AON6792 缺货替代料 KNY3404C DFN56 5mΩ 低内阻国产
信息来源：本站 日期：2026-06-23
AON6792 缺货替代料 KNY3404C DFN56 5mΩ 低内阻国产 MOS 管
缺货替代款：解决进口料交期长、涨价问题，参数全兼容可直贴
KNY3404C、KNY3404C DFN5*6、KIA 40V80A MOSFET、DFN56 大电流 MOS 管
| KNX3404C为高密度沟槽N沟道MOSFET，导通内阻、栅电荷表现优异，适配同步降压转换器；符合RoHS绿色产品标准，100%雪崩能量测试，全功能可靠性认证。 |
| 1.典型Rds(on)=5.0mΩ@VGS=10V，超低导通内阻 |
| 2.超小栅电荷Qg，开关损耗更低 |
| 3.100%雪崩能量EAS出厂全检保障 |
| 4.无铅绿色环保器件，符合RoHS |
| 5.优化抑制CdV/dt干扰，EMI更易调试 |
| 6.先进高密度沟槽芯片工艺，性能更强 |
| TO-252引脚号 | DFN5*6引脚号 | 引脚功能 |
|---|---|---|
| 1 | 4 | Gate 栅极G |
| 2 | 5,6,7,8 | Drain 漏极D |
| 3 | 1,2,3 | Source 源极S |
| 料号Part Number | 封装Package | 品牌Brand | 规格简述 |
|---|---|---|---|
| KND3404C | TO-252 | KIA SEMI | 80A 40V N沟道MOS |
| KNY3404C | DFN5*6 | KIA SEMI | 80A 40V N沟道MOS（目标款） |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | 40 | V | - |
| 栅源电压范围 | VGS | ±20 | V | - |
| 连续漏极电流Tc=25℃ | ID | 80 | A | VGS=10V |
| 连续漏极电流Tc=100℃ | ID | 58 | A | VGS=10V |
| 脉冲漏极峰值电流 | IDM | 150 | A | 脉冲工况 |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 110 | mJ | 电感负载 |
| 雪崩峰值电流 | IAS | 47 | A | - |
| 总耗散功率Tc=25℃ | PD | 52.1 | W | 受150℃结温限制 |
| 结温/存储温度区间 | TJ,TSTG | -55 ~ 150 | ℃ | - |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 62 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 2.4 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 40 | - | - | V |
| BVDSS温度系数 | ΔBVDSS/ΔTJ | 25℃基准，ID=1mA | - | 0.034 | - | V/℃ |
| 导通电阻TO-252 | RDS(on) | VGS=10V,ID=15A | - | 5.0 | 6.5 | mΩ |
| 导通电阻DFN5*6 | RDS(on) | VGS=10V,ID=10A | - | 5.0 | 6.5 | mΩ |
| 导通电阻TO-252 | RDS(on) | VGS=4.5V,ID=12A | - | 6.5 | 9 | mΩ |
| 导通电阻DFN5*6 | RDS(on) | VGS=4.5V,ID=5A | - | 6.5 | 9 | mΩ |
| 栅极开启阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250uA | 1.0 | - | 2.5 | V |
| VGS(th)温度系数 | ΔVGS(th)/ΔTJ | VGS=VDS,ID=250uA | - | -5.84 | - | mV/℃ |
| 漏源漏电流TJ=25℃ | IDSS | VDS=32V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 漏源漏电流TJ=55℃ | IDSS | VDS=32V,VGS=0V | - | - | 5 | uA |
| 栅源正向漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 正向跨导 | gfs | VDS=5V,ID=15A | - | 25 | - | S |
| 栅极内阻 | Rg | VDS=0V,f=1MHz | - | 1.5 | - | Ω |
| 总栅电荷VGS=4.5V | Qg | VDS=20V,ID=12A | - | 28 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=20V,ID=12A | - | 7.8 | - | nC |
| 栅漏米勒电荷 | Qgd | VDS=20V,ID=12A | - | 12.5 | - | nC |
| 开通延迟时间 | Td(on) | VDD=15V,VGS=10V,Rg=3.3Ω,ID=1A | - | 20 | - | ns |
| 上升时间 | Tr | VDD=15V,VGS=10V,Rg=3.3Ω,ID=1A | - | 11.5 | - | ns |
| 关断延迟时间 | Td(off) | VDD=15V,VGS=10V,Rg=3.3Ω,ID=1A | - | 84 | - | ns |
| 下降时间 | Tf | VDD=15V,VGS=10V,Rg=3.3Ω,ID=1A | - | 8.5 | - | ns |
| 输入电容Ciss | Ciss | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | - | 3330 | - | pF |
