KLM60R099B TO-247 MOS｜低栅电荷，高压电源不炸管不起振
600V35A Super-JMOS，187mJ 高雪崩，PFC / 充电桩专用
KLM60R099B,KLM60R099B TO-247,TO247 600V35A MOS 管，超结 Super-JMOS,PFC 功率 MOS, 充电桩高压场效应管，高雪崩抗振荡 MOS, 低栅电荷 600V 管，替代 FCH35N60, 国产 TO247 高压 MOS 现货
KLM60R099B TO-247 600V35A Super-JMOS高压MOS完整参数规格
一、KLM60R099B产品基础订单信息
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项目
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参数详情
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|
完整料号
|
KLM60R099B，丝印60R099B
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品牌厂商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封装形式
|
TO-247 大功率直插封装
|
|
器件工艺
|
Multi-EPI Super-JMOS N沟道高压MOSFET
|
|
额定规格
|
600V Vds，35A 25℃连续漏极电流
|
|
品质检测
|
100%单脉冲雪崩能量出厂全检
|
|
版本发布
|
Datasheet Rev1.0，2026年4月发布
|
二、KLM60R099B核心产品特性 Features
|
1. 典型导通内阻Rds(on)=90mΩ@VGS=10V
|
|
2. 低总栅电荷Qg，典型值仅57.7nC，开关损耗低
|
|
3. 高鲁棒性，耐冲击、抗高压浪涌能力强
|
|
4. 超高速开关特性，适配高频开关电源
|
|
5. 100%雪崩能量全检，批量品质一致性高
|
|
6. 优化dv/dt耐受能力，降低振荡干扰
|
三、KLM60R099B标准应用场景（文档未单独列出，适配高压电源类）
|
1. 大功率AC-DC开关电源、工业适配器
|
|
2. 光伏辅助电源、储能双向变流器
|
|
3. 充电桩前级PFC电路、电焊机电源
|
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4. 大功率DC-DC高压降压转换电路
|
四、KLM60R099BTO-247引脚定义 Pin configuration
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引脚序号
|
引脚功能
|
|
Pin 1
|
Gate 栅极控制引脚
|
|
Pin 2
|
Drain 漏极高压功率引脚
|
|
Pin 3
|
Source 源极低电位功率引脚
|
|
内部结构
|
N沟道Super-JMOS并联内置续流体二极管
|
五、KLM60R099B绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
额定数值
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
VDSS
|
600
|
V
|
|
栅源耐受电压
|
VGSS
|
±30
|
V
|
|
连续漏极电流 ID
|
ID(Tc=25℃)
|
35
|
A
|
|
ID(Tc=100℃)
|
23
|
A
|
|
脉冲峰值漏极电流
|
IDM
|
110
|
A
|
|
单脉冲雪崩能量
|
EAS
|
187
|
mJ
|
|
雪崩峰值电流
|
IAR
|
5.4
|
A
|
|
重复雪崩能量
|
EAR
|
2.6
|
A
|
|
体二极管反向恢复dv/dt
|
dv/dt
|
50
|
V/ns
|
|
MOS管本体dv/dt耐受
|
dv/dt
|
100
|
V/ns
|
|
25℃最大耗散功率
|
PD
|
260
|
W
|
|
降额系数(>25℃)
|
2.08
|
W/℃
|
|
引脚短时焊接最高温度(5s)
|
TL
|
260
|
℃
|
|
工作/存储温度区间
|
TJ,TSTG
|
-55 ~ +150
|
℃
|
六、KLM60R099B热特性 Thermal characteristics 参数
|
参数名称
|
符号
|
最大数值
|
单位
|
|
结到外壳热阻
|
RθJC
|
0.48
|
℃/W
|
|
结到环境热阻
|
RθJA
|
62.5
|
℃/W
|
七、KLM60R099B静态电气参数 Electrical characteristics(Tc=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
测试条件
|
|
漏源击穿电压BVDSS
|
BVDSS
|
600
|
-
|
-
|
V
|
VGS=0V,ID=1mA
|
|
650
|
-
|
-
|
V
|
Tj=150℃,VGS=0V,ID=1mA
