替代进口 C2M0040120D｜KSM040N120B 1200V 碳化硅
信息来源：本站 日期：2026-06-23
替代进口 C2M0040120D｜KSM040N120B 1200V 碳化硅 MOS 低开关损耗
1200V 高压 68A 大电流 TO247 封装，适配光伏 / 充电桩 / 工业电源
KSM040N120B、040N120B、KIA 碳化硅 MOS 管、1200V 碳化硅 MOS、TO247 SiC MOS 管、68A 碳化硅功率管
| 参数项 | 参数值 |
|---|---|
| 产品型号 | KSM040N120B（040N120B） |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 封装 | TO-247 |
| 产品类型 | 平面型SiC功率MOSFET |
| 额定电压/电流 | 1200V，68A |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极G |
| 2 | Drain 漏极D |
| 3 | Source 源极S |
| 序号 | 特性描述 |
|---|---|
| 1 | Rds(on)典型40mΩ@VGS=18V,Tj=25℃ |
| 2 | 宽禁带碳化硅SiC MOSFET工艺 |
| 3 | 低导通电阻、高阻断耐压 |
| 4 | 极低电容，支持高速开关 |
| 5 | 反向恢复电荷Qrr极小 |
| 6 | 易并联、驱动电路简单 |
| 序号 | 优势描述 |
|---|---|
| 1 | 大幅降低开关损耗 |
| 2 | 提升系统开关工作频率 |
| 3 | 提高整机功率密度 |
| 4 | 减小散热器体积需求 |
| 5 | 降低电磁干扰EMI |
| 序号 | 应用场景 |
|---|---|
| 1 | PFC功率因数校正模块 |
| 2 | 开关电源SMPS |
| 3 | DC-AC逆变电源 |
| 4 | 高压DC/DC变换器 |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | Vgs=10V,Id=100uA | 1200 | V |
| 栅源极限电压 | Vgss | 极限参数 | -10~+22 | V |
| 推荐栅源工作电压 | Vgsop | 常规工作区间 | -4~+18 | V |
| 连续漏极电流 | Id | Vgs=18V,Tc=25℃ | 68 | A |
| 连续漏极电流 | Id | Vgs=18V,Tc=100℃ | 59 | A |
| 脉冲漏极电流 | Idm | 脉冲受Tjmax限制 | 135 | A |
| 最大耗散功率 | Ptot | Tc=25℃,Tj=175℃ | 283 | W |
| 工作/存储温度 | Tj&Tstg | 无 | -55~+175 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.529 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | Vgs=0V,Id=500uA | 1200 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=1200V,Vgs=0V | - | - | 10 | uA |
| 栅源漏电流 | Igss | Vgs=18V,Vds=0V | - | - | 100 | nA |
| 导通电阻 | Rds(on) | Vgs=18V,Id=40A,25℃ | - | 40 | 52 | mΩ |
| 导通电阻 | Rds(on) | Vgs=18V,Id=40A,175℃ | - | 62 | - | mΩ |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=9mA,25℃ | 2 | - | 4 | V |
| 栅极内阻 | Rg | Vac=25mV,f=1MHz | - | 2 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | Vds=800V,Vgs=0V,1MHz | - | 1850 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=800V,Vgs=0V,1MHz | - | 72 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=800V,Vgs=0V,1MHz | - | 6 | - | pF |
| 总栅电荷 | Qg | Vds=800V,Id=40A,Vgs=-4~18V | - | 78 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=800V,Id=40A,Vgs=-4~18V | - | 2 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vds=800V,Id=40A,Vgs=-4~18V | - | 12 | - | nC |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=800V,Rg=10Ω,Id=40A | - | 12 | - | ns |
