KPG4506A -60V6A P 沟道 DFN3*3 低内阻负载开关专用
信息来源：本站 日期：2026-06-22
KPG4506A -60V6A P 沟道 MOS 管 DFN3*3 低内阻负载开关专用
原厂 KIA KPG4506A｜-60V/6A P 沟道 MOS，54mΩ 低导通内阻，DFN3*3 小体积
KPG4506A、4506A MOS 管、KIA P 沟道 MOS 管、DFN3*3 MOSFET
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 型号 | KPG4506A(丝印4506A) |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 通道类型 | P-CHANNEL P沟道MOSFET |
| 封装 | PDFN3X3(DFN3*3) |
| 耐压/电流 | -60V，持续电流-6A |
| 环保等级 | 无铅Pb-Free、RoHS合规 |
| 序号 | 特性说明 |
|---|---|
| 1 | Rds(on)典型54mΩ@VGS=-10V |
| 2 | 支持5V逻辑电平驱动控制 |
| 3 | 100% UIS雪崩能量测试 |
| 4 | PDFN3X3贴片封装 |
| 5 | 无铅生产，符合RoHS标准 |
| 序号 | 应用场景 |
|---|---|
| 1 | 负载开关 Load Switch |
| 2 | 开关电路 Switching Circuits |
| 3 | 高速线路驱动 High Speed line Driver |
| 4 | 电源管理 Power management |
DFN3*3封装，共8引脚
| 引脚Pin | 功能Function |
|---|---|
| 1、2、3 | Gate 栅极(G) |
| 4 | Drain 漏极(D) |
| 5、6、7、8 | Source 源极(S) |
测试条件：Tc=25℃，无特殊标注均为此条件
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDSS | -60 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 漏极电流TA=25℃ | ID | -6 | A |
| 漏极电流TA=70℃ | ID | -4.8 | A |
| 脉冲漏极电流(25℃) | IDM | -45 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 39.2 | mJ |
| 最大耗散功率(TA=25℃) | PD | 31 | W |
| 最高结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 4 | ℃/W |
测试条件：Tj=25℃，无特殊标注均为此条件
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=-250μA | -60 | - | - | V |
| 零栅压漏电流(25℃) | IDSS | VDS=-60V,VGS=0V | - | - | -1 | μA |
| 零栅压漏电流(125℃) | IDSS | VDS=-48V,VGS=0V | - | - | -100 | μA |
| 栅体漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=-250μA | -1.2 | -1.6 | -2.5 | V |
| 导通电阻VGS=-10V | RDS(ON) | VGS=-10V,ID=-6A | - | 54 | 65 | mΩ |
| 导通电阻VGS=-4.5V | RDS(ON) | VGS=-4.5V,ID=-4A | - | 67 | 80 | mΩ |
| 输入电容 | Ciss | VDS=-30V,VGS=0V,f=1MHz | - | 815 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 60 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 50 | - | pF | |
| 总栅电荷 | Qg | VDS=-30V,ID=-10A,VGS=-10V | - | 14 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 1.5 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 4.5 | - | nC | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=-30V,ID=-1A,RG=3.3Ω,VGS=-10V | - | 7.0 | - | nS |
| 开通上升时间 | tr | - | 10 | - | nS | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 24 | - | nS | |
| 关断下降时间 | tf | - | 16 | - | nS | |
| 体二极管正向电流 | ISD | TA=25℃ | - | - | -6 | A |
| 体二极管正向压降 | VSD | ISD=-2A,VGS=0V,Tj=25℃ | - | -0.8 | -1.2 | V |
| 编号 | 说明内容 |
|---|---|
| 1 | 脉冲宽度受最大允许结温限制 |
| 2 | 脉冲测试：脉宽≤300us，占空比≤2% |
| 图号 | 图表名称 |
|---|---|
| Fig1 | 输出特性曲线 ID-VDS 不同VGS对比 |
| Fig2 | 阈值电压随温度变化曲线 |
| Fig3 | Rds(on)随ID、VGS变化曲线 |
| Fig4 | Rds(on)随栅源电压VGS变化曲线 |
| Fig5 | VDS与VGS对应关系曲线 |
| Fig6 | 体二极管正向电压VSD曲线 |
| Fig7 | 极间电容Ciss/Coss/Crss随VDS变化 |
| Fig8 | 栅电荷Qg与栅源电压VGS关系曲线 |
| 项目 | 详情 |
|---|---|
| 完整料号 | KPG4506A |
| 丝印标识 | 4506A |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 器件类型 | P-CHANNEL P沟道MOSFET |
| 封装规格 | PDFN3×3(DFN3*3) |
