替代进口 AON6408 MOS 管 KNY8104A DFN5*6 高频开关专用
信息来源：本站 日期：2026-06-23
替代进口 AON6408 MOS 管 KNY8104A DFN5*6 高频开关专用
DFN5*6 大散热焊盘｜12mΩ 典型内阻｜国产现货替代进口 MOS
KNY8104A,KNY8104A DFN5*6,KIA MOS 管，40V30A N 沟道 MOSFET
| 料号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNG8104A | DFN3*3 | KIA SEMICONDUCTORS |
| KNY8104A | DFN5*6 | KIA SEMICONDUCTORS |
| KND8104A | TO-252 | KIA SEMICONDUCTORS |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | Vdss | 40 | V | - |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | Id | 30 | A | - |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | Id | 19 | A | - |
| 脉冲漏极电流 | IdM | 120 | A | 脉冲工况 |
| 栅源电压 | Vgs | ±20 | V | - |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 25 | mJ | - |
| 功耗(Tc=25℃) | Pd | 96 | W | - |
| 结温/存储温度范围 | Tj,Tstg | -55~150 | ℃ | - |
| 引脚焊接最高温度 | Tl | 300 | ℃ | 距外壳1/8英寸，5秒 |
注：漏极电流受最大结温限制
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.3 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=40V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源正向漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=20A | - | 12 | 16 | mΩ |
| 漏源导通电阻 | Rds(on) | Vgs=4.5V,Id=10A | - | 16.5 | 24 | mΩ |
| 栅极电阻 | Rg | f=1MHz | - | 4 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | Vds=20V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 850 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=20V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 70 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=20V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 62 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vgs=10V,Vds=30V,Rg=4.7Ω,Id=30A | - | 4 | - | ns |
| 上升时间 | tr | Vgs=10V,Vds=30V,Rg=4.7Ω,Id=30A | - | 8 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vgs=10V,Vds=30V,Rg=4.7Ω,Id=30A | - | 30 | - | ns |
| 下降时间 | tf | Vgs=10V,Vds=30V,Rg=4.7Ω,Id=30A | - | 10 | - | ns |
| 总栅电荷(10V) | Qg | Vds=20V,Id=30A,Vgs=10V | - | 18 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=20V,Id=30A,Vgs=10V | - | 2.5 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vds=20V,Id=30A,Vgs=10V | - | 5 | - | nC |
| 体二极管连续正向电流 | Is | - | - | - | 30 | A |
| 体二极管脉冲正向电流 | IsM | - | - | - | 120 | A |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Isd=20A,Vgs=0,Tj=25℃ | - | - | 1.2 | V |
备注： 1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制 2.EAS测试条件：Tj=25℃,Vdd=30V,Vg=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω 3.脉冲测试：脉宽≤300us，占空比≤0.5%
| TO-252引脚 | DFN3*3/DFN5*6引脚 | 引脚功能 |
|---|---|---|
| 1 | 4 | Gate 栅极 |
| 2 | 5,6,7,8 | Drain 漏极 |
| 3 | 1,2,3 | Source 源极 |
| 1.典型导通电阻12mΩ@Vgs=10V |
| 2.极低导通损耗Rds(on) |
| 3.低反向传输电容Crss |
| 4.开关速度快 |
| 5.100%雪崩可靠性测试 |
| 6.优化dv/dt耐受能力 |
| 1.PWM开关电源电路 |
| 2.设备电源管理模块 |
| 3.电子负载开关 |
| 完整料号 | 封装规格 | 品牌 | 规格简述 |
|---|---|---|---|
