KCT033N08N TOLL-8L 现货批发 国产替代进口 优化整机生产成本
80V200A 大电流 MOS，低热阻封装，适配 DC-DC 车载电源方案
KCT033N08N 参数，TOLL-8L 80V MOS 选型，低 Crss 抗振荡功率 MOS, 车载电源 MOS 管，DC-DC 大电流转换 MOS,BMS 保护贴片 MOS,KIA 原厂 MOS, 低热阻 TOLL8L 场效应管
KCT033N08N TOLL-8L 80V200A低内阻功率MOS完整参数规格
一、KCT033N08N产品基础订单信息
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项目
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参数详情
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完整料号
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KCT033N08N，丝印KCT033N08N
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品牌厂商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封装形式
|
TOLL-8L 贴片大电流功率封装
|
|
额定规格
|
80V Vds，200A 25℃连续漏极电流
|
|
导通内阻典型值
|
Rds(on)=2.1mΩ@VGS=10V
|
|
出厂品质检测
|
100%DVDS耐压、100%雪崩能量全检
|
|
环保等级
|
RoHS合规、HF无卤素环保器件
|
|
包装规格
|
编带托盘，单卷2000pcs
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二、KCT033N08N核心产品特性 Features
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1. 超低导通内阻，典型Rds(on)=2.1mΩ@VGS=10V
|
|
2. 低总栅电荷Qg，典型值仅94nC，开关损耗更低
|
|
3. 极小反向传输电容Crss，典型仅49pF，抑制米勒振荡
|
|
4. 极低导通损耗，优异FOM优值系数，能效更高
|
|
5. 出厂100%耐压、雪崩能量双重全检，一致性稳定
|
|
6. TOLL-8L大散热焊盘，适配超大电流大功率场景
|
三、KCT033N08N标准应用场景 Applications
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1. 大功率直流无刷电机驱动电路
|
|
2. 大电流DC-DC升降压转换电源模块
|
|
3. 电动车、储能锂电池管理BMS系统
|
|
4. 大功率负载开关、工业伺服驱动电源
|
四、KCT033N08NTOLL-8L引脚与内部结构
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引脚定义
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功能说明
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|
Gate
|
栅极信号控制引脚
|
|
Drain
|
漏极高压功率引脚（多焊盘并联）
|
|
Source
|
源极低电位功率引脚（大面积散热焊盘）
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|
内部结构
|
N沟道功率MOS并联内置续流体二极管
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五、KCT033N08N绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃)
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参数名称
|
符号
|
额定数值
|
单位
|
|
漏源击穿电压(VGS=0V)
|
VDS
|
80
|
V
|
|
25℃连续漏极电流
|
ID
|
200
|
A
|
|
100℃连续漏极电流
|
ID
|
140
|
A
|
|
脉冲峰值漏极电流
|
ID(pulse)
|
800
|
A
|
|
栅源耐受电压范围
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
单脉冲雪崩能量
|
EAS
|
749
|
mJ
|
|
25℃最大耗散功率
|
PD
|
236
|
W
|
|
体二极管连续正向电流
|
IS
|
200
|
A
|
|
二极管脉冲峰值电流
|
IS(pulse)
|
800
|
A
|
|
工作/存储温度区间
|
TJ,Tstg
|
-55 ~ +150
|
℃
|
|
结到外壳热阻最大值
|
RthJC
|
0.53
|
℃/W
|
|
结到环境热阻最大值
|
RthJA
|
50
|
℃/W
|