|
|
零栅压漏电流IDSS
|
IDSS
|
-
|
-
|
10
|
μA
|
VDS=600V,VGS=0V
|
|
-
|
60
|
-
|
μA
|
VDS=480V,Tc=125℃,VGS=0V
|
|
栅源漏电流IGSS
|
IGSS
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
VGS=±30V,VDS=0V
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(TH)
|
3.0
|
-
|
5.0
|
V
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
|
导通内阻RDS(ON)
|
RDS(ON)
|
-
|
90
|
105
|
mΩ
|
VGS=10V,ID=15.3A
|
|
器件内置栅极电阻
|
RG
|
-
|
1.1
|
-
|
Ω
|
f=1MHz
|
八、KLM60R099B电容与栅电荷动态参数
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
单位
|
测试条件
|
|
输入电容Ciss
|
Ciss
|
2200
|
pF
|
VGS=0V,VDS=400V,f=250KHz
|
|
反向传输电容Crss
|
Crss
|
50
|
pF
|
|
输出电容Coss
|
Coss
|
-
|
pF
|
|
总栅电荷Qg
|
QG
|
56
|
nC
|
VDD=400V,ID=15.3A,VGS=10V
|
|
栅源电荷Qgs
|
Qgs
|
13
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷Qgd
|
Qgd
|
28
|
nC
|
九、KLM60R099B开关时序特性参数
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
单位
|
测试条件
|
|
开通延迟时间td(on)
|
td(on)
|
20
|
ns
|
VDS=400V,ID=15.3A,RG=10Ω,VGS=10V
|
|
开通上升时间trise
|
trise
|
10
|
ns
|
|
关断延迟时间td(off)
|
td(off)
|
75
|
ns
|
|
关断下降时间tfall
|
tfall
|
8
|
ns
|
十、KLM60R099B体二极管电气特性
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
Max
|
单位
|
测试条件
|
|
二极管连续正向电流
|
IS
|
-
|
35
|
A
|
MOS内置体二极管
|
|
二极管脉冲正向峰值电流
|
ISM
|
-
|
110
|
A
|
短时脉冲工况
|
|
体二极管正向压降
|
VSD
|
-
|
1.2
|
V
|
IS=21.5A,VGS=0V
|
|
反向恢复时间trr
|
trr
|
139
|
-
|
ns
|
IS=21.5A,VDD=400V,di/dt=100A/μs
|
|
反向恢复电荷Qrr
|
Qrr
|
0.91
|
-
|
μC
|
IS=21.5A,VDD=400V,di/dt=100A/μs
|
十一、KLM60R099B12组特性曲线图完整说明
|
Fig1：导通区输出特性ID-VDS，多栅压VGS对比曲线
|
|
Fig2：转移特性曲线ID-VGS，25℃/150℃温度对比
|
|
Fig3：导通内阻随漏极电流、栅压变化曲线
|
|
Fig4：体二极管正向电压随源极电流、温度变化曲线
|
|
Fig5：Ciss/Coss/Crss电容随漏源电压VDS变化曲线
|
|
Fig6：总栅电荷Qg-VGS充电特性曲线，15.3A测试工况
|
|
Fig7：归一化击穿电压BVdss随结温TJ变化曲线
|
|
Fig8：归一化Rds(on)导通内阻随结温TJ变化曲线
|
|
Fig9：正向偏置安全工作区SOA ID-VDS(不同脉冲时长)
|
|
Fig10：最大连续漏极电流IDmax随外壳温度Tc衰减曲线
|
|
Fig11：单脉冲雪崩能量Eoss随漏源电压VDS变化曲线
|
|
Fig12：结到外壳瞬态热阻抗曲线(多占空比脉冲对比)
|
十二、KLM60R099B三类测试电路与波形说明
|
1. 栅电荷测试电路及VGS-Qg充放电波形图
|
|
2. 电阻负载开关测试电路、开通关断时序波形
|
|
3. 无钳位电感开关雪崩测试电路、VDS/ID雪崩波形
|
|
4. 体二极管反向恢复dv/dt测试电路、电流电压波形
|
十三、文档测试备注说明
十四、KLM60R099B 可直接替代竞品清单（竖排窄幅单列展示）
|
1. 重复额定值：脉冲宽度受器件最高150℃结温限制
|
|
2. 雪崩测试条件：IAS=5.4A,VDD=50V,Rg=25Ω,初始Tj=25℃
|
|
3. di/dt测试工况：ISD≤15.3A,di/dt≤100A/μs,VDD≤400V
|
|
4. 脉冲测试规范：脉宽≤300us，占空比最大2%
|
|
5. 栅电荷特性基本不受工作温度影响
|
|
序号
|
竞品型号
|