| KNY8104A | DFN5*6 | KIA SEMI | N沟道 40V 30A MOS管 |
| KNG8104A | DFN3*3 | KIA SEMI | 同芯片小体积封装 |
| KND8104A | TO-252 | KIA SEMI | 贴片TO封装通用款 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | Vdss | 40 | V |
| 连续电流25℃ | Id | 30 | A |
| 连续电流100℃ | Id | 19 | A |
| 峰值脉冲电流 | IdM | 120 | A |
| 栅源电压范围 | Vgs | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 25 | mJ |
| 最大耗散功率 | Pd | 96 | W |
| 工作/存储温区 | Tj,Tstg | -55~150 | ℃ |
| 焊接峰值温度 | Tl | 300 | ℃ |
注：漏极电流上限由芯片结温限制
| 参数名称 | 符号 | 参数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.3 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏极漏电流 | Idss | Vds=40V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅极漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 开启阈值 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 导通电阻10V | Rds(on) | Vgs=10V,Id=20A | - | 12 | 16 | mΩ |
| 导通电阻4.5V | Rds(on) | Vgs=4.5V,Id=10A | - | 16.5 | 24 | mΩ |
| 栅极内阻 | Rg | f=1MHz | - | 4 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | Vds=20V,f=1MHz | - | 850 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=20V,f=1MHz | - | 70 | - | pF |
| 反向电容 | Crss | Vds=20V,f=1MHz | - | 62 | - | pF |
| 开通延迟 | td(on) | Vgs=10V,Id=30A | - | 4 | - | ns |
| 上升时间 | tr | Vgs=10V,Id=30A | - | 8 | - | ns |
| 关断延迟 | td(off) | Vgs=10V,Id=30A | - | 30 | - | ns |
| 下降时间 | tf | Vgs=10V,Id=30A | - | 10 | - | ns |
| 总栅电荷 | Qg | Vds=20V,Id=30A | - | 18 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=20V,Id=30A | - | 2.5 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vds=20V,Id=30A | - | 5 | - | nC |
| 体二极管持续电流 | Is | - | - | - | 30 | A |
| 体二极管峰值电流 | IsM | - | - | - | 120 | A |
| 体二极管压降 | Vsd | Isd=20A,25℃ | - | - | 1.2 | V |
测试备注：脉冲宽度≤300us，占空比≤0.5%
| DFN5*6引脚编号 | 对应功能 | 兼容TO-252引脚 |
|---|---|---|
| 4 | Gate 栅极 | 1 |
| 5/6/7/8 | Drain 漏极 | 2 |
| 1/2/3 | Source 源极 | 3 |
| 同规格竞品型号 |
|---|
| AON6408 |
| AOD403 |
| NCE4030K |
| CSD16323Q5A |
| IRLHS8742 |
| PMV40XP |
| WPM3040 |
| SM4030NSQ |
| SI4030DY |
| UT4030G |
| 宣传分类 | 文案内容（单行≤35字） |
|---|---|
| 产品标题 | KNY8104A DFN5*6 40V30A N沟道低压MOSFET |
| 核心优势1 | 低导通电阻12mΩ，整机导通损耗大幅降低 |
| 核心优势2 | 优化Crss反向电容，高频开关损耗更小 |
| 核心优势3 | 超快开关速度，适配高频PWM电源方案 |
| 核心优势4 | 100%雪崩全检，电感负载工况稳定性强 |
| 核心优势5 | 强化dv/dt耐受，减少整机EMI调试难度 |
| 封装优势 | DFN5*6大散热焊盘，30A持续输出不发烫 |
| 替代优势 | 完美兼容AON6408、NCE4030K等主流竞品 |
| 供货优势 | KIA原厂国产现货，交期稳定成本可控 |
| 适用场景1 | 笔记本/适配器高频PWM开关电源 |
| 适用场景2 | 充电宝、车载快充电源管理模块 |
| 适用场景3 | 电池保护、大电流电子负载开关 |
| 适用场景4 | 工业小功率DC-DC升降压电路 |
| SEO简介 | KNY8104A DFN5*6 40V30A低内阻MOS，可直代进口料 |
| 1.典型Rds(on)=12mΩ@VGS=10V低内阻 |
| 2.低Crss反向传输电容，高频性能优异 |
| 3.高速开关特性，开关延迟纳秒级 |
| 4.出厂100%雪崩能量可靠性测试 |
| 5.增强dv/dt抗扰，抑制电压尖峰 |
| 6.DFN5*6大面积焊盘，散热能力优秀 |
| 7.±20V宽栅压，驱动电路兼容性强 |
| 8.150℃宽温，高低温设备稳定运行 |
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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