解决 MOS 管发热、效率低难题 | KCY2203A 低损耗方案
KCY2203A, KCY2203A MOSFET, KCY2203A 30V 200A, KCY2203A DFN5*6
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 工艺技术 | 采用先进SGT工艺 |
| 导通电阻 | Rds(on)=1.3mΩ(典型值)@VGS=10V |
| 栅极电荷 | 超低栅极电荷，开关速度快 |
| 环保特性 | 提供环保无铅版本 |
| 抗扰能力 | 优异的CdV/dt效应抑制能力 |
| 可靠性测试 | 100% ΔVds测试、100% UIS测试 |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1,2,3 | Gate（栅极） |
| 4 | Drain（漏极） |
| 5,6,7,8 | Source（源极） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCY2203A | DFN5×6 | KIA |
| 参数 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | VGS=0V | 30 | V |
| 栅源电压 | VGS | VDS=0V | ±20 | V |
| 连续漏极电流 | ID | TC=25℃ | 200 | A |
| TC=100℃ | 127 | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IDM | 脉冲测试 | 800 | A |
| 功耗 | PD | TC=25℃ | 125 | W |
| 雪崩能量 | EAS | - | 506 | mJ |
| 结温/存储温度 | TJ,TSTG | - | -55~150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 1.2 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=30V,VGS=0V,TC=25℃ | - | - | 1 | μA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS,ID=250μA | 1.0 | 1.6 | 2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=30A | - | 1.3 | 1.6 | mΩ |
| VGS=4.5V,ID=20A | - | 2.0 | 2.6 | mΩ | ||
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V,VGS=0V,f=1.0MHz | - | 2.5 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V,VGS=0V,f=1.0MHz | - | 3010 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 1530 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 50 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=15V,VGS=10V,RG=5.0Ω,ID=30A | - | 22 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 58 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 40 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 35 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=15V,VGS=10V,ID=30A | - | 45 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 8.2 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 7 | - | nC | |
| 体二极管电流 | ISD | - | - | - | 200 | A |
| 体二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,ISD=30A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | TJ=25℃,IF=30A,di/dt=100A/μs | - | 56 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 65 | - | nC |
注：1) 数据在FR-4板(1英寸2,2盎司铜)表面贴装测试；2) 脉冲测试脉宽≤300μs，占空比≤2%；3) EAS测试条件：VDD=20V,VGS=10V,L=0.5mH,IAS=45A；4) 功耗受175℃结温限制；5) 实际应用需考虑总功耗限制
| 图号 | 曲线内容 |
|---|---|
| 图1 | 典型输出特性（ID vs VDS，不同VGS） |
| 图2 | 典型传输特性（ID vs VGS） |
| 图3 | 导通电阻 vs 漏极电流（不同VGS） |
| 图4 | 最大连续漏极电流 vs 壳温 |
| 图5 | 栅极电荷特性（VGS vs Qg） |
| 图6 | 电容特性（Ciss/Coss/Crss vs VDS） |
| 图7 | 归一化击穿电压 vs 结温 |
| 图8 | 归一化导通电阻 vs 结温 |
| 图9 | 最大安全工作区（SOA） |
| 图10 | 体二极管正向特性 |
| 图11 | 瞬态热阻抗曲线 |
| 电路类型 | 测试项目 |
|---|---|
| 栅极电荷测试电路 | Qg/Qgs/Qgd参数测试 |
| 阻性开关测试电路 | 开关时间、上升/下降时间测试 |
| 非钳位感性开关测试电路 | 雪崩能量EAS测试 |
| 产品型号 | 封装 | 器件类型 | 核心参数 |
|---|---|---|---|
| KCY2203A | DFN5*6 | N沟道MOSFET | 30V/200A，典型Rds(on) 1.3mΩ |
| 竞品型号 | 品牌 | 核心参数 | 产品特点 |
|---|---|---|---|
| NCE30200K | NCE | 30V/200A DFN5*6 | 通用大功率管，市场流通量大 |
| AOTL30200 | AOS | 30V/200A DFN5*6 | 开关性能优异，适配高频电路 |
| WST30200D56 | Winsok | 30V/200A DFN5*6 | 大电流承载强，工业场景常用 |
| SMB30N200 | SM | 30V/200A DFN5*6 | 低内阻设计，贴片方案首选 |
| FDMS30200 | ON | 30V/200A DFN5*6 | 可靠性高，高端电源方案适用 |
| 分类 | 宣传文案 |
|---|---|
| 产品简介 | KCY2203A为DFN5*6贴片MOS管，30V/200A大功率规格。 |
| 工艺优势 | 采用SGT先进工艺，综合性能表现出众。 |
| 导通性能 | 导通电阻低至1.3mΩ，有效降低线路损耗与发热。 |
| 开关特性 | 超低栅极电荷，开关速度快，高频运行稳定。 |
| 抗干扰能力 | 优秀dv/dt抑制能力，适配复杂电磁环境。 |
| 品质可靠性 | 全检UIS、ΔVds，耐雪崩冲击，使用寿命更长。 |
| 封装优势 | DFN5*6小型贴片，节省PCB空间，利于设备小型化。 |
| 应用场景 | 场景介绍 |
|---|---|
| 高频PWM电路 | 开关性能出色，适配各类脉冲调制控制线路。 |
| 紧凑型电源 | 贴片封装+低损耗，提升电源转换效率。 |
| 大电流负载开关 | 200A大电流承载，通断安全稳定。 |
| 工控供电模块 | 抗干扰强，满足工业设备长期连续工作。 |
| 便携大功率设备 | 小体积大功率，助力产品轻量化设计。 |
| 对比维度 | 对比优势文案 |
|---|---|
| 导通损耗 | 超低内阻，相比同类竞品发热更低、更省电。 |
| 开关表现 | 栅极电荷更小，高频工况效率优于普通型号。 |
| 封装兼容 | 标准DFN5*6引脚，可直接替换市面主流竞品。 |
| 耐冲击性 | 双重可靠性全检，抗雪崩能力更突出。 |
| 综合性价比 | 一线性能品质，货源稳定，采购成本更具优势。 |
| 使用位置 | 简短宣传文案 |
|---|---|
| 产品标题1 | KCY2203A 30V200A DFN5*6低内阻贴片MOS管 |
| 产品标题2 | SGT工艺大功率MOSFET 高频低损耗开关器件 |
| 引流短句1 | 替代NCE30200K/AOTL30200 贴片功率管 |
| 引流短句2 | 1.3mΩ低内阻 DFN5*6紧凑型大电流MOS管 |
座机：0755-83888366-8022
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