广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

首页 产品中心 应用领域 新闻中心 关于我们 联系我们
cn en

新闻中心

当前位置: 首页 > 新闻中心> 行业新闻

KNG3603A 30V 60A MOSFET 快充同步整流专用

信息来源：本站　日期：2026-06-08　

分享到：

KNG3603A 30V 60A MOSFET 快充同步整流专用

DFN3*3 4.7mΩ 低内阻 高效低耗

KNG3603A

KNG3603A、KNG3603A MOSFET、30V 60A MOSFET、DFN3*3 MOSFET、N沟道MOSFET

KNG3603A (3603A) 规格参数表
KNG3603A (3603A) 60A 30V N沟道MOSFET
1. 产品基本信息
型号 KNG3603A 品牌 KIA
封装 DFN3*3 类型 N沟道MOSFET
额定电压 30V 额定电流(Tc=25℃) 60A
典型Rds(on) 4.7mΩ@VGS=10V 技术工艺 先进沟槽工艺
2. 产品特点
  • 先进沟槽工艺，低导通电阻
  • Rds(on)典型值4.7mΩ@VGS=10V
  • 极低栅极电荷，开关速度快
  • 绿色环保器件，符合RoHS
  • 优异的dV/dt抗干扰能力
3. 典型应用
  • AC/DC快充同步整流电路
  • 电池管理系统(BMS)
  • 不间断电源(UPS)
4. 引脚定义 (DFN3*3)
引脚号 1,2,3 4 5,6,7,8
功能 Gate(栅极) Drain(漏极) Source(源极)
5. 绝对最大额定值 (Tc=25℃)
参数 符号 额定值 单位
漏源电压 VDS 30 V
栅源电压 VGS ±20 V
连续漏极电流(Tc=25℃) ID 60 A
连续漏极电流(Tc=100℃) ID 22.5 A
脉冲漏极电流 IDM 160 A
耗散功率(Tc=25℃) PD 25 W
雪崩能量 EAS 58 mJ
工作/存储温度 TJ, TSTG -55 ~ 150 ℃
6. 热特性参数
参数 符号 最大值 单位
结到环境热阻 RθJA 62 ℃/W
7. 电气特性参数 (Tj=25℃)
参数 条件 典型值/最大值 单位
漏源击穿电压BVdss VGS=0V, ID=250uA Min:30V V
漏源漏电流IDSS VDS=30V, VGS=0V Max:1uA uA
栅源漏电流IGSS VGS=±20V, VDS=0V Max:±100nA nA
栅极阈值电压VGS(th) VDS=VDS, ID=250uA 1.5~2.2V(典型1.7V) V
静态导通电阻Rds(on) VGS=10V, ID=20A 4.7~6mΩ(典型4.7mΩ) mΩ
静态导通电阻Rds(on) VGS=4.5V, ID=15A 8.5~12mΩ(典型8.5mΩ) mΩ
栅极电阻Rg VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz 典型1.7Ω Ω
正向跨导gfs VDS=5V, ID=30A 典型43S S
输入电容Ciss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz 典型1500pF pF
输出电容Coss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz 典型235pF pF
反向传输电容Crss VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz 典型200pF pF
开通延迟时间td(on) VDD=15V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=15A 典型8.2ns ns
上升时间tr VDD=15V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=15A 典型100ns ns
关断延迟时间td(off) VDD=15V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=15A 典型36ns ns
下降时间tf VDD=15V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=15A 典型102ns ns
总栅极电荷Qg VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A 典型32nC nC
栅源电荷Qgs VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A 典型5nC nC
栅漏电荷Qgd VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A 典型8nC nC
连续二极管正向电流Is — 典型60A A
脉冲二极管正向电流Ism — 典型140A A
二极管正向电压VSD VGS=0V, Is=1A 典型1V V
KNG3603A (DFN3*3) N沟道MOSFET 产品总览
产品型号 KNG3603A 封装规格 DFN3*3
电气类型 N沟道增强型 额定电压 30V
额定电流 60A 导通电阻 4.7mΩ@VGS=10V
核心产品优势（官网宣传文案）
1. 30V/60A大电流，DFN3*3小体积，高功率密度
2. 超低导通电阻，降低损耗，提升转换效率
3. 低栅极电荷，开关速度快，适合高频应用
4. 优异抗干扰能力，工作稳定可靠
5. 符合RoHS，绿色环保，适用于消费类电源
6. 专为快充、BMS、UPS等场景优化设计

KNG3603A

主流直接竞品型号对照表

品牌 竞品型号 参数匹配 封装
AO AO3400A 30V N沟道 DFN3*3
ON NTLS3403 30V N沟道 DFN3*3
TI CSD16323Q5A 30V N沟道 DFN3*3
威兆 VS3600DE 30V N沟道 DFN3*3
新洁能 NCE30ND60 30V 60A N沟道 DFN3*3
华羿 HY3602A 30V N沟道 DFN3*3
扬杰 YJQ3602A 30V N沟道 DFN3*3
长电 CJAC3403 30V N沟道 DFN3*3
核心应用场景
PD/QC快充同步整流、电池保护板、BMS系统
不间断电源UPS、开关电源、DC-DC转换模块
移动电源、蓝牙耳机、无人机、智能穿戴设备


座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）

联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KNG3603A

搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号

关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持



KIA50N03CD|30V50A 贴片 MOS 替代...　上一条　　 【返回】　　 下一条　KNG3403C 30V 80A MOSFET 快充同步...

相关资讯

最新资讯

样品索取

微信二维码

Copyright ©广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号 技术支持：创同盟

s