KCP035N10N TO-220 MOS｜3.3mΩ 超低内阻，大电流不发烫炸管
100V120A SGT 沟槽 MOS，800mJ 高雪崩，电机驱动专用
KCP035N10N,KCP035N10N TO-220,TO220 100V120A MOS 管，低内阻大电流 MOS, 直流电机驱动 MOS, 工业 DC-DC 场效应管，高雪崩功率 MOS,SGT 沟槽 MOS, 替代 IRFP120N, 国产 TO220 MOS 现货
KCP035N10N TO-220 100V120A SGT N沟道MOS完整参数规格
一、KCP035N10N产品基础订单信息
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项目
|
参数详情
|
|
完整料号
|
KCP035N10N，丝印KCP035N10N
|
|
品牌厂商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封装形式
|
TO-220 直插功率封装
|
|
器件工艺
|
SGT沟槽N-CHANNEL功率MOSFET
|
|
额定规格
|
100V Vds，120A连续漏极电流
|
|
品质检测
|
100%击穿电压测试、100%雪崩能量全检
|
|
环保等级
|
RoHS合规无铅、HF无卤素器件
|
|
包装规格
|
编带托盘包装，单盘50pcs
|
二、KCP035N10N核心产品特性 Features
|
1. 先进SGT工艺，实现超低导通内阻Rds(on)
|
|
2. 低结壳热阻，散热性能优异，大功率温升更低
|
|
3. 开关速度快，栅电荷小，大幅降低开关损耗
|
三、KCP035N10N标准应用场景 Applications
|
1. DC-DC升降压转换电源电路
|
|
2. 大功率电源开关、负载开关模块
|
|
3. 直流电机驱动、工业伺服驱动电路
|
四、KCP035N10NTO-220引脚定义与内部结构
|
引脚序号
|
引脚功能
|
|
Pin 1
|
Gate 栅极控制端
|
|
Pin 2
|
Drain 漏极高压功率端
|
|
Pin 3
|
Source 源极低电位端
|
|
内部结构
|
N沟道MOS并联内置体续流二极管
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五、KCP035N10N绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
额定数值
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
VDS
|
100
|
V
|
|
连续漏极电流 ID
|
ID
|
120
|
A
|
|
ID(Package limit Tc=25℃)
|
21
|
A
|
|
ID(Silicon limit Tc=100℃)
|
113
|
A
|
|
脉冲峰值漏极电流
|
ID(pulse)
|
480
|
A
|
|
单脉冲雪崩能量
|
EAS
|
800
|
mJ
|
|
栅源电压范围
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
25℃最大总耗散功率
|
Ptot
|
215
|
W
|
|
工作/存储温度区间
|
TJ, Tstg
|
-55 ~ +150
|
℃
|
六、KCP035N10N热特性 Thermal Resistance 参数
|
参数名称
|
符号
|
最大数值
|
单位
|
|
结到外壳热阻
|
RthJC
|
0.58
|
℃/W
|
|
结到环境热阻(最小焊盘)
|
RthJA
|
40
|
℃/W
|
七、KCP035N10N静态电气参数 Static Characteristic(Tj=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
测试条件
|
|
漏源击穿电压
|
BVDSS
|
100
|
-
|
-
|
V
|
VGS=0V,ID=250uA
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(th)
|
2.2
|
3
|
3.8
|
V
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
|
零栅压漏电流IDSS
|
IDSS
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
VDS=100V,VGS=0V,Tj=25℃
|
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
VDS=100V,VGS=0V,Tj=125℃
|
|
栅源漏电流IGSS
|
IGSS
