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KIA KCT010N04N 功率 TOLL8L 封装 0.85mΩ 低内阻新能源专用

信息来源：本站　日期：2026-06-18　

KIA KCT010N04N 功率 MOS 管 TOLL8L 封装 0.85mΩ 低内阻新能源专用

极低导通电阻，单颗 395A 免多并联，降低 BOM 成本

KCT010N04N

KCT010N04N、KIA KCT010N04N、TOLL-8L MOS 管、40V 大电流 MOS 管、0.85mΩ 低内阻 MOS 管


KCT010N04N 参数规格表

一、KCT010N04N产品基础概述 KCT010N04N（KIA TOLL-8L N沟道MOS管）

项目 参数详情
型号 KCT010N04N
品牌 KIA KMOS Semiconductor
封装 TOLL-8L
包装方式 Tape&Reel 编带卷装
每卷数量 2000pcs
丝印标记 KCT010N04N
环保认证 RoHS、无卤HF
出厂测试 100% DVDS、100%雪崩Avalanche测试

二、KCT010N04N核心产品概要参数

参数符号 参数值 单位
VDS 漏源耐压 40 V
RDS(on) 典型导通电阻 0.85 mΩ
ID 连续漏极电流 395 A

三、KCT010N04N产品特性 Features

1 RDS(on) typ=0.85mΩ@VGS=10V
2 低栅极电荷 Qg典型145nC
3 低反向传输电容Crss典型108pF
4 极低导通电阻
5 优异FoM品质因数
6 100% UIS、Rg栅阻全检测试

四、KCT010N04N典型应用场景 Applications

1 电机驱动 Motor Driver
2 DC/DC开关电源转换器
3 BMS电池管理系统

五、KCT010N04N绝对最大额定值 TC=25℃

参数名称 符号 条件 数值 单位
漏源耐压 VDS VGS=0V 40 V
连续漏极电流ID ID TC=25℃ 395 A
连续漏极电流ID ID TC=100℃ 276 A
脉冲漏极电流 ID(pulse) 脉冲工况 1580 A
栅源电压 VGS - ±20 V
单脉冲雪崩能量 EAS L=0.5mH,25℃ 1369 mJ
最大耗散功率 PD - 272 W
体二极管连续正向电流 IS - 395 A
二极管脉冲电流 IS(pulse) - 1580 A
结温/存储温度 TJ,Tstg - -55~+150 ℃
结到外壳热阻 RthJC - 0.46 ℃/W
结到环境热阻 RthJA - 45 ℃/W
注释：1)受最大结温限制；2)脉冲宽度受结温限制；3)雪崩测试条件L=0.5mH

六、KCT010N04N静态电气特性 TJ=25℃

参数名称 符号 测试条件 Min Typ Max 单位
漏源击穿电压 V(BR)DSS VGS=0V,ID=250uA 40 - - V
零栅漏电流 IDSS VDS=40V,TJ=25℃ - - 1 uA
零栅漏电流 IDSS VDS=40V,TJ=150℃ - - 100 uA
栅源漏电流 IGSS VGS=±20V - - ±100 nA
栅源开启电压 VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA 2 - 4 V
导通电阻 RDS(on) VGS=10V,ID=70A - 0.85 1 mΩ
栅极内阻 RG f=1.0MHz - 2 - Ω

七、KCT010N04N动态开关电容&栅电荷特性

参数名称 符号 测试条件 典型值 单位
输入电容 Ciss VGS=0V,VDS=20V,f=1MHz 8780 pF
输出电容 Coss 3429 pF
反向传输电容 Crss 108 pF
总栅电荷 Qg VGS=10V,VDD=20V,ID=70A 145 nC
栅源电荷 Qgs 35 nC
栅漏米勒电荷 Qgd 30 nC
米勒平台电压 VPlateau - 4.2 V

八、KCT010N04N开关时间参数

参数名称 符号 测试条件 典型值 单位
开通延迟时间 td(on) VGS=10V,VDD=20V,ID=70A,RG=1.6Ω 32 ns
上升时间 tr 65 ns
关断延迟时间 td(off) 75 ns
下降时间 tf 40 ns

九、KCT010N04N体二极管特性

参数名称 符号 测试条件 典型值 单位
体二极管正向压降 VSD VGS=0V,IS=70A,TJ=25℃ 1.2 V
反向恢复时间 trr IF=70A,dIF/dt=100A/us 68 ns
反向恢复电荷 Qrr 120 nC

