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KGB10N65A 10N65A 贴片 IGBT TO263 可替代 FGA10N65TF

信息来源：本站　日期：2026-06-18　

KIA KGB10N65A 10N65A 贴片 IGBT TO263 可替代 FGA10N65TF 开关管

低 VCE (sat) 导通损耗小，内置续流二极管省外围器件

KGB10N65A

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KGB10N65A(10N65A) IGBT完整规格参数表

一、产品基础信息 KGB10N65A（简称10N65A TO-263 IGBT）
项目 参数详情
完整料号 KGB10N65A
简称型号 10N65A
品牌厂商 KIA KMOS Semiconductor
器件类型 硅功率IGBT内置续流二极管
封装形式 TO-263
核心规格 10A 650V
版本日期 Rev 1.0 2026年5月
二、引脚定义 Pin配置
引脚序号 引脚功能
1 G 栅极 Gate
2 C 集电极 Collector
3 E 发射极 Emitter
三、产品核心特性 Features
1 Ic=1A VGE=15V VCE(sat)典型0.843V
2 Ic=5A VGE=15V VCE(sat)典型1.14V
3 Ic=10A VGE=15V VCE(sat)典型1.395V
四、静态电气特性 Ta=25℃
参数名称 符号 测试条件 Min Typ Max 单位
接触压降 CONT Ib=1.00mA 0 2.675 200 mV
栅正向漏电流 IGES(+) VGS=+30.0V - -1.408 100 nA
栅反向漏电流 IGES(-) VGS=-30.0V - -0.587 -100 nA
300V集电极漏流 ICES(300V) VDS=300V,VGS=0V - 0.001 2 μA
650V集电极漏流 ICES(650V) VDS=650V,VGS=0V - 0.003 2 μA
击穿电压(250μA) BVCES(250μA) VGS=0V,Ic=250μA 680 726.46 800 V
击穿电压(1mA) BVCES(1mA) VGS=0V,Ic=1mA 680 728.14 800 V
击穿电压差值 ΔBVCES BV(1mA)-BV(250μA) - 1.68 30 V
二极管正向压降5A VFSD(5A) Is=5.00A 1.3 1.45 1.65 V
二极管正向压降10A VFSD(10A) Is=10.0A 1.3 1.748 1.85 V
开启电压(250μA) VGETH(250μA) VDS=VGS,Ic=250μA 3.9 4.398 6 V
开启电压(1mA) VGETH(1mA) VDS=VGS,Ic=1mA 4.4 4.94 6 V
饱和压降Ic=1A VCE(SAT)(1A) VGS=15V,Ic=1A 0.2 0.843 1.8 V
饱和压降Ic=5A VCE(SAT)(5A) VGS=15V,Ic=5A 0.2 1.14 1.8 V
饱和压降Ic=10A VCE(SAT)(10A) VGS=15V,Ic=10A 0.2 1.395 1.8 V
五、动态电容特性 Ta=25℃ f=1MHz
参数名称 符号 测试条件 Min Typ Max 单位
栅极内阻 RG2 DC Bias=0V AC=0.2V 2 7.494 10 Ω
输入电容 CISS2 DC Bias=25V AC=0.2V 350 895 10000 pF
输出电容 COSS2 DC Bias=25V AC=0.2V 20 20 10000 pF
反向传输电容 CRSS2 DC Bias=25V AC=0.2V - 1 10000 pF
六、开关特性 Ta=25℃ 双脉冲测试
参数名称 符号 典型值 单位
开通延迟时间 td(on) 17.1 ns
上升时间 tr 142 ns
关断延迟时间 td(off) 123.4 ns
下降时间 tf 18.2 ns
开通损耗 Eon 0.75 mJ
关断损耗 Eoff 0.175 mJ
关断电压尖峰 VcePeak 600 V
开关电压变化率 dv/dt 0.4~0.6 V/ns
反向恢复峰值电流 Irr 15 A
反向恢复电荷 Qrr 2.5~3.3 μC
七、文档全部特性曲线汇总（共22组）
图号 曲线名称说明
Figure1 TO263正向偏置安全工作区SOA
Figure2 功耗与外壳温度关系曲线
Figure3 集电极电流随外壳温度变化
Figure4 Tj=25℃输出特性Ic-Vce
Figure5 Tj=175℃输出特性Ic-Vce
Figure6 转移特性Ic-VGE(25℃/175℃对比)
Figure7 栅极阈值电压随结温变化
Figure8 饱和压降VCE(sat)随结温变化
Figure9 续流二极管正向电流-正向电压
Figure10 开关时间与栅极电阻关系
Figure11 开关损耗Ets/Eon/Eoff与栅阻曲线
Figure12 开关时间随结温变化曲线
Figure13 开关损耗随结温变化曲线
Figure14 开关时间与集电极电流Ic关系
Figure15 开关损耗随集电极电流Ic变化
Figure16 开关时间随VCE集射电压变化
Figure17 开关损耗随VCE集射电压变化
Figure18 不同VCE下栅电荷VGE-Qg曲线
Figure19 输入/输出/反向传输电容C-VCE
Figure20 IGBT瞬态热阻抗-脉冲宽度 RthJC=1.1℃/W
Figure22 二极管瞬态热阻抗-脉冲宽度 RthJC=2.1℃/W
八、测试电路分类说明
1 正向偏置安全工作区测试电路
2 双脉冲开关损耗、开关时间测试电路
3 栅电荷、极间电容测试电路
4 瞬态热阻抗脉冲热阻测试电路
5 体二极管正向伏安特性测试电路
测试统一条件：VCE=400V VGE=15V Ic=15A Tj=25℃(未标注温度时)
九、KGB10N65A TO-263封装竞品清单（竖排窄条展示）