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
|
导通内阻RDS(on)
|
RDS(on)
|
-
|
3.3
|
3.9
|
mΩ
|
VGS=10V,ID=50A,TO-220
|
|
正向跨导gfs
|
gfs
|
-
|
113
|
-
|
S
|
VDS=5V,ID=50A
|
八、KCP035N10N动态电容与栅电荷 Dynamic Characteristic
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
单位
|
测试条件
|
|
输入电容Ciss
|
Ciss
|
7470
|
pF
|
VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz
|
|
输出电容Coss
|
Coss
|
930
|
pF
|
|
反向传输电容Crss
|
Crss
|
50
|
pF
|
|
总栅电荷Qg
|
QG
|
130
|
nC
|
VGS=10V,VDS=50V,ID=50A
|
|
栅源电荷Qgs
|
Qgs
|
35
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷Qgd
|
Qgd
|
40
|
nC
|
|
开通延迟时间td(on)
|
td(on)
|
50
|
ns
|
VGS=10V,VDS=50V,RG=6Ω,ID=50A
|
|
开通上升时间tr
|
tr
|
74
|
ns
|
|
关断延迟时间td(off)
|
td(off)
|
97
|
ns
|
|
关断下降时间tf
|
tf
|
30
|
ns
|
|
内置栅极内阻RG
|
RG
|
1.5
|
Ω
|
VGS=0V,VDS=0V,f=1MHz
|
九、KCP035N10N体二极管电气特性 Body Diode Characteristic
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
Max
|
单位
|
测试条件
|
|
体二极管正向压降
|
VSD
|
0.9
|
1.2
|
V
|
VGS=0V,ISD=50A
|
|
反向恢复时间trr
|
trr
|
70
|
-
|
ns
|
VDS=50V,IF=50A,di/dt=100A/μs
|
|
反向恢复电荷Qrr
|
Qrr
|
147
|
-
|
nC
|
VDS=50V,IF=50A,di/dt=100A/μs
|
十、KCP035N10N15组特性曲线图完整说明
|
Fig1：转移特性曲线ID-VGS，-55℃/25℃/150℃多温度对比
|
|
Fig2：输出特性曲线ID-VDS，不同栅压VGS(5V~10V)
|
|
Fig3：归一化导通内阻随漏极电流ID变化曲线
|
|
Fig4：导通内阻Rds(on)随栅源电压VGS变化曲线(25℃/150℃)
|
|
Fig5：归一化Rds(on)随结温TJ(-55~150℃)变化曲线
|
|
Fig6：总栅电荷Qg-VGS充电特性曲线
|
|
Fig7：体二极管正向输出特性IS-VSD，多温度对比
|
|
Fig8：正向偏置安全工作区SOA ID-VDS(不同脉冲时长)
|
|
Fig9：电容Ciss/Coss/Crss随漏源电压VDS变化曲线
|
|
Fig10：单脉冲最大耗散功率随脉冲时长tpw变化曲线
|
|
Fig11：最大耗散功率Pmax随外壳温度Tc衰减曲线
|
|
Fig12：最大连续漏极电流IDmax随外壳温度Tc衰减曲线
|
|
Fig13：归一化击穿电压BVdss随结温TJ变化曲线
|
|
Fig14：归一化阈值电压VGS(th)随结温TJ变化曲线
|
|
Fig15：结到外壳瞬态热阻抗曲线(不同占空比脉冲)
|
十一、KCP035N10NTO-220封装外形尺寸说明
|
1. 提供两种安装散热片开孔方案Option1/Option2
|
|
2. 尺寸单位包含毫米(Min/Max)与英寸双规格对照
|
|
3. 引脚中心距标准2.54mm BSC，通用直插PCB焊盘
|
|
4. 引脚宽度b最小0.69mm、最大0.95mm，适配自动插件机
|
十二、KCP035N10N文档测试备注说明
十三、KCP035N10N 可直接替代竞品清单（竖排窄幅单列展示）
|
1. 脉冲参数为重复额定值，脉宽受器件最高结温150℃限制
|
|
2. 超出绝对最大额定值会造成器件永久性不可逆损坏
|
|
3. 雪崩能量EAS测试条件ID=13.5A,Rg=25Ω单脉冲工况
|
|
4. 全流程100%DVDS击穿、100%雪崩能量出厂检测，品质稳定
|
|
序号
|
竞品型号
|
封装
|
核心对标差异
|
|
1
|
IRFP120N
|
TO-220
|
Rds(on)达6mΩ，发热更高，雪崩能量仅500mJ
|
|
2
|
FQP120N10
|
TO-220
|
栅电荷更大，开关损耗高，热阻偏高
|