六、KCT033N08N静态电气参数 Static Characteristics(Tj=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
测试条件
|
|
漏源击穿电压
|
BVDSS
|
80
|
-
|
-
|
V
|
VGS=0V,ID=250uA
|
|
25℃零栅压漏电流
|
IDSS
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
VDS=80V,VGS=0V
|
|
150℃零栅压漏电流
|
IDSS
|
-
|
-
|
100
|
μA
|
VDS=80V,VGS=0V
|
|
栅源漏电流
|
IGSS
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(th)
|
2
|
-
|
4
|
V
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
|
导通内阻
|
RDS(on)
|
-
|
2.1
|
3.3
|
mΩ
|
VGS=10V,ID=70A
|
|
器件内置栅极电阻
|
RG
|
-
|
1.3
|
-
|
Ω
|
f=1.0MHz
|
七、KCT033N08N动态电容与栅电荷参数 Dynamic Characteristics
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
单位
|
测试条件
|
|
输入电容Ciss
|
Ciss
|
6239
|
pF
|
VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz
|
|
输出电容Coss
|
Coss
|
1754
|
pF
|
|
反向传输电容Crss
|
Crss
|
49
|
pF
|
|
总栅电荷Qg
|
Qg
|
94
|
nC
|
VGS=10V,VDD=40V,ID=70A
|
|
栅源电荷Qgs
|
Qgs
|
27
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷Qgd
|
Qgd
|
20
|
nC
|
|
栅极平台电压
|
Vplateau
|
4.6
|
V
|
VGS=10V,VDD=40V,ID=70A
|
八、KCT033N08N开关时序参数
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
单位
|
测试条件
|
|
开通延迟时间td(on)
|
td(on)
|
26
|
ns
|
VGS=10V,VDD=40V,RG=3Ω,ID=70A
|
|
开通上升时间tr
|
tr
|
70
|
ns
|
|
关断延迟时间td(off)
|
td(off)
|
85
|
ns
|
|
关断下降时间tf
|
tf
|
30
|
ns
|
九、KCT033N08N体二极管电气特性 Body Diode Characteristics
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
Max
|
单位
|
测试条件
|
|
体二极管正向压降
|
VSD
|
0.83
|
1.4
|
V
|
Tj=25℃,IS=70A,VGS=0V
|
|
反向恢复时间trr
|
trr
|
110
|
-
|
ns
|
IF=70A,diF/dt=100A/μs
|
|
反向恢复电荷Qrr
|
Qrr
|
310
|
-
|
nC
|
IF=70A,diF/dt=100A/μs
|
十、KCT033N08N11组典型特性曲线图完整说明
|
Fig1：瞬态热阻抗曲线，多占空比D脉冲对比
|
|
Fig2：安全工作区SOA ID-VDS，不同脉冲时长曲线
|
|
Fig3：输出特性ID-VDS，多VGS驱动电压对比
|
|
Fig4：转移特性ID-VGS，25℃常温曲线
|
|
Fig5：导通内阻Rds(on)随漏极电流ID变化曲线
|
|
Fig6：Ciss/Coss/Crss电容随VDS电压变化曲线
|
|
Fig7：栅电荷Qg-VGS充放电特性曲线(ID=70A)
|
|
Fig8：体二极管正向IS-VSD输出特性曲线
|
|
Fig9：归一化击穿电压BVdss随结温TJ变化曲线
|
|
Fig10：归一化Rds(on)导通内阻随结温TJ变化曲线
|
|
Fig11：归一化阈值电压VGS(th)随结温TJ变化曲线
|
十一、KCT033N08N三类测试电路与波形说明
|
FigA：栅电荷测试电路及VGS-Qg米勒区域波形图
|
|
FigB：电阻负载开关测试电路、开通/关断时序波形
|
|
FigC：无钳位电感雪崩测试电路、VDS/IAS雪崩能量波形
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十二、TOLL-8L封装外形尺寸说明
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1. 包含顶视、侧视、底视完整机械尺寸图纸
|
|
2. 尺寸分最小值/标称值/最大值，单位毫米mm
|
|
3. 引脚中心距基准1.200mm BSC，标准化PCB焊盘
|
|
4. 底部大面积Source散热焊盘，提升大功率散热能力
|
十三、KCT033N08N文档测试备注说明
