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KIA50L06TD TO-252-4 60V N+P 双沟道 MOS 管 48A/49A

信息来源：本站　日期：2026-06-22　

KIA50L06TD TO-252-4 60V N+P 双沟道 MOS 管 48A/49A 低内阻替代料、

单颗集成 N/P 沟道，13.5mΩ 超低导通内阻，100% 雪崩测试，兼容 AOD506

KIA50L06TD

KIA50L06TD、50L06T、TO-252-4 MOS 管、60V N+P 双沟道 MOSFET

KIA50L06T MOS管参数表

一、KIA50L06TD基础产品信息

项目 参数
型号 KIA50L06T（料号KIA50L06TD）
封装 TO-252-4
品牌 KIA KMOS Semiconductor
产品类型 N+P双通道沟槽功率MOSFET
耐压规格 N沟60V / P沟-60V
标称电流 N沟48A / P沟-49A

二、KIA50L06TD引脚定义

引脚 功能
G1、G2 栅极 Gate
D1、D2 漏极 Drain
S1、S2 源极 Source

三、KIA50L06TD产品核心特性

1.N沟Rds(on)典型13.5mΩ@VGS=10V
2.P沟Rds(on)典型19.5mΩ@VGS=10V
3.低栅极电荷、开关速度快
4.100%雪崩能量测试合格
5.导通损耗低

四、KIA50L06TD绝对最大额定值（Tj=25℃）

参数名称 符号 N沟MOS P沟MOS 单位
漏源击穿电压 Vdss 60 -60 V
栅源电压 Vgss ±20 ±20 V
连续漏极电流Tc=25℃ Id 48 -49 A
连续漏极电流Tc=100℃ Id 30 -31.1 A
脉冲漏极电流 Idm 191 -197 A
单脉冲雪崩能量 Eas 42 156 mJ
最大耗散功率Tc=25℃ Pd 79 95 W
引脚焊接最高温度5秒 Tl 260 ℃
结温/存储温度范围 Tj、Tstg -55 ~ +150 ℃

五、KIA50L06TD热学参数

参数名称 符号 N沟MOS P沟MOS 单位
结到环境热阻 Rθja 62 62 ℃/W
结到外壳热阻 Rθjc 1.59 1.32 ℃/W

六、KIA50L06TD N沟道电气特性（Tj=25℃）

参数名称 符号 测试条件 Min Typ Max 单位
漏源击穿电压 Bvdss Vgs=0V,Id=250uA 60 - - V
零栅极漏电流 Idss Vds=60V,Vgs=0V - - 1 uA
栅源漏电流 Igss Vgs=±20V,Vds=0V - - ±100 nA
栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs,Id=250uA 1.0 1.6 2.2 V
导通电阻 Rds(on) Vgs=10V,Id=15A - 13.5 16.5 mΩ
导通电阻 Rds(on) Vgs=4.5V,Id=10A - 17.0 21.5 mΩ
栅极电阻 Rg f=1MHz,漏极开路 - 2.3 - Ω
输入电容 Ciss Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz - 2298 - pF
输出电容 Coss Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz - 95 - pF
反向传输电容 Crss Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz - 86 - pF
开通延迟时间 td(on) Vdd=50V,Id=50A,Rg=3Ω,Vgs=10V - 9 - nS
上升时间 tr Vdd=50V,Id=50A,Rg=3Ω,Vgs=10V - 15 - nS
关断延迟时间 td(off) Vdd=50V,Id=50A,Rg=3Ω,Vgs=10V - 34 - nS
下降时间 tf Vdd=50V,Id=50A,Rg=3Ω,Vgs=10V - 7 - nS
总栅极电荷 Qg Vdd=50V,Id=50A,Vgs=0→10V - 45 - nC
栅源电荷 Qgs Vdd=50V,Id=50A,Vgs=0→10V - 6 - nC
栅漏电荷 Qgd Vdd=50V,Id=50A,Vgs=0→10V - 12 - nC
栅极平台电压 Vplateau Vdd=50V,Id=50A,Vgs=0→10V - 2.9 - V
二极管连续正向电流 Is -- - - 48 A
二极管脉冲电流 Ism -- - - 191 A
二极管正向压降 Vsd If=15A,Vgs=0V - 0.85 1.0 V
反向恢复时间 trr Vr=50V,If=50A,di/dt=100A/us - 12 - nS
反向恢复电荷 Qrr Vr=50V,If=50A,di/dt=100A/us - 7 - nC
峰值反向恢复电流 Irm Vr=50V,If=50A,di/dt=100A/us - 1.3 - A