|
3
|
STP120N10
|
TO-220
|
进口料交期3-6个月，采购成本高
|
|
4
|
IPA120N10S3L
|
TO-220
|
跨导仅85S，大电流驱动性能偏弱
|
|
5
|
SPP120N10
|
TO-220
|
体二极管trr 110ns，反向损耗更大
|
|
6
|
AOTF120N10
|
TO-220
|
单脉冲雪崩能量仅620mJ，易浪涌击穿
|
|
7
|
FMV120N10
|
TO-220
|
Rds(on)上限4.5mΩ，整机温升超标
|
|
8
|
NTP120N10
|
TO-220
|
无全检雪崩，批量老化故障率高
|
十四、KCP035N10N 官网多场景宣传文案
2.1 Banner首页短标题（≤35字）
|
KCP035N10N TO220 100V120A SGT MOS，超低内阻电机驱动专用
|
2.2 产品详情主介绍文案
|
KIA原厂KCP035N10N为TO-220直插SGT沟槽N沟道MOS，额定100V耐压、120A连续电流。
采用新一代SGT工艺，典型Rds(on)仅3.3mΩ，大幅降低导通发热；结壳热阻低至0.58℃/W，大功率散热优异。
开关速度快、栅电荷小，有效减少开关损耗；单脉冲雪崩能量800mJ，抗电感尖峰冲击能力强。
内置70ns超快恢复体二极管，反向损耗更低；出厂100%击穿+100%雪崩双重全检，参数足标无虚标。
适配DC-DC电源、大功率电源开关、直流电机驱动，可直接替换IRFP120N、STP120N10等进口型号，原厂现货稳定供货。
|
2.3 选型列表精简简介（选型页展示）
|
TO-220封装100V/120A SGT功率MOS，3.3mΩ超低导通内阻，800mJ高雪崩耐受，
超快恢复体二极管，适配电机驱动、大功率DC-DC、工业负载开关，国产平替进口100V大电流MOS。
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2.4 工厂采购批发推广文案
|
电机、大功率电源批量选型优选KCP035N10N，国产替代进口TO220 100V MOS。
100V足耐压、120A足电流不虚标，3.3mΩ低内阻降低整机散热成本，800mJ高雪崩减少售后返修。
TO220通用直插封装兼容现有PCB，RoHS无卤素环保合规，原厂长期现货，量大价优，支持免费寄样上机测试。
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2.5 工程师选型痛点解决方案文案
|
还在困扰大功率MOS高温发烫、电感浪涌炸管、开关电源效率低？
KCP035N10N SGT工艺实现3.3mΩ超低导通内阻，0.58℃/W低热阻散热优秀；
800mJ高雪崩能量抵御电机关断尖峰，70ns超快恢复二极管降低反向损耗，
120A大电流适配大功率DC-DC、伺服电机驱动，完美解决温升超标、高压击穿难题。
|
三、KCP035N10N 完整原厂紧凑参数总表
3.1 KCP035N10N产品基础订单信息
|
项目
|
参数详情
|
|
完整料号
|
KCP035N10N，丝印KCP035N10N
|
|
品牌厂商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封装形式
|
TO-220 通用直插功率封装
|
|
器件工艺
|
SGT沟槽N-CHANNEL功率MOSFET
|
|
单管额定规格
|
100V Vds，120A 25℃连续漏极电流
|
|
出厂品质检测
|
100%DVDS击穿测试、100%雪崩能量全检
|
|
环保标准
|
RoHS无铅、HF无卤素环保器件
|
|
包装规格
|
编带托盘包装，单托盘50pcs
|
3.2 产品核心特性
|
1. 新一代SGT沟槽工艺，超低导通内阻Rds(on)
|
|
2. 极低结壳热阻，大功率工况温升更低
|
|
3. 开关速度快，栅电荷小，有效降低开关损耗
|
3.3 标准应用场景
|
1. DC-DC升降压转换大功率电源电路
|
|
2. 工业大功率电源开关、大电流负载开关
|
|
3. 直流无刷电机、伺服电机驱动电路
|
3.4 TO-220引脚功能定义
|
引脚序号
|
引脚功能说明
|
|
Pin 1
|
Gate 栅极控制输入引脚
|
|
Pin 2
|
Drain 漏极高压功率引脚
|
|
Pin 3
|
Source 源极低电位功率引脚
|
|
内部结构
|
N沟道MOS并联超快恢复续流体二极管
|
3.5 绝对最大额定值(Tc=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
额定数值
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
VDS
|
100
|
V
|
|
25℃硅极限连续漏电流
|
ID
|
120
|
A
|
|
25℃封装极限连续漏电流
|
ID
|