| 上升时间 | tr | Vdd=800V,Rg=10Ω,Id=40A | - | 82 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=800V,Rg=10Ω,Id=40A | - | 34 | - | ns |
| 下降时间 | tf | Vdd=800V,Rg=10Ω,Id=40A | - | 26 | - | ns |
| 开通开关损耗 | Eon | Vdd=800V,Rg=10Ω,Id=40A | - | 260 | - | uJ |
| 关断开关损耗 | Eoff | Vdd=800V,Rg=10Ω,Id=40A | - | 44 | - | uJ |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Isd=20A,Vgs=-4V,Tj=25℃ | - | 4.5 | - | V |
| 体二极管连续电流 | Is | Vgs=-4V,Tj=25℃ | - | 68 | - | A |
| 反向恢复时间 | trr | Isd=40A,Vr=800V,di/dt=800A/us | - | 28 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | Isd=40A,Vr=800V,di/dt=800A/us | - | 85 | - | nC |
| 反向恢复峰值电流 | Irm | Isd=40A,Vr=800V,di/dt=800A/us | - | 5.3 | - | A |
| 图号 | 图表名称 |
|---|---|
| Fig1 | 输出特性曲线 Tj=25℃ |
| Fig2 | 输出特性曲线 Tj=175℃ |
| Fig3 | 输出特性曲线 Tj=-55℃ |
| Fig4 | 转移特性曲线（不同温度） |
| Fig5 | 归一化导通电阻vs温度 |
| Fig6 | 归一化Rds(on)vs漏极电流 |
| Fig7 | 电容特性 Vds 0~200V |
| Fig8 | 电容特性 Vds 0~1200V |
| Fig9 | 体二极管正向特性 |
| Fig10 | 阈值电压随温度变化曲线 |
| 参数分类 | 详情参数 |
|---|---|
| 基础型号 | KSM040N120B（简称040N120B） |
| 品牌/工艺 | KIA KMOS 平面型SiC功率MOSFET |
| 封装规格 | TO-247直插封装 |
| 额定耐压/电流 | 1200V 68A碳化硅MOS管 |
| 典型导通电阻 | 40mΩ @VGS=18V，25℃ |
| 极限耗散功率 | 283W（Tc=25℃） |
| 工作温度区间 | -55℃ ~ +175℃ |
| 结壳热阻RθJC | 0.529 ℃/W |
| 推荐驱动电压 | -4V ~ +18V |
| 引脚定义 | 1栅极G / 2漏极D / 3源极S |
| 本司产品 | 同规格竞品型号（竖排） | 核心对标参数 |
|---|---|---|
|
KSM040N120B TO-247 1200V68A |
C2M0040120D SCT3060AL IMW65R048M1H SIC40N120 TW040N120 CSD17002Q5A NTH40N120W | 1200V/40mΩ级SiC，TO247封装 |
| 产品优势对比 | 进口原厂交期长 单价高起订量大 开关损耗偏高 | KIA国产替代、交期稳、低EMI、易并联 |
| 文案板块 | 宣传内容（单行≤35字） |
|---|---|
| 首页短标题 | KSM040N120B 1200V68A碳化硅MOS管 TO247封装 |
| 引流副标题 | 低导通电阻高速SiC管，PFC/逆变器专用国产替代料 |
| 核心卖点短句1 | 40mΩ超低Rds(on)，高温导通损耗更低 |
| 核心卖点短句2 | 极小反向恢复电荷Qrr，大幅降低开关损耗 |
| 核心卖点短句3 | 高速开关特性，支持高频电源小型化设计 |
| 核心卖点短句4 | 低EMI干扰，简化整机滤波电路设计 |
| 替代优势文案 | 完美对标进口1200V40mΩ碳化硅MOS，交期稳定现货充足 |
| 工业场景文案 | 适配高压PFC、光伏逆变、高压DC-DC充电桩电源 |
| 品质保障文案 | KIA原厂平面SiC工艺，耐温175℃，散热要求更低 |
| 采购引导文案 | TO247标准封装易并联，驱动简单，批量现货可送样 |
| 产品核心特性 | 落地应用场景 |
|---|---|
| 宽禁带SiC工艺，耐压1200V | 高压PFC功率因数校正模块 |
| 高速开关、低电容、低损耗 | 高频开关电源SMPS设备 |
| 68A大电流、可多管并联 | 光伏储能DC-AC逆变器 |
| 低反向恢复、低EMI干扰 | 充电桩高压DC/DC变换器 |
| 高温稳定、散热需求小 | 工业高压大功率电源整机 |
| 适用选型客户 | 做光伏逆变、充电桩、大功率工业电源研发厂商 |
| 替代选型建议 | 原使用进口40mΩ1200V SiC MOS可直接pin to pin替换 |
| 设计增益总结 | 提升功率密度、缩小散热器、提高整机工作频率 |
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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