KCY3610A DFN5*6 100V60A SGT MOS 管 低内阻兼容
信息来源：本站 日期：2026-06-22
KCY3610A DFN5*6 100V60A SGT MOS 管 低内阻兼容 NCEP60U100
8mΩ 超低导通内阻，100% UIS 雪崩检测，低栅电荷高频低损耗
KCY3610A、KCY3610A DFN5*6、100V 60A N 沟 MOS、SGT 功率 MOS 管
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 完整料号 | KCY3610A |
| 封装 | DFN5*6 |
| 品牌厂商 | KIA KMOS Semiconductor |
| 产品类型 | 100V N沟道高速功率MOSFET |
| 核心工艺 | 先进SGT沟槽工艺 |
| 1.采用先进SGT半导体沟槽工艺 |
| 2.VGS=10V时导通内阻典型仅8.0mΩ |
| 3.超低栅极电荷，高频开关损耗更低 |
| 4.环保无铅绿色器件，符合环保标准 |
| 5.抑制CdV/dt干扰，电路稳定性更强 |
| 6.出厂100%ΔVds电压冲击全检 |
| 7.出厂100%UIS雪崩能量可靠性测试 |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1、2、3 | Gate 栅极 |
| 4 | Drain 漏极 |
| 5、6、7、8 | Source 源极 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压(VGS=0V) | VDS | 100 | V |
| 栅源极限电压(VDS=0V) | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 Tc=25℃ | ID | 60 | A |
| 连续漏极电流 Tc=100℃ | ID | 38 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | IDM(pulse) | 240 | A |
| 最大耗散功率 Tc=25℃ | PD | 75 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 25 | mJ |
| 结温/存储温度区间 | TJ、TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 2.0 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 100 | - | - | V |
| 零栅漏源漏电流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V,Tc=25℃ | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250uA | 1.0 | 1.8 | 2.5 | V |
| 导通内阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=20A | - | 8.0 | 9.6 | mΩ |
| 导通内阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V,ID=10A | - | 11 | 14 | mΩ |
| 栅极内阻 | Rg | VDS=0V,f=1.0MHz | - | 2.0 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz | - | 2015 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz | - | 610 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz | - | 30 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=50V,VGS=10V,Rg=2Ω,ID=10A | - | 15 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDS=50V,VGS=10V,Rg=2Ω,ID=10A | - | 3 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDS=50V,VGS=10V,Rg=2Ω,ID=10A | - | 30 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDS=50V,VGS=10V,Rg=2Ω,ID=10A | - | 7 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=50V,VGS=10V,ID=10A | - | 41 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=50V,VGS=10V,ID=10A | - | 6 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=50V,VGS=10V,ID=10A | - | 12.3 | - | nC |
| 体二极管持续正向电流 | ISD | 无额外条件 | - | - | 60 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,ISD=20A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/us | - | 50 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/us | - | 70 | - | nC |
| 1.器件贴装1平方英寸FR4 2盎司铜PCB完成测试 |
| 2.脉冲测试条件：脉宽≤300us，占空比≤2% |
| 3.雪崩测试：VDD=50V,VGS=10V,L=0.5mH,IAS=10A |
| 4.耗散功率上限受175℃极限结温约束 |
| 5.理论ISD与ID一致，实际受总功耗限制 |
| 6.手册版本Rev1.0，2026年6月原厂发布 |
| 序号 | 兼容替代竞品型号 |
|---|---|
| 1 | NCEP60U100 |
| 2 | FDMS0308AS |
| 3 | AON6506 |
| 4 | CSD16323Q5A |
| 5 | IRLHS60N100 |
| 6 | WSD60100DN5 |
| 7 | TPH10006NH |
| 8 | PMV100XN |
| 9 | SI7461DP |
| 10 | NTB60N100 |
| 11 | SPD60N100 |
| 12 | AOD1006 |
| 宣传板块 | 宣传内容（单行≤35字） |
|---|---|
| 产品主标题 | KCY3610A DFN5*6 100V 60A SGT高速N沟MOS管 |