KGB10N65A


序号 650V 10A TO-263贴片IGBT竞品型号
1 FGA10N65TF
2 SGW10N65
3 IGW10N65T
4 FGH10N60SFD
5 STGW10NC60HD
6 IRG10N60B
7 GT10J603
8 MBQ10N65A
9 IPW10R60P
10 HGTG10N60A4D
11 FGW10N65
12 SL10N65
十、KGB10N65A 官网全套宣传文案（分4板块）
文案板块 宣传内容
首页短引流标题 KGB10N65A TO-263 650V10A贴片IGBT
低饱和压降 内置续流二极管开关管
产品详情专业介绍 KIA原厂KGB10N65A贴片IGBT，TO-263贴片封装，耐压650V，额定集电极电流10A，搭配集成快恢复续流二极管。饱和压降最低0.843V，开关损耗低，高温工况稳定性强，栅极参数均衡，适配小功率开关电源、适配器、变频控制方案，国产替代进口IGBT优选，批量现货可试样。
核心卖点短句 1. 低VCE(sat)导通损耗小，整机温升更低
2. TO-263贴片封装，SMT自动化贴装高效
3. 内置快恢复二极管，省去外围续流器件
4. 650V高耐压，抗电网浪涌冲击能力强
5. 25~175℃宽温稳定，工业家电通用
6. 开关速度均衡，EMI干扰易整改
适配应用领域 小家电开关电源、LED驱动电源
笔记本/充电器适配器、变频风机驱动
小型逆变焊机、车载低压逆变模块
工控小功率电源、光伏微型逆变器
十一、KGB10N65A 核心规格总览（紧凑参数表）
参数项 符号 规格值 单位
型号全称 - KGB10N65A -
封装 - TO-263贴片 -
集射极耐压 BVces 680~800(典型726) V
额定集电极电流 Ic 10 A
Ic=1A饱和压降 VCE(sat) 0.843(典型) V
内置二极管正向压降 VFSD 1.748(10A典型) V
开通损耗典型值 Eon 0.75 mJ
关断损耗典型值 Eoff 0.175 mJ
工作结温范围 Tj 25~175 ℃
器件结构 - IGBT集成快恢复续流二极管 -


座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）

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KGB10N65A

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