封装
|
核心对标差异
|
|
1
|
FCH35N60
|
TO-247
|
Rds(on)120mΩ，内阻更高发热大，雪崩仅140mJ
|
|
2
|
STW35N60M2
|
TO-247
|
Qg达72nC，开关损耗高，进口交期3-6个月
|
|
3
|
IPA35N60N3
|
TO-247
|
dv/dt耐受仅60V/ns，高频易振荡干扰
|
|
4
|
SPP35N60C3
|
TO-247
|
trr 175ns，体二极管反向损耗更大
|
|
5
|
AOTF35S60
|
TO-247
|
单脉冲雪崩能量152mJ，电感受尖峰易击穿
|
|
6
|
FMV35N60
|
TO-247
|
Rds(on)上限118mΩ，满载温升超标
|
|
7
|
NTP35N60
|
TO-247
|
无100%雪崩全检，批量老化故障率偏高
|
|
8
|
IRFP35N60
|
TO-247
|
热阻0.55℃/W，散热性能弱于本品
|
十五、KLM60R099B 官网多场景宣传文案
2.1 Banner首页短标题（≤35字）
|
KLM60R099B TO247 600V35A Super-JMOS，高频高压电源专用MOS
|
2.2 产品详情主介绍文案
|
KIA原厂KLM60R099B为TO-247大功率Super-JMOS N沟道高压MOS，额定600V耐压、35A连续电流。
采用Multi-EPI超结工艺，典型Rds(on)仅90mΩ，搭配低栅电荷Qg=56nC，大幅降低开关与导通损耗。
器件高鲁棒性，优化dv/dt耐受，抑制高频振荡；单脉冲雪崩能量187mJ，抗电感尖峰冲击能力突出。
内置体二极管trr仅139ns，反向损耗更低；出厂100%雪崩能量全检，600V耐压足标无虚标。
适配PFC电源、工业适配器、充电桩、电焊机，可直接替换FCH35N60、STW35N60M2等进口型号，原厂现货稳定供货。
|
2.3 选型列表精简简介（选型页展示）
|
TO-247封装600V/35A超结高压MOS，90mΩ低内阻，187mJ高雪崩耐受，
超快恢复体二极管、高dv/dt抗干扰，适配PFC、充电桩、工业大功率开关电源，国产平替进口600V MOS。
|
2.4 工厂采购批发推广文案
|
大功率高压电源批量选型优选KLM60R099B，国产替代进口TO247 600V MOS。
600V足耐压、35A足电流不虚标，90mΩ低内阻减少整机散热成本，187mJ高雪崩降低售后返修。
TO247通用大功率封装兼容现有PCB产线，器件抗dv/dt不易振荡，RoHS环保合规，原厂长期现货，量大价优，支持免费寄样上机测试。
|
2.5 工程师选型痛点解决方案文案
|
还在困扰高压电源MOS高温发烫、电感浪涌炸管、高频振荡干扰？
KLM60R099B Multi-EPI超结工艺实现90mΩ超低导通内阻，0.48℃/W低热阻散热优秀；
187mJ高雪崩能量抑制关断电感尖峰，100V/ns高dv/dt耐受消除高频振荡，
139ns超快恢复二极管降低反向损耗，35A大电流适配PFC、充电桩、电焊机，完美解决温升超标、高压击穿、EMI干扰难题。
|
十六、KLM60R099B 完整原厂紧凑参数总表
3.1 产品基础订单信息
|
项目
|
参数详情
|
|
完整料号
|
KLM60R099B，丝印60R099B
|
|
品牌厂商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封装形式
|
TO-247 大功率直插功率封装
|
|
器件工艺
|
Multi-EPI Super-JMOS N沟道高压MOSFET
|
|
单管额定规格
|
600V Vds，35A 25℃连续漏极电流
|
|
出厂品质检测
|
100%单脉冲雪崩能量出厂全检
|
|
文档版本
|
Datasheet Rev1.0，2026年4月发布
|
3.2 产品核心特性
|
1. 典型导通内阻Rds(on)=90mΩ@VGS=10V
|
|
2. 低总栅电荷Qg，典型值仅57.7nC，开关损耗更低
|
|
3. 高鲁棒性结构，耐高压浪涌、冲击能力强
|
|
4. 超高速开关特性，适配高频PFC开关电源
|
|
5. 100%雪崩能量全检，批量参数一致性稳定
|
|
6. 优化dv/dt耐受能力，减少高频振荡与EMI干扰
|
3.3 TO-247引脚功能定义
|
引脚序号
|
引脚功能说明
|
|
Pin 1
|
Gate 栅极控制输入引脚
|
|
Pin 2
|
Drain 漏极高压功率引脚
|
|
Pin 3
|
Source 源极低电位功率引脚
|
|
内部结构
|
Super-JMOS高压管并联超快恢复续流体二极管
|
3.4 绝对最大额定值(Tc=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
额定数值
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
VDSS
|
600
|
V
|
|
栅源电压耐受范围
|
VGSS
|
±30
|
V
|
|
25℃连续漏极电流
|
ID
|
35
|
A
|
|
100℃连续漏极电流
|
ID
|
23
|
A
|
|
脉冲峰值漏极电流
|
IDM
|