十、KCT010N04NTOLL-8L封装尺寸（单位mm）

符号 Min Nom Max 备注
A 2.200 2.300 2.400 -
A1 1.700 1.800 1.900 -
B 0.700 0.800 0.900 -
B1 9.700 9.800 9.900 -
B2 1.100 1.200 1.300 -
C 0.400 0.500 0.600 -
D 10.300 10.400 10.500 -
D1 11.000 11.100 11.200 -
D2 3.200 3.300 3.400 -
D3 4.470 4.570 4.670 -
E 9.800 9.900 10.000 -
E1 8.000 8.100 8.200 -
E2 0.500 0.600 0.700 -
e 1.200 BSC 引脚间距基准
H 11.600 11.700 11.800 -
H1 6.950 BSC -
H2 5.900 BSC -
I 0.050 0.100 0.150 -
J 0.350 REF. 参考尺寸
K 3.100 REF. 参考尺寸
L 1.550 1.650 1.750 -
L1 0.600 0.700 0.800 -
L2 0.500 0.600 0.700 -
L3 0.400 0.500 0.600 -
Q 8.000 REF. 焊盘参考
R 3.000 3.100 3.200 -
a 10° REF. 倒角角度

十一、KCT010N04N配套测试电路说明（文档包含三类测试原理图）

图A 栅电荷Gate Charge测试电路+波形
图B 电阻性开关Resistive Switch测试电路+波形
图C 非钳位电感UIS雪崩测试电路+波形

十二、KCT010N04N特性曲线图汇总（文档内置11组典型曲线）

十三、KCT010N04N 同规格竞品清单（竖排窄条展示）

图1 瞬态热阻抗 ZthJC-脉冲宽度Tp
图2 SOA安全工作区 ID-VDS
图3 输出特性 ID-VDS（VGS=5V/10V/4.5V）
图4 转移特性 ID-VGS 25℃
图5 导通电阻RDS(on)-漏极电流ID
图6 电容Ciss/Coss/Crss随VDS变化曲线
图7 栅电荷曲线 VGS-Qg（ID=70A）
图8 体二极管正向伏安特性 IS-VSD
图9 击穿电压V(BR)DSS随结温TJ变化
图10 RDS(on)导通电阻随结温TJ变化
图11 开启电压VGS(th)随结温TJ变化

KCT010N04N


序号 40V大电流TOLL-8L竞品型号
1 IRFP4004
2 NTP4004NG
3 BSC010N04LSG
4 IPD010N04L4
5 PMV40U010
6 FDMS01004AS
7 TPC8004
8 SI7488DP
9 DMTH40M010
10 AOTL40010
11 SIR4004DP
12 WSD010N04
十四、KCT010N04N 官网宣传文案（分3套适配不同板块）
文案板块 宣传内容
首页主推短文案 KIA KCT010N04N 40V超低阻功率MOS管
TOLL-8L大电流封装，Rds(on)仅0.85mΩ
395A持续电流，适配BMS/电机驱动/DC-DC
产品详情专业文案 广东可易亚KIA KCT010N04N，TOLL-8L N沟道功率MOS器件，40V耐压，典型导通电阻低至0.85mΩ，395A超大连续载流。采用低Qg、低Crss工艺，开关损耗大幅降低，FoM品质因数行业优异；出厂100%UIS雪崩、Rg全检，可靠性拉满。适配新能源电池管理、工业电机驱动、大功率DC-DC电源方案，支持高密度贴装，RoHS无卤环保。
技术优势短句卖点 1. 0.85mΩ极低导通电阻，发热更少
2. 低栅电荷145nC，高频开关效率高
3. TOLL-8L散热封装，395A大电流承载
4. 100%雪崩UIS全检，抗冲击稳定性强
5. 低反向电容Crss=108pF，降低开关损耗
6. -55~150℃宽温，工业新能源通用
应用场景宣传语 新能源BMS电池管理系统
大功率工业电机驱动控制器
车载/储能DC-DC升降压转换器
大功率快充、储能逆变电源设备
十五、KCT010N04N 核心规格总览（紧凑参数表）
参数项 符号 规格值 单位
漏源额定耐压 VDS 40 V
典型导通电阻 Rds(on) 0.85 mΩ
25℃连续漏电流 ID 395 A
脉冲峰值电流 ID(pulse) 1580 A
总栅极电荷 Qg 145 nC
反向传输电容 Crss 108 pF
封装形式 - TOLL-8L -
单脉冲雪崩能量 EAS 1369 mJ
最大耗散功率 Pd 272 W
工作温度范围 TJ -55~+150 ℃
出厂检测标准 - 100%UIS、100%雪崩测试 -
环保标准 - RoHS、无卤HF -
包装规格 - 编带卷装，2000pcs/卷 -


座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）

联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KCT010N04N

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