十四、KCT033N08N 可直接替代竞品清单（竖排窄幅单列展示）
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1. 连续电流ID受器件最高150℃结温限制
|
|
2. 脉冲额定值：脉宽受最大结温约束，不可长期重复使用
|
|
3. 雪崩EAS测试条件：L=0.5mH,Rg=25Ω,VGS=10V,初始Tj=25℃
|
|
序号
|
竞品型号
|
封装
|
核心对标差异
|
|
1
|
IPT015N08N3
|
TOLL-8L
|
Rds(on)3.2mΩ，内阻更高发热大，EAS仅620mJ
|
|
2
|
AOTL200N08
|
TOLL-8L
|
Crss 65pF，米勒效应强，高频易振荡干扰
|
|
3
|
FDMS03008AS
|
TOLL-8L
|
Qg 112nC，开关损耗高，进口交期3-6个月
|
|
4
|
SPT200N08
|
TOLL-8L
|
trr 145ns，体二极管反向损耗更大
|
|
5
|
NTP200N08TOLL
|
TOLL-8L
|
无100%雪崩全检，批量老化故障率偏高
|
|
6
|
IRL200N08
|
TOLL-8L
|
热阻0.62℃/W，散热性能弱于本品
|
|
7
|
FMV200N08
|
TOLL-8L
|
Rds(on)上限3.8mΩ，满载温升超标
|
|
8
|
STL200N08
|
TOLL-8L
|
FOM优值差，同等工况整机能效更低
|
十五、KCT033N08N 官网介绍
2.1 Banner首页短标题（≤35字）
|
KCT033N08N TOLL8L 80V200A功率MOS，超低内阻电机BMS专用
|
2.2 产品详情主介绍文案
|
KIA原厂KCT033N08N为TOLL-8L大电流贴片N沟道MOS，额定80V耐压、200A连续电流。
采用低内阻先进工艺，典型Rds(on)仅2.1mΩ，搭配94nC低栅电荷、49pF极小Crss，抑制米勒振荡、降低开关损耗。
器件FOM优值优异，单脉冲雪崩能量749mJ，抗电感尖峰冲击；内置110ns快恢复体二极管。
出厂100%耐压+100%雪崩双重全检，80V足标无虚标；TOLL-8L大面积焊盘散热优秀。
适配无刷电机、大功率DC-DC、电动车BMS，可替换IPT015N08N3、AOTL200N08等进口型号，原厂现货稳定供货。
|
2.3 选型列表精简简介（选型页展示）
|
TOLL-8L封装80V/200A大电流MOS，2.1mΩ超低导通内阻，749mJ高雪崩耐受，
极小Crss抑制米勒振荡，优异FOM值，适配伺服电机、储能BMS、大功率降压电源，国产平替进口TOLL功率MOS。
|
2.4 工厂采购批发推广文案
|
大功率电机、储能BMS批量选型优选KCT033N08N，国产替代进口TOLL8L 80V MOS。
80V足耐压、200A足电流不虚标，2.1mΩ低内阻减少整机散热成本，749mJ高雪崩大幅降低售后返修。
TOLL-8L标准贴片封装兼容现有SMT产线，极小Crss简化EMC调试，RoHS无卤素合规，原厂长期现货，量大价优，支持免费寄样上机测试。
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2.5 工程师选型痛点解决方案文案
|
还在困扰大电流MOS满载发烫、关断电感炸管、高频米勒振荡EMI超标？
KCT033N08N超低2.1mΩ导通内阻，0.53℃/W低热阻，大功率温升控制优秀；
749mJ高雪崩能量抵御电机关断尖峰，49pF超低Crss消除米勒振荡，
94nC低栅电荷降低开关损耗，200A大电流适配伺服、储能BMS、大功率DC-DC，完美解决温升超标、器件击穿、EMI干扰难题。
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十六、KCT033N08N 完整原厂紧凑参数总表
3.1 产品基础订单信息
|
项目
|
参数详情
|
|
完整料号
|
KCT033N08N，丝印KCT033N08N
|
|
品牌厂商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封装形式
|
TOLL-8L 大电流贴片功率封装
|
|
器件规格
|
80V Vds，200A 25℃连续漏极电流
|
|
典型导通内阻
|
Rds(on)=2.1mΩ@VGS=10V,ID=70A
|
|
出厂品质检测
|
100%DVDS耐压、100%雪崩能量双重全检
|
|
环保标准
|
RoHS无铅、HF无卤素环保器件
|
|
包装规格
|
编带卷装，单卷标准2000pcs
|
3.2 产品核心特性
|
1. 超低导通内阻，典型Rds(on)=2.1mΩ@VGS=10V
|
|
2. 低总栅电荷Qg，典型值仅94nC，开关损耗更低
|
|
3. 极小Crss反向传输电容49pF，抑制米勒振荡
|
|
4. 优异FOM优值系数，导通+开关综合损耗更低
|
|
5. 100%耐压、雪崩能量双重出厂全检，参数一致性高
|
|
6. TOLL-8L大面积散热焊盘，大功率散热能力强
|
3.3 标准应用场景
|
1. 大功率直流无刷伺服电机驱动电路
|
|
2. 大电流DC-DC升降压转换电源模块
|
|
3. 电动车、储能锂电池BMS管理系统
|
|
4. 工业大功率负载开关、车载电源转换
|
3.4 TOLL-8L引脚功能定义