| 核心优势1 | SGT先进沟槽工艺，导通内阻低至8mΩ |
| 核心优势2 | 超低栅电荷，高速开关，高频损耗大幅降低 |
| 核心优势3 | 抑制CdV/dt干扰，电路工作稳定性更强 |
| 核心优势4 | 100%UIS雪崩全检，抗冲击可靠性拉满 |
| 核心优势5 | DFN5*6超薄贴片，节省PCB布线空间 |
| 电气性能亮点 | 100V耐压60A大电流，脉冲峰值可达240A |
| 温度稳定性 | 宽温-55~150℃，高低温工况稳定运行 |
| 环保特性 | 无铅绿色器件，满足全球环保管控标准 |
| 应用场景1 | 高压DC-DC升压/降压、大功率快充电源 |
| 应用场景2 | 工业开关电源、储能逆变器、锂电设备 |
| 应用场景3 | 车载供电、电机驱动、安防大功率电路 |
| 采购优势 | KIA原厂稳定供货，参数一致性好可直接替代 |
| 方案价值总结 | 低发热高效率，减少散热器件，降低整机成本 |
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 完整料号 | KCY3610A |
| 封装 | DFN5*6 |
| 品牌厂商 | KIA KMOS Semiconductor |
| 产品类型 | 100V N沟道高速功率MOSFET |
| 核心工艺 | 先进SGT沟槽工艺 |
| 1.采用先进SGT半导体沟槽工艺 |
| 2.VGS=10V时导通内阻典型仅8.0mΩ |
| 3.超低栅极电荷，高频开关损耗更低 |
| 4.环保无铅绿色器件，符合环保标准 |
| 5.优秀CdV/dt抑制，减少电路干扰 |
| 6.出厂100%ΔVds电压冲击全检 |
| 7.出厂100%UIS雪崩能量可靠性测试 |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1、2、3 | Gate 栅极 |
| 4 | Drain 漏极 |
| 5、6、7、8 | Source 源极 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压(VGS=0V) | VDS | 100 | V |
| 栅源极限电压(VDS=0V) | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 Tc=25℃ | ID | 60 | A |
| 连续漏极电流 Tc=100℃ | ID | 38 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | IDM(pulse) | 240 | A |
| 最大耗散功率 Tc=25℃ | PD | 75 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 25 | mJ |
| 结温/存储温度区间 | TJ、TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 2.0 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 100 | - | - | V |
| 零栅漏源漏电流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V,Tc=25℃ | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250uA | 1.0 | 1.8 | 2.5 | V |
| 导通内阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=20A | - | 8.0 | 9.6 | mΩ |
| 导通内阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V,ID=10A | - | 11 | 14 | mΩ |
| 栅极内阻 | Rg | VDS=0V,f=1.0MHz | - | 2.0 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz | - | 2015 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz | - | 610 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz | - | 30 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=50V,VGS=10V,Rg=2Ω,ID=10A | - | 15 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDS=50V,VGS=10V,Rg=2Ω,ID=10A | - | 3 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDS=50V,VGS=10V,Rg=2Ω,ID=10A | - | 30 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDS=50V,VGS=10V,Rg=2Ω,ID=10A | - | 7 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=50V,VGS=10V,ID=10A | - | 41 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=50V,VGS=10V,ID=10A | - | 6 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=50V,VGS=10V,ID=10A | - | 12.3 | - | nC |
| 体二极管持续正向电流 | ISD | 无额外条件 | - | - | 60 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,ISD=20A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/us | - | 50 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/us | - | 70 | - | nC |
| 1.器件贴装1平方英寸FR4 2盎司铜PCB完成测试 |
| 2.脉冲测试条件：脉宽≤300us，占空比≤2% |
| 3.雪崩测试：VDD=50V,VGS=10V,L=0.5mH,IAS=10A |
| 4.耗散功率上限受175℃极限结温约束 |
| 5.理论ISD与ID一致，实际受总功耗限制 |
| 6.手册版本Rev1.0，2026年6月原厂发布 |
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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