80A 30V DFN5*6 MOSFET 国产替代英飞凌/安森美 低Rds
KNY3080B, KNY3080B MOSFET, 80A 30V MOSFET, DFN5*6 MOSFET, 30V N沟道MOSFET, 快充同步整流MOSFET
80A, 30V N-Channel MOSFET
封装形式：DFN5*6
引脚功能定义：
核心引脚符号：
| 产品型号 | 封装形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNY3080B | DFN5*6 | KIA |
注：除特殊标注外，测试条件Tc=25℃
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏极-源极电压 | VDSS | 30 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流（Tc=25℃） | ID | 80 | A |
| 连续漏极电流（Tc=100℃） | ID | 30 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 160 | A |
| 总功耗（Tc=25℃） | PD | 25 | W |
| 雪崩能量 | EAS | 58 | mJ |
| 工作结温与存储温度范围 | Tj,Tstg | -55 to 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境的热阻 | RθJA | 60.5 | ℃/W |
注：除特殊标注外，测试条件Tj=25℃
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.0 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A | - | 4.1 | 6 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=20A | - | 7.0 | 10 | mΩ |
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1.6 | - | Ω |
| 正向跨导 | gfs | VDS=5V, ID=30A | - | 44 | - | S |
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1550 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 230 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 200 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=15V,VGS=10V,RG=3.3Ω,ID=15A | - | 8 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDD=15V,VGS=10V,RG=3.3Ω,ID=15A | - | 100 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDD=15V,VGS=10V,RG=3.3Ω,ID=15A | - | 34 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDD=15V,VGS=10V,RG=3.3Ω,ID=15A | - | 101 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A | - | 32 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A | - | 5 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A | - | 8.5 | - | nC |
| 体二极管连续正向电流 | Is | — | - | - | 80 | A |
| 体二极管脉冲正向电流 | Ism | — | - | - | 140 | A |
| 体二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=1A | - | - | 1 | V |
DFN5*6封装 | 快充同步整流专用 | 国产高性价比替代方案
| 核心定位 | 针对AC/DC快充、电池管理、UPS等高频开关场景优化的高性能N沟道MOSFET，完全兼容进口同规格器件引脚与封装，实现国产替代零改动，兼顾性能、成本与供货稳定性。 |
| 核心规格 | 80A连续漏极电流（Tc=25℃）、30V漏源耐压、DFN5*6超小封装、4.1mΩ典型导通电阻@VGS=10V |
| 替代目标 | 直接pin-to-pin替代英飞凌、安森美、东芝等进口品牌同规格80A 30V DFN5*6封装MOSFET，无需修改PCB与电路设计 |
| 优势类别 | 核心亮点 | 客户价值 |
|---|---|---|
| 超低导通损耗 | 典型导通电阻仅4.1mΩ@10V，7mΩ@4.5V，优于多数同规格竞品 | 大幅降低导通发热，提升整机效率，适配快充等大电流场景 |
| 优异开关性能 | 总栅极电荷仅32nC，开关速度快，Cdv/dt效应抑制能力强 | 降低开关损耗，适配高频开关应用，减少EMI干扰 |
| 封装完全兼容 | 标准DFN5*6封装，引脚定义与进口竞品100%匹配 | 零改动替代，无需重新设计PCB，缩短产品开发周期 |
| 高可靠性设计 | 雪崩能量58mJ，工作结温-55℃~150℃，通过严苛可靠性测试 | 适配工业级、消费级多场景，保障整机长期稳定运行 |
| 国产供应链保障 | 国内自有晶圆厂与封测线，稳定供货，交期可控 | 解决进口器件交期长、缺货风险，降低供应链成本 |
| 品牌 | 型号 | 封装 | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON)典型值@10V(mΩ) | Qg典型值(nC) | 对标结果 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KIA/可易亚 | KNY3080B | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.1 | 32 | 基准型号 |
| 英飞凌 | BSC0803LSI | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.3 | 34 | 性能优于竞品，可直接替代 |
| 安森美 | NTMFS083N03CL | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.5 | 36 | 性能优于竞品，可直接替代 |
| 东芝 | TPH1R403PL | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.2 | 33 | 性能持平，可直接替代 |
| 恩智浦 | PSMN1R4-30YLDX | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.4 | 35 | 性能优于竞品，可直接替代 |
| 新洁能 | NCE3080K | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.5 | 34 | 性能优于竞品，同价位更具优势 |
| 华润微 | CRSM0803L | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.6 | 36 | 性能优于竞品，同价位更具优势 |
| 士兰微 | SL3080DF | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.4 | 35 | 性能优于竞品，同价位更具优势 |
| 扬杰科技 | YJQ3080D | DFN5*6 | 80 | 30 | 4.7 | 37 | 性能优于竞品，同价位更具优势 |
| 核心应用场景 |
|
| 保障类别 | 具体内容 |
|---|---|
| 品质管控 |
|
| 供货保障 |
|
| 技术支持 |
|
| 产品型号 | 封装形式 | 品牌 | 包装规格 |
|---|---|---|---|
| KNY3080B | DFN5*6 | KIA/可易亚 | 3000pcs/卷 |
| 参数类别 | 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 额定值 | 漏源电压 | VDSS | 30 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V | |
| 连续漏极电流（25℃） | ID | 80 | A | |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 160 | A | |
| 导通特性 | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 1.0-2.0 | V |
| 导通电阻@10V | RDS(ON) | 4.1(典型) | mΩ | |
| 导通电阻@4.5V | RDS(ON) | 7.0(典型) | mΩ | |
| 开关特性 | 总栅极电荷 | Qg | 32(典型) | nC |
| 输入电容 | Ciss | 1550(典型) | pF | |
| 热特性 | 结到环境热阻 | RθJA | 60.5 | ℃/W |
| 工作结温范围 | Tj | -55~150 | ℃ |
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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