21
|
A
|
|
100℃硅极限连续漏电流
|
ID
|
113
|
A
|
|
脉冲峰值漏极电流
|
ID(pulse)
|
480
|
A
|
|
单脉冲雪崩能量
|
EAS
|
800
|
mJ
|
|
栅源电压耐受范围
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
25℃最大总耗散功率
|
Ptot
|
215
|
W
|
|
工作与存储温度区间
|
TJ, Tstg
|
-55 ~ +150
|
℃
|
3.6 热特性参数
|
参数名称
|
符号
|
最大值
|
单位
|
|
结到外壳热阻
|
RthJC
|
0.58
|
℃/W
|
|
结到环境热阻(最小焊盘)
|
RthJA
|
40
|
℃/W
|
3.7 静态电气参数(Tj=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
测试条件
|
|
漏源击穿电压
|
BVDSS
|
100
|
-
|
-
|
V
|
VGS=0V,ID=250uA
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(th)
|
2.2
|
3
|
3.8
|
V
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
|
零栅压漏电流25℃
|
IDSS
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
VDS=100V,VGS=0V
|
|
零栅压漏电流125℃
|
IDSS
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
VDS=100V,VGS=0V
|
|
栅源漏电流
|
IGSS
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
|
导通内阻
|
RDS(on)
|
-
|
3.3
|
3.9
|
mΩ
|
VGS=10V,ID=50A
|
|
正向跨导
|
gfs
|
-
|
113
|
-
|
S
|
VDS=5V,ID=50A
|
3.8 KCP035N10N电容与栅电荷动态参数
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
单位
|
测试条件
|
|
输入电容Ciss
|
Ciss
|
7470
|
pF
|
VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz
|
|
输出电容Coss
|
Coss
|
930
|
pF
|
|
反向传输电容Crss
|
Crss
|
50
|
pF
|
|
总栅电荷Qg
|
QG
|
130
|
nC
|
VGS=10V,VDS=50V,ID=50A
|
|
栅源电荷Qgs
|
Qgs
|
35
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷Qgd
|
Qgd
|
40
|
nC
|
|
开通延迟时间
|
td(on)
|
50
|
ns
|
VGS=10V,VDS=50V,RG=6Ω,ID=50A
|
|
开通上升时间
|
tr
|
74
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(off)
|
97
|
ns
|
|
关断下降时间
|
tf
|
30
|
ns
|
|
器件内置栅极内阻
|
RG
|
1.5
|
Ω
|
VGS=0V,VDS=0V,f=1MHz
|
3.9 KCP035N10N体二极管电气特性
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
Max
|
单位
|
测试条件
|
|
体二极管正向压降
|
VSD
|
0.9
|
1.2
|
V
|
VGS=0V,ISD=50A
|
|
反向恢复时间trr
|
trr
|
70
|
-
|
ns
|
VDS=50V,IF=50A,di/dt=100A/μs
|
|
反向恢复电荷Qrr
|
Qrr
|
147
|
-
|
nC
|
VDS=50V,IF=50A,di/dt=100A/μs
|
3.10 原厂文档备注说明
|
1. 雪崩能量EAS测试条件：ID=13.5A,Rg=25Ω单脉冲工况
|
|
2. 脉冲参数受最高结温150℃限制，不可超规格长期使用
|
|
3. 超出绝对最大额定值将造成器件永久不可逆损坏
|
|
4. 出厂双重全检：100%耐压DVDS、100%雪崩能量检测
|
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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