七、KIA50L06TD P沟道电气特性（Tj=25℃）

参数名称 符号 测试条件 Min Typ Max 单位
漏源击穿电压 Bvdss Vgs=0V,Id=-250uA -60 - - V
零栅极漏电流 Idss Vds=-60V,Vgs=0V - - 1 uA
栅源漏电流 Igss Vgs=±20V,Vds=0V - - ±100 nA
栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs,Id=-250uA -2.2 -1.7 -1.1 V
导通电阻 Rds(on) Vgs=-10V,Id=-20A - 19.5 23 mΩ
导通电阻 Rds(on) Vgs=-4.5V,Id=-20A - 21 25 mΩ
栅极电阻 Rg f=1MHz,漏极开路 - 10 - Ω
输入电容 Ciss Vds=-25V,Vgs=0V,f=1MHz - 4250 - pF
输出电容 Coss Vds=-25V,Vgs=0V,f=1MHz - 232 - pF
反向传输电容 Crss Vds=-25V,Vgs=0V,f=1MHz - 188 - pF
开通延迟时间 td(on) Vdd=-50V,Id=-50A,Rg=3Ω,Vgs=-10V - 8 - nS
上升时间 tr Vdd=-50V,Id=-50A,Rg=3Ω,Vgs=-10V - 75 - nS
关断延迟时间 td(off) Vdd=-50V,Id=-50A,Rg=3Ω,Vgs=-10V - 204 - nS
下降时间 tf Vdd=-50V,Id=-50A,Rg=3Ω,Vgs=-10V - 220 - nS
总栅极电荷 Qg Vdd=-50V,Id=-50A,Vgs=0→-10V - 95 - nC
栅源电荷 Qgs Vdd=-50V,Id=-50A,Vgs=0→-10V - 5 - nC
栅漏电荷 Qgd Vdd=-50V,Id=-50A,Vgs=0→-10V - 23 - nC
栅极平台电压 Vplateau Vdd=-50V,Id=-50A,Vgs=0→-10V - -4.2 - V
二极管连续正向电流 Is -- - - -49 A
二极管脉冲电流 Ism -- - - -197 A
二极管正向压降 Vsd If=-20A,Vgs=0V -1.1 -0.88 - V
反向恢复时间 trr Vr=-50V,If=-50A,di/dt=-200A/us - 25 - nS
反向恢复电荷 Qrr Vr=-50V,If=-50A,di/dt=-200A/us - 74 - nC
峰值反向恢复电流 Irm Vr=-50V,If=-50A,di/dt=-200A/us - -6 - A

八、文档备注说明

1.额定值仅在Tc=25℃下有效，PCB布局影响热阻
2a.N沟雪崩测试：Tj=25℃,Vdd=20V,Vg=10V,L=0.5mH,Id=13A
2b.P沟雪崩测试：Tj=25℃,Vdd=-20V,Vg=-10V,L=0.5mH,Id=-25A
3.器件标准测试PCB：40×40mm 1.5mm FR4，6cm2铜皮
4.特性曲线基于Rθjc，最大结温150℃，单脉冲额定
5.数据手册版本Rev 1.0，2026年6月发布

八、KIA50L06TD 同规格替代竞品清单（竖排窄栏展示）

KIA50L06TD

序号 同规格兼容竞品型号
1 AOD506
2 AON6406
3 FDMS5006AS
4 NTB60N45PT4G
5 SPB60N40P
6 IRFHM5006
7 UT5006
8 CSD60064Q5A
9 NCE60P40
10 WPM6040
11 PMV60XP
12 TPH6006