| 额定规格 | -60V / -6A |
| 环保标准 | Pb-Free、RoHS合规 |
| 宣传分类 | 宣传文案（单行≤35字） |
|---|---|
| 主标题宣传 | KPG4506A 60V6A P沟道DFN33功率MOS管，低内阻高效开关 |
| 性能卖点文案 | 1. Rds(on)典型54mΩ，导通损耗低，发热更小 |
| 性能卖点文案 | 2. 支持5V逻辑电平驱动，适配主流主控电路 |
| 性能卖点文案 | 3. 100%UIS雪崩测试，抗冲击、可靠性更强 |
| 封装优势文案 | DFN3×3超薄贴片，占板面积小，散热性能优异 |
| 应用推广文案 | 适配负载开关、电源管理、高速线路驱动场景 |
| 品质保障文案 | 无铅环保工艺，全检出货，长期供货稳定 |
| 采购引流短句 | 可替代多款60V P沟道MOS，交期稳定现货充足 |
筛选标准：60V P沟道、DFN3*3封装、5~7A电流MOS管
| 竞品型号清单（竖排） |
|---|
| AO4406 AO4406A APM4406 SI4406BD WPM4406 CJ4406 PMV4406XP SMF06P06 FDMS3608P |
| 序号 | 特性参数 |
|---|---|
| 1 | Rds(on)=54mΩ(typ) @VGS=-10V |
| 2 | 5V逻辑电平控制驱动 |
| 3 | 出厂100% UIS雪崩能量测试 |
| 4 | PDFN3×3贴片小体积封装 |
| 5 | 无铅生产，完全符合RoHS规范 |
| 序号 | 应用领域 |
|---|---|
| 1 | 设备负载开关 Load Switch |
| 2 | 直流开关电源 Switching Circuits |
| 3 | 高速信号线路驱动 |
| 4 | 便携设备电源管理模块 |
| 引脚Pin | 引脚功能Function |
|---|---|
| 1、2、3 | Gate 栅极(G) |
| 4 | Drain 漏极(D) |
| 5、6、7、8 | Source 源极(S) |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | VDSS | -60 | V |
| 栅源极限电压 | VGS | ±20 | V |
| 25℃持续漏电流 | ID | -6 | A |
| 70℃持续漏电流 | ID | -4.8 | A |
| 25℃脉冲漏电流 | IDM | -45 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 39.2 | mJ |
| 25℃最大耗散功率 | PD | 31 | W |
| 器件最高结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度区间 | TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 参数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 4 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=-250μA | -60 | - | - | V |
| 25℃零栅漏电流 | IDSS | VDS=-60V,VGS=0V | - | - | -1 | μA |
| 125℃零栅漏电流 | IDSS | VDS=-48V,VGS=0V | - | - | -100 | μA |
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启阈值 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=-250μA | -1.2 | -1.6 | -2.5 | V |
| 导通内阻10V驱动 | RDS(ON) | VGS=-10V,ID=-6A | - | 54 | 65 | mΩ |
| 导通内阻4.5V驱动 | RDS(ON) | VGS=-4.5V,ID=-4A | - | 67 | 80 | mΩ |
| 输入电容 | Ciss | VDS=-30V,f=1MHz | - | 815 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 60 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 50 | - | pF | |
| 总栅电荷 | Qg | VDS=-30V,ID=-10A | - | 14 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 1.5 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 4.5 | - | nC | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=-30V,RG=3.3Ω | - | 7.0 | - | nS |
| 开通上升时间 | tr | - | 10 | - | nS | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 24 | - | nS | |
| 关断下降时间 | tf | - | 16 | - | nS | |
| 体二极管正向电流 | ISD | TA=25℃ | - | - | -6 | A |
| 体二极管正向压降 | VSD | ISD=-2A,VGS=0V | - | -0.8 | -1.2 | V |
| 编号 | 备注说明 |
|---|---|
| 1 | 脉冲宽度受器件最大允许结温限制 |
| 2 | 导通电阻脉冲测试：脉宽≤300us，占空比≤2% |
| 图号 | 曲线内容简述 |
|---|---|
| Fig1 | 输出特性：ID随VDS、VGS变化曲线 |
| Fig2 | 阈值电压随结温变化趋势图 |
| Fig3 | Rds(on)随漏电流ID、驱动VGS变化 |
| Fig4 | 导通内阻随栅源驱动电压变化曲线 |
| Fig5 | 漏源电压VDS与栅压VGS对应关系 |
| Fig6 | 内部体二极管正向压降VSD曲线 |
| Fig7 | 极间电容随漏源电压VDS变化 |
| Fig8 | 总栅电荷Qg与栅源电压对应曲线 |
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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