解决 MOS 管发热、效率低难题 | KND8104A 低损耗方案
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNG8104A | DFN3*3 | KIA |
| KNY8104A | DFN5*6 | KIA |
| KND8104A | TO-252 | KIA |
| TO-252引脚 | DFN3*3/5*6引脚 | 功能 |
|---|---|---|
| 1 | 4 | Gate（栅极） |
| 2 | 5,6,7,8 | Drain（漏极） |
| 3 | 1,2,3 | Source（源极） |
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 导通电阻 | RDS(ON)=12mΩ(典型值)@VGS=10V |
| 核心优势 | 极低导通电阻、低Crss、快速开关 |
| 可靠性测试 | 100%雪崩测试、改进的dv/dt能力 |
| 序号 | 应用场景 |
|---|---|
| 1 | PWM控制应用 |
| 2 | 电源管理 |
| 3 | 负载开关 |
| 参数 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | VGS=0V | 40 | V |
| 连续漏极电流 | ID | Tc=25℃ | 30 | A |
| Tc=100℃ | 19 | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IDM | 脉冲测试 | 120 | A |
| 栅源电压 | VGS | - | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 25 | mJ |
| 功耗 | PD | Tc=25℃ | 96 | W |
| 结温/存储温度 | TJ,TSTG | - | -55~150 | ℃ |
| 焊接温度 | TL | 引脚焊接5秒 | 300 | ℃ |
注：漏极电流受最大结温限制。
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 1.3 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDS | VGS=0V,ID=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=40V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=20A | - | 12 | 16 | mΩ |
| VGS=4.5V,ID=10A | - | 16.5 | 24 | mΩ | ||
| 栅极电阻 | RG | f=1MHz | - | 4 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=20V,VGS=0V,f=1MHz | - | 850 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 70 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 62 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VGS=10V,VDS=30V,RG=4.7Ω,ID=30A | - | 4 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 8 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 30 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 10 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=20V,ID=30A,VGS=10V | - | 18 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 2.5 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 5 | - | nC | |
| 体二极管正向电流 | Is | - | - | - | 30 | A |
| 体二极管脉冲电流 | IsM | - | - | - | 120 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | ISD=20A,VGS=0V,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
注：1. 重复额定值：脉宽受最大结温限制；2. EAS测试条件：TJ=25℃,VDD=30V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω；3. 脉冲测试：脉宽≤300μs，占空比≤0.5%。
| 图号 | 曲线内容 |
|---|---|
| 图1 | 导通区特性（ID vs VDS，不同VGS） |
| 图2 | 传输特性（ID vs VGS） |
| 图3 | 导通电阻随漏极电流与栅极电压变化 |
| 图4 | 体二极管正向电压随源电流变化 |
| 图5 | 电容特性（Ciss/Coss/Crss vs VDS） |
| 图6 | 栅极电荷特性（VGS vs Qg） |
| 图7 | 漏源电压随栅极电压变化 |
| 图8 | 导通电阻随栅极电压变化 |
| 图9 | 最大安全工作区（SOA） |
| 图10 | 最大连续漏极电流随结温变化 |
| 图11 | 瞬态热响应曲线 |
| 电路类型 | 测试项目 |
|---|---|
| 栅极电荷测试电路 | Qg/Qgs/Qgd参数测试 |
| 阻性开关测试电路 | 开关时间、上升/下降时间测试 |
| 非钳位感性开关测试电路 | 雪崩能量EAS测试 |
| 二极管恢复dv/dt测试电路 | 体二极管反向恢复特性测试 |
| 产品型号 | 封装 | 器件类型 | 核心参数 |
|---|---|---|---|
| KND8104A | TO-252 | N沟道MOSFET | 40V/30A，典型Rds(on) 12mΩ |
| 竞品型号 | 品牌 | 核心参数 | 产品特点 |
|---|---|---|---|
| NCE4030K | NCE | 40V/30A TO-252 | 市面通用款，供货渠道广 |
| AOT4030L | AOS | 40V/30A TO-252 | 开关速度快，高频电路适配佳 |
| IRLR7843 | IR | 40V/30A TO-252 | 老牌型号，工业设备常用 |
| WST4030 | Winsok | 40V/30A TO-252 | 低内阻，性价比突出 |
| FQD30N40 | ON | 40V/30A TO-252 | 稳定性强，长期工况表现好 |
| 分类 | 宣传文案 |
|---|---|
| 产品简介 | KND8104A为TO-252封装N沟道MOS管，额定40V/30A。 |
| 导通性能 | 典型内阻12mΩ，大幅降低导通损耗与发热。 |
| 开关特性 | 反向传输电容低，开关响应迅速、效率高。 |
| 抗干扰能力 | 优化dv/dt耐受能力，适配复杂电磁环境。 |
| 可靠性能 | 100%雪崩全检，抗冲击强，使用寿命长久。 |
| 封装优势 | 标准TO-252封装，焊接便捷，散热表现优良。 |
| 应用场景 | 场景介绍 |
|---|---|
| PWM控制电路 | 开关性能优异，适配各类脉冲调制线路。 |
| 电源管理模块 | 低损耗设计，提升电源整体转换效率。 |
| 大电流负载开关 | 30A电流承载，通断稳定安全。 |
| 小家电驱动 | 参数匹配度高，适配各类家用电器方案。 |
| 工控供电系统 | 可靠性高，满足设备长时间连续运行。 |
| 对比维度 | 对比优势文案 |
|---|---|
| 发热控制 | 低导通内阻，相比同类产品温升更低。 |
| 高频表现 | 电容参数优秀，高频工况效率更有优势。 |
| 引脚兼容 | 标准TO-252引脚，可直接替换主流竞品。 |
| 耐冲击性 | 全检雪崩性能，恶劣工况适应性更强。 |
| 综合性价比 | 品质对标一线品牌，货源稳定采购成本优。 |
| 使用位置 | 宣传文案 |
|---|---|
| 产品主标题1 | KND8104A 40V30A TO-252低内阻MOSFET |
| 产品主标题2 | TO-252封装40V/30A 高速开关功率MOS管 |
| 引流短句1 | 可替代NCE4030K/AOT4030L 通用功率管 |
| 引流短句2 | 12mΩ低内阻 高可靠TO-252封装MOS管 |
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