九、KIA50L06TD 官网产品宣传文案

宣传板块 宣传内容（单行≤35字）
产品核心标题 KIA50L06TD TO-252-4 60V N+P双通道功率MOSFET
核心卖点1 原厂沟槽工艺，导通损耗低，开关性能优异
核心卖点2 N沟48A/60V、P沟49A/-60V，大电流承载
核心卖点3 低栅电荷、高速开关，适配高频电源电路
核心卖点4 100%雪崩能量全检，抗冲击、可靠性拉满
核心卖点5 TO-252-4贴片封装，单颗集成N+P双管
适用场景1 DC-DC升降压、同步降压电源、电机驱动
适用场景2 锂电池保护板、快充模块、车载供电电路
适用场景3 工业开关电源、便携储能、H桥驱动电路
产品优势总结 单颗替代2颗单MOS，缩减PCB面积、降低物料成本
品质保障 KIA原厂出品，参数一致性高，大批量供货稳定
电气亮点 N沟13.5mΩ、P沟19.5mΩ超低导通内阻
可靠性亮点 宽温-55~150℃，耐受高低温严苛工况

十、KIA50L06TD 完整产品参数总表

3.1 基础订货信息

项目 参数
完整料号 KIA50L06TD
封装形式 TO-252-4
品牌厂商 KIA KMOS Semiconductor
管型结构 N沟+P沟集成双沟槽MOS管
额定耐压 N:60V / P:-60V
额定连续电流 N:48A / P:-49A

3.2 引脚功能定义

引脚标识 引脚功能
G1、G2 栅极 Gate（分别控制N/P沟）
D1、D2 漏极 Drain
S1、S2 源极 Source

3.3 产品核心特性

1.N沟Rds(on)典型13.5mΩ@VGS=10V
2.P沟Rds(on)典型19.5mΩ@VGS=10V
3.极低栅极电荷，高速开关响应
4.出厂100%雪崩能量冲击测试
5.沟槽工艺大幅降低导通发热损耗

3.4 绝对最大额定值（Tj=25℃）

参数名称 符号 N沟MOS P沟MOS 单位
漏源击穿电压 Vdss 60 -60 V
栅源极限电压 Vgss ±20 ±20 V
连续漏极电流Tc=25℃ Id 48 -49 A
连续漏极电流Tc=100℃ Id 30 -31.1 A
脉冲峰值漏极电流 Idm 191 -197 A
单脉冲雪崩能量 Eas 42 156 mJ
最大耗散功率Tc=25℃ Pd 79 95 W
引脚焊接耐受温度(5s) Tl 260 ℃
结温/存储温度区间 Tj、Tstg -55 ~ +150 ℃

3.5 热学特性参数

参数名称 符号 N沟MOS P沟MOS 单位
结到环境热阻 Rθja 62 62 ℃/W
结到外壳热阻 Rθjc 1.59 1.32 ℃/W

3.6 N沟道电气特性（Tj=25℃）

参数名称 符号 测试条件 Min Typ Max 单位
漏源击穿电压 Bvdss Vgs=0V,Id=250uA 60 - - V
零栅漏电流 Idss Vds=60V,Vgs=0V - - 1 uA
栅源漏电流 Igss Vgs=±20V,Vds=0V - - ±100 nA
栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs,Id=250uA 1.0 1.6 2.2 V
导通内阻 Rds(on) Vgs=10V,Id=15A - 13.5 16.5 mΩ
导通内阻 Rds(on) Vgs=4.5V,Id=10A - 17.0 21.5 mΩ
栅极内阻 Rg f=1MHz,漏极开路 - 2.3 - Ω
输入电容 Ciss Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz - 2298 - pF
输出电容 Coss Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz - 95 - pF
反向传输电容 Crss Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz - 86 - pF
开通延迟时间 td(on) Vdd=50V,Id=50A,Rg=3Ω - 9 - nS
上升时间 tr Vdd=50V,Id=50A,Rg=3Ω - 15 - nS
关断延迟时间 td(off) Vdd=50V,Id=50A,Rg=3Ω - 34 - nS
下降时间 tf Vdd=50V,Id=50A,Rg=3Ω - 7 - nS
总栅电荷 Qg Vdd=50V,Id=50A,Vgs0→10V - 45 - nC
栅源电荷 Qgs Vdd=50V,Id=50A,Vgs0→10V - 6 - nC
栅漏电荷 Qgd Vdd=50V,Id=50A,Vgs0→10V - 12 - nC
栅极平台电压 Vplateau Vdd=50V,Id=50A - 2.9 - V
二极管持续电流 Is 无 - - 48 A
二极管脉冲电流 Ism 无 - - 191 A
二极管正向压降 Vsd If=15A,Vgs=0V - 0.85 1.0 V
反向恢复时间 trr Vr=50V,If=50A,di/dt=100A/us - 12 - nS
反向恢复电荷 Qrr Vr=50V,If=50A,di/dt=100A/us - 7 - nC
峰值反向恢复电流 Irm Vr=50V,If=50A,di/dt=100A/us - 1.3 - A