| 输出电容Coss | Coss | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | - | 270 | - | pF |
| 反向传输电容Crss | Crss | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | - | 200 | - | pF |
| 体二极管连续正向电流 | Is | VG=VD=0V | - | - | 80 | A |
| 体二极管脉冲峰值电流 | IsM | VG=VD=0V | - | - | 150 | A |
| 体二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,Is=1A,TJ=25℃ | - | - | 1 | V |
测试备注： 1. 标准测试板：1英寸FR4板材，2盎司铜箔 2. 脉冲测试：脉宽≤300us，占空比≤2% 3. EAS测试条件：VDD=25V,VGS=10V,L=0.1mH,IAS=47A 4. 功耗上限由150℃最大结温限制
| Fig1 输出特性：不同VGS下ID-VDS导通曲线 |
| Fig2 导通电阻随栅源电压变化曲线 |
| Fig3 体二极管正反向温度特性曲线 |
| Fig4 栅电荷Qg-VGS充放电特性曲线 |
| Fig5 阈值电压随结温变化归一曲线 |
| Fig6 Rds(on)随结温变化归一曲线 |
| Fig7 极间电容Ciss/Coss/Crss随VDS变化曲线 |
| Fig8 SOA安全工作区脉冲/直流负载曲线 |
| Fig9 瞬态热阻抗脉冲占空比响应曲线 |
| Fig10 阻性负载开关时序波形图 |
| Fig11 无钳位电感雪崩测试波形图 |
| 完整料号 | 封装规格 | 品牌 | 核心规格 |
|---|---|---|---|
| KNY3404C | DFN5*6 | KIA SEMI | N沟道 40V 80A MOSFET |
| KND3404C | TO-252 | KIA SEMI | 同芯片贴片TO封装版本 |
| 40V80A DFN5*6 MOS平替替代型号 |
|---|
| AON6792 |
| AOD484 |
| NCE4080K |
| CSD16325Q5A |
| IRLHS8756 |
| WPM8040 |
| SM4080NSQ |
| SI4080DY |
| UT4080G |
| FDMS0308AS |
| DMN4080LSSQ |
| PMV80XP |
| 文案分类 | 文案内容（单行≤35字符） |
|---|---|
| 主产品标题 | KNY3404C DFN5*6 40V80A低压沟槽MOSFET |
| SEO引流副标题1 | 5mΩ超低内阻 同步降压电源专用国产MOS |
| SEO引流副标题2 | 可直代AON6792 NCE4080K 现货交期稳定 |
| 工程师专业副标题 | 低栅电荷+抑制CdV/dt，高频开关损耗更低 |
| 可靠性卖点副标题 | 100%雪崩全检，110mJ高雪崩能量耐冲击 |
| 1.典型Rds(on)=5mΩ@10Vgs，导通损耗大幅降低 |
| 2.超小总栅电荷Qg=28nC，高频切换发热更小 |
| 3.高密度沟槽芯片工艺，80A大电流持续输出 |
| 4.优化CdV/dt抑制能力，整机EMI调试更简单 |
| 5.出厂100%EAS雪崩检测，电感负载不易炸管 |
| 6.DFN5*6大面积散热焊盘，高温温升控制优秀 |
| 7.-55~150℃宽温区间，工业设备稳定运行 |
| 8.符合RoHS绿色环保标准，无铅环保器件 |
| 9.2.4℃/W低热阻，大功率工况散热性能强 |
| 10.国产KIA原厂现货，替代进口料降本30%+ |
| 1.笔记本/服务器同步Buck降压电源转换器 |
| 2.大功率车载快充、车载DC-DC升降压模块 |
| 3.储能充电宝、大功率移动电源管理芯片 |
| 4.工业工控板、伺服设备大电流负载开关 |
| 5.电池保护板、储能电源大功率回路开关 |
| 6.适配器、快充头高频同步整流电源方案 |
| 版本分类 | 完整描述文案 |
|---|---|
| 通用批发版 | KIA原厂KNY3404C DFN5*6 40V80A N沟道MOSFET，典型内阻5mΩ，低栅电荷、强雪崩耐受，完美替代AON6792/NCE4080K，国产现货，适配同步降压电源、车载快充，免费送样测试！ |
| 工程师选型版 | KNY3404C DFN56沟槽MOS管，80A持续电流，抑制CdV/dt干扰，100%EAS检测，DFN大焊盘散热佳，适用于高频同步Buck、工业DC-DC，提供完整规格书与技术支持。 |
| 竞品替代引流版 | AON6792缺货断供？国产KNY3404C DFN5*6可直接替代，40V80A超低导通内阻，开关损耗更低，无进口交期风险，批量报价优势大，快充电源方案优选。 |
| 关键词分类 | 关键词内容 |
|---|---|
| 核心主关键词 | KNY3404C,KNY3404C DFN5*6,KIA 40V80A MOSFET |
| 选型长尾关键词 | KNY3404C参数,5mΩ低内阻MOS,DFN56大电流MOS管 |
| 竞品替代关键词 | AON6792替代,NCE4080K替代品,40V80A国产MOS |
| 行业应用关键词 | 同步降压MOS管,车载快充MOS,工业DC-DC功率管 |
| 痛点1：进口MOS交期久缺货→国产现货稳定供货 |
| 痛点2：电源发热严重→5mΩ超低内阻降低损耗 |
| 痛点3：高频EMI难调试→优化CdV/dt抑制干扰 |
| 痛点4：电感负载易烧管→110mJ高雪崩能量防护 |
| 痛点5：小封装电流不足→DFN5*6 80A大电流输出 |
| 痛点6：批量成本高→国产替代进口，大幅压缩成本 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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