgs=10V,Vds=15V,Rg=3Ω,Id=15A |
| 电压上升时间 | tr | 19 | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | 27 | ns | |
| 下降时间 | tf | 20 | ns | |
| 总栅电荷(10V) | Qg | 21 | nC | Vds=15V,Id=15A,Vgs=10V |
| 栅源电荷 | Qgs | 4.5 | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | 3.2 | nC | |
| 二极管反向恢复时间 | trr | 20 | ns | If=15A,di/dt=100A/μs |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 23 | nC |
座机：0755-83888366-8022
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QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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