3.7 P沟道电气特性（Tj=25℃）

参数名称 符号 测试条件 Min Typ Max 单位
漏源击穿电压 Bvdss Vgs=0V,Id=-250uA -60 - - V
零栅漏电流 Idss Vds=-60V,Vgs=0V - - 1 uA
栅源漏电流 Igss Vgs=±20V,Vds=0V - - ±100 nA
栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs,Id=-250uA -2.2 -1.7 -1.1 V
导通内阻 Rds(on) Vgs=-10V,Id=-20A - 19.5 23 mΩ
导通内阻 Rds(on) Vgs=-4.5V,Id=-20A - 21 25 mΩ
栅极内阻 Rg f=1MHz,漏极开路 - 10 - Ω
输入电容 Ciss Vds=-25V,Vgs=0V,f=1MHz - 4250 - pF
输出电容 Coss Vds=-25V,Vgs=0V,f=1MHz - 232 - pF
反向传输电容 Crss Vds=-25V,Vgs=0V,f=1MHz - 188 - pF
开通延迟时间 td(on) Vdd=-50V,Id=-50A,Rg=3Ω - 8 - nS
上升时间 tr Vdd=-50V,Id=-50A,Rg=3Ω - 75 - nS
关断延迟时间 td(off) Vdd=-50V,Id=-50A,Rg=3Ω - 204 - nS
下降时间 tf Vdd=-50V,Id=-50A,Rg=3Ω - 220 - nS
总栅电荷 Qg Vdd=-50V,Id=-50A,Vgs0→-10V - 95 - nC
栅源电荷 Qgs Vdd=-50V,Id=-50A,Vgs0→-10V - 5 - nC
栅漏电荷 Qgd Vdd=-50V,Id=-50A,Vgs0→-10V - 23 - nC
栅极平台电压 Vplateau Vdd=-50V,Id=-50A - -4.2 - V
二极管持续电流 Is 无 - - -49 A
二极管脉冲电流 Ism 无 - - -197 A
二极管正向压降 Vsd If=-20A,Vgs=0V -1.1 -0.88 - V
反向恢复时间 trr Vr=-50V,If=-50A,di/dt=-200A/us - 25 - nS
反向恢复电荷 Qrr Vr=-50V,If=-50A,di/dt=-200A/us - 74 - nC
峰值反向恢复电流 Irm Vr=-50V,If=-50A,di/dt=-200A/us - -6 - A

3.8 手册备注说明

1.额定值仅Tc=25℃有效，PCB布局改变热阻参数
2a.N沟雪崩测试：Tj=25℃,Vdd=20V,L=0.5mH,Id=13A
2b.P沟雪崩测试：Tj=25℃,Vdd=-20V,L=0.5mH,Id=-25A
3.标准测试PCB：40×40mm FR4，6cm2铜皮散热区
4.曲线基于Rθjc，极限结温150℃，单脉冲额定条件
5.规格书版本Rev1.0，2026年6月原厂发布

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）

联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KIA50L06TD

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