解决 MOS 管发热、烧毁难题 | KNP2803S 低损耗方案
KNP2803S, KNP2803S MOSFET, KNP2803S 30V 150A, KNP2803S TO-220
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| RDS(ON) | 典型值2.0mΩ @ VGS=10V |
| 核心优势 | 极低导通电阻、低反向传输电容 |
| 开关性能 | 快速开关特性，100%雪崩测试 |
| 抗扰能力 | 增强的dv/dt耐受能力 |
| 序号 | 应用场景 |
|---|---|
| 1 | PWM应用电路 |
| 2 | 电源管理系统 |
| 3 | 大功率负载开关 |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNP2803S | TO-220 | KIA |
| 参数 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | - | 30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | TC=25℃ | 150 | A |
| TC=100℃ | 90 | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IDM | 脉冲测试 | 560 | A |
| 栅源电压 | VGS | - | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 552 | mJ |
| 功耗 | PD | TC=25℃ | 107 | W |
| 结温/存储温度 | TJ,TSTG | - | -55~175 | ℃ |
| 焊接引线温度 | TL | 焊接5秒，距外壳1/8" | 300 | ℃ |
注：漏极电流受最大结温限制
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 1.4 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=30V,VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| VDS=24V,TC=125℃ | - | - | 10 | μA | ||
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=30A | - | 2.0 | 3.0 | mΩ |
| VGS=4.5V,ID=20A | - | 3.3 | 5.5 | mΩ | ||
| 输入电容 | CISS | VDS=20V,VGS=0V,f=1MHz | - | 4555 | - | pF |
| 输出电容 | COSS | - | 476 | - | pF | |
| 反向传输电容 | CRSS | - | 451 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VGS=10V,VDS=15V,RG=3Ω,ID=30A | - | 25 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 23 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 90 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 38 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=15V,ID=40A,VGS=10V | - | 92 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 30 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 38 | - | nC | |
| 体二极管连续电流 | IS | - | - | - | 150 | A |
| 体二极管脉冲电流 | ISM | - | - | - | 560 | A |
| 体二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,ISD=30A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=20A,di/dt=100A/μs | - | 42 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 39 | - | nC |
注：1) 脉冲测试：脉宽≤300μs，占空比≤0.5%；2) EAS测试条件：TJ=25℃,VDD=15V,VG=10V,RG=25Ω,L=0.5mH
| 图号 | 曲线内容 |
|---|---|
| 图1 | 导通区特性（ID vs VDS，不同VGS） |
| 图2 | 传输特性（ID vs VGS） |
| 图3 | 导通电阻 vs 漏极电流（不同VGS） |
| 图4 | 体二极管正向电压 vs 源极电流 |
| 图5 | 电容特性（CISS/COSS/CRSS vs VDS） |
| 图6 | 栅极电荷特性（VGS vs Qg） |
| 图7 | 击穿电压 vs 栅极电压 |
| 图8 | 导通电阻 vs 栅极电压 |
| 图9 | 最大安全工作区（SOA） |
| 图10 | 连续漏极电流降额 vs 结温 |
| 图11 | 瞬态热响应曲线 |
| 电路类型 | 测试项目 |
|---|---|
| 栅极电荷测试电路 | Qg/Qgs/Qgd测试 |
| 阻性开关测试电路 | 开关时间、上升/下降时间测试 |
| 非钳位感性开关测试电路 | 雪崩能量EAS测试 |
| 体二极管恢复dv/dt测试电路 | 反向恢复特性测试 |
| 产品型号 | 封装 | 器件类型 | 核心参数 |
|---|---|---|---|
| KNP2803S | TO-220 | N沟道MOSFET | 30V/150A，典型Rds(on) 2.0mΩ |
| 竞品型号 | 品牌 | 核心参数 | 产品特点 |
|---|---|---|---|
| NCE30150 | NCE | 30V/150A | 通用大功率管，市面流通量大 |
| AOT428 | AOS | 30V/150A | 开关性能稳定，适配电源电路 |
| IRF3205 | IR | 55V/110A | 经典型号，工业领域广泛使用 |
| WST30150 | Winsok | 30V/150A | 大电流设计，主打工业供电场景 |
| SPP30N150 | Infineon | 30V/150A | 品质可靠，高端电源方案常用 |
| 分类 | 宣传文案 |
|---|---|
| 整体简介 | KNP2803S为TO-220大功率N沟道MOS管，30V/150A高规格。 |
| 导通性能 | 导通电阻低至2.0mΩ，大幅降低导通损耗与设备发热。 |
| 开关特性 | 开关速度快，反向传输电容小，高频工况运行稳定。 |
| 抗冲击能力 | 通过100%雪崩测试，dv/dt耐受强，适配复杂工况。 |
| 耐温性能 | 工作结温可达175℃，高温环境依旧稳定输出。 |
| 品质保障 | 工艺成熟参数一致性好，适合大批量量产项目使用。 |
| 应用场景 | 场景介绍 |
|---|---|
| PWM控制电路 | 参数余量充足，适配各类脉冲调制控制线路。 |
| 电源管理系统 | 低损耗设计，提升电源整体转换效率。 |
| 大功率负载开关 | 通断响应迅速，承载大电流回路安全可靠。 |
| 工业工控电源 | 抗干扰能力强，满足工业设备长期连续运行。 |
| 电机驱动电路 | 大电流承载优秀，适配大功率电机控制方案。 |
| 对比维度 | 对比优势文案 |
|---|---|
| 导通损耗 | 超低内阻设计，相比同规格竞品发热更低更省电。 |
| 耐受能力 | 雪崩能量充足，抗冲击性能优于多数通用型号。 |
| 封装兼容 | 标准TO-220引脚，可直接替换市面主流竞品。 |
| 高温表现 | 耐温范围广，高温环境稳定性更具优势。 |
| 性价比 | 性能对标一线品牌，货源稳定，采购成本更友好。 |
| 使用位置 | 简短宣传语 |
|---|---|
| 产品标题短句1 | KNP2803S 30V150A TO-220低内阻功率MOS管 |
| 产品标题短句2 | 高可靠大功率MOSFET，雪崩加固型开关器件 |
| 引流短句1 | 替代NCE30150/AOT428，工业电源优选型号 |
| 引流短句2 | 2.0mΩ低内阻，降发热提效率大功率MOS管 |
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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