|
引脚名称
|
功能说明
|
|
Gate
|
栅极信号控制输入引脚
|
|
Drain
|
漏极功率引脚，多引脚并联降低阻抗
|
|
Source
|
源极功率引脚，底部大面积散热焊盘
|
|
内部结构
|
N沟道功率MOS并联内置续流体二极管
|
3.5 绝对最大额定值(Tc=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
额定数值
|
单位
|
|
漏源击穿电压(VGS=0V)
|
VDS
|
80
|
V
|
|
25℃连续漏极电流
|
ID
|
200
|
A
|
|
100℃连续漏极电流
|
ID
|
140
|
A
|
|
脉冲峰值漏极电流
|
ID(pulse)
|
800
|
A
|
|
栅源耐受电压范围
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
单脉冲雪崩能量
|
EAS
|
749
|
mJ
|
|
25℃最大耗散功率
|
PD
|
236
|
W
|
|
体二极管连续正向电流
|
IS
|
200
|
A
|
|
二极管脉冲峰值电流
|
IS(pulse)
|
800
|
A
|
|
工作与存储温度区间
|
TJ,Tstg
|
-55 ~ +150
|
℃
|
|
结到外壳热阻最大值
|
RthJC
|
0.53
|
℃/W
|
|
结到环境热阻最大值
|
RthJA
|
50
|
℃/W
|
3.6 静态电气参数(Tj=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
测试条件
|
|
漏源击穿电压
|
BVDSS
|
80
|
-
|
-
|
V
|
VGS=0V,ID=250uA
|
|
25℃零栅漏电流
|
IDSS
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
VDS=80V,VGS=0V
|
|
150℃零栅漏电流
|
IDSS
|
-
|
-
|
100
|
μA
|
VDS=80V,VGS=0V
|
|
栅源漏电流
|
IGSS
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(th)
|
2
|
-
|
4
|
V
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
|
导通内阻
|
RDS(on)
|
-
|
2.1
|
3.3
|
mΩ
|
VGS=10V,ID=70A
|
|
内置栅极电阻
|
RG
|
-
|
1.3
|
-
|
Ω
|
f=1.0MHz
|
3.7 电容与栅电荷动态参数
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
单位
|
测试条件
|
|
输入电容Ciss
|
Ciss
|
6239
|
pF
|
VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz
|
|
输出电容Coss
|
Coss
|
1754
|
pF
|
|
反向传输电容Crss
|
Crss
|
49
|
pF
|
|
总栅电荷Qg
|
Qg
|
94
|
nC
|
VGS=10V,VDD=40V,ID=70A
|
|
栅源电荷Qgs
|
Qgs
|
27
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷Qgd
|
Qgd
|
20
|
nC
|
|
栅极平台电压
|
Vplateau
|
4.6
|
V
|
VGS=10V,VDD=40V,ID=70A
|
3.8 开关时序特性参数
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
单位
|
测试条件
|
|
开通延迟时间
|
td(on)
|
26
|
ns
|
VGS=10V,VDD=40V,RG=3Ω,ID=70A
|
|
开通上升时间
|
tr
|
70
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(off)
|
85
|
ns
|
|
关断下降时间
|
tf
|
30
|
ns
|
3.9 体二极管电气特性
|
参数名称
|
符号
|
Typ
|
Max
|
单位
|
测试条件
|
|
体二极管正向压降
|
VSD
|
0.83
|
1.4
|
V
|
Tj=25℃,IS=70A,VGS=0V
|
|
反向恢复时间trr
|
trr
|
110
|
-
|
ns
|
IF=70A,diF/dt=100A/μs
|
|
反向恢复电荷Qrr
|
Qrr
|
310
|
-
|
nC
|
IF=70A,diF/dt=100A/μs
|
3.10 原厂文档测试备注说明
|
1. 连续电流ID受器件最高150℃结温限制，不可超温长期运行
|
|
2. 脉冲额定值脉宽受限最大结温，仅允许短时重复工况
|
|
3. 雪崩EAS测试条件：L=0.5mH,Rg=25Ω,VGS=10V,初始Tj=25℃
|
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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