110
|
A
|
|
单脉冲雪崩能量
|
EAS
|
187
|
mJ
|
|
雪崩峰值电流
|
IAR
|
5.4
|
A
|
|
重复雪崩能量
|
EAR
|
2.6
|
A
|
|
体二极管dv/dt耐受
|
dv/dt
|
50
|
V/ns
|
|
MOS本体dv/dt耐受
|
dv/dt
|
100
|
V/ns
|
|
25℃最大耗散功率
|
PD
|
260
|
W
|
|
高温降额系数
|
-
|
2.08
|
W/℃
|
|
引脚短时焊接温度(5s)
|
TL
|
260
|
℃
|
|
工作/存储温度区间
|
TJ,TSTG
|
-55 ~ +150
|
℃
|
3.5 热特性参数
|
参数名称
|
符号
|
最大值
|
单位
|
|
结到外壳热阻
|
RθJC
|
0.48
|
℃/W
|
|
结到环境热阻
|
RθJA
|
62.5
|
℃/W
|
3.6 静态电气参数(Tc=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
测试条件
|
|
常温漏源击穿电压
|
BVDSS
|
600
|
-
|
-
|
V
|
VGS=0V,ID=1mA
|
|
150℃高温击穿电压
|
BVDSS
|
650
|
-
|
-
|
V
|
Tj=150℃,VGS=0V,ID=1mA
|
|
常温零栅漏电流
|
IDSS
|
-
|
-
|
10
|
μA
|
VDS=600V,VGS=0V
|
|
125℃高温漏电流
|
IDSS
|
-
|
60
|
-
|
μA
|
VDS=480V,Tc=125℃
|
|
栅源漏电流
|
IGSS
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
VGS=±30V,VDS=0V
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(TH)
|
3.0
|
-
|
5.0
|
V
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
|
导通内阻
|
RDS(ON)
|
-
|
90
|
105
|
mΩ
|
VGS=10V,ID=15.3A
|
|
内置栅极电阻
|
RG
|
-
|
1.1
|
-
|
Ω
|
f=1MHz
|
3.7 电容与栅电荷动态参数
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
单位
|
测试条件
|
|
输入电容Ciss
|
Ciss
|
2200
|
pF
|
VGS=0V,VDS=400V,f=250KHz
|
|
反向传输电容Crss
|
Crss
|
50
|
pF
|
|
输出电容Coss
|
Coss
|
-
|
pF
|
|
总栅电荷Qg
|
QG
|
56
|
nC
|
VDD=400V,ID=15.3A,VGS=10V
|
|
栅源电荷Qgs
|
Qgs
|
13
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷Qgd
|
Qgd
|
28
|
nC
|
3.8 开关时序特性参数
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
单位
|
测试条件
|
|
开通延迟时间
|
td(on)
|
20
|
ns
|
VDS=400V,ID=15.3A,RG=10Ω,VGS=10V
|
|
开通上升时间
|
trise
|
10
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(off)
|
75
|
ns
|
|
关断下降时间
|
tfall
|
8
|
ns
|
3.9 体二极管电气特性
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
Max
|
单位
|
测试条件
|
|
二极管连续正向电流
|
IS
|
-
|
35
|
A
|
MOS内置体二极管
|
|
二极管脉冲峰值电流
|
ISM
|
-
|
110
|
A
|
短时脉冲冲击工况
|
|
体二极管正向压降
|
VSD
|
-
|
1.2
|
V
|
IS=21.5A,VGS=0V
|
|
反向恢复时间trr
|
trr
|
139
|
-
|
ns
|
IS=21.5A,VDD=400V,di/dt=100A/μs
|
|
反向恢复电荷Qrr
|
Qrr
|
0.91
|
-
|
μC
|
IS=21.5A,VDD=400V,di/dt=100A/μs
|
3.10 原厂文档备注说明
|
1. 脉冲额定值受器件最高150℃结温限制，不可长期超规使用
|
|
2. 雪崩能量EAS测试条件：IAS=5.4A,Rg=25Ω,初始Tj=25℃
|
|
3. di/dt测试上限：ISD≤15.3A、di/dt≤100A/μs、VDD≤400V
|
|
4. 脉冲测试规范：脉宽≤300us，最大占空比2%
|
|
5. 栅电荷参数基本不受环境工作温度影响
|
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
