KND3404D TO-252 40V80A N 沟道 MOS 管 | 低内阻替代进口
信息来源：本站 日期：2026-06-24
KND3404D TO-252 40V80A N 沟道 MOS 管 | 低内阻替代进口 MOS 管
国产替代 IR/ON/ST 同规格 MOS，交期稳定，批量试样免费提供样品
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| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 型号 | KND3404D(3404D) |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装 | TO-252 |
| 类型 | N沟道MOSFET |
| 额定电压Vdss | 40V |
| 连续电流Id(25℃) | 80A |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极G |
| 2 | Drain 漏极D |
| 3 | Source 源极S |
| 1. Vgs=10V时，典型导通电阻Rds(on)=4.4mΩ | |
| 2. 极低导通电阻Rds(on) | |
| 3. 低反向传输电容Crss | |
| 4. 开关速度快 Fast switching | |
| 5. 100%雪崩能量EAS全检 | |
| 6. 提升dv/dt抗冲击能力 |
| 1. PWM脉冲开关电路 | 2. 电源管理Power Management |
| 3. 负载开关 Load switch | |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 40 | V |
| 连续漏极电流(25℃) | Id | 80 | A |
| 连续漏极电流(100℃) | Id | 52 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | IdM | 320 | A |
| 栅源电压范围 | Vgs | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 104 | mJ |
| 壳温25℃功耗 | Pd | 77 | W |
| 结温/存储温度 | Tj,Tstg | -55~150 | ℃ |
| 焊接引脚极限温度(5s) | Tl | 300 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.95 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=40V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 高温漏源漏电流 | Idss | Vds=32V,Tc=125℃ | - | - | 10 | uA |
| 栅源正向漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 导通电阻1 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=30A | - | 4.4 | 5.5 | mΩ |
| 导通电阻2 | Rds(on) | Vgs=4.5V,Id=20A | - | 6.5 | 10 | mΩ |
| 输入电容 | Ciss | Vds=20V,Vgs=0,1MHz | - | 3045 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=20V,Vgs=0,1MHz | - | 388 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=20V,Vgs=0,1MHz | - | 234 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vgs=10V,Vds=20V,Rg=3Ω,Id=30A | - | 6 | - | ns |
| 上升时间 | tr | 同上 | - | 17 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | 同上 | - | 23 | - | ns |
| 下降时间 | tf | 同上 | - | 12 | - | ns |
| 总栅电荷(10V) | Qg | Vds=20V,Id=30A,Vgs=10V | - | 58 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 同上 | - | 10 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | 同上 | - | 9 | - | nC |
| 体二极管连续电流 | Is | - | - | - | 80 | A |
| 体二极管脉冲电流 | IsM | - | - | - | 320 | A |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Isd=30A,Vgs=0,Tj=25℃ | - | 1.2 | - | V |
| 反向恢复时间 | trr | If=20A,di/dt=100A/us,Tj=25℃ | - | 22 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 同上 | - | 11 | - | nC |
| 1.脉冲参数受最大结温限制；脉宽≤300us，占空比≤0.5% |
| 2.EAS测试条件：Tj=25℃,Vdd=20V,Vgs=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω,Ias=20A |
| 3.电容定义：Ciss=Cgs+Cgd；Coss=Cds+Cgd；Crss=Cgd |
| 1.导通区域Id-Vds曲线(不同Vgs电压) |
| 2.转移特性Id-Vgs(25℃/125℃对比) |
| 3.Rds(on)随电流、栅压变化曲线 |
| 4.体二极管正向VF与温度/电流曲线 |
| 5.电容Ciss/Coss/Crss随Vds变化曲线 |
| 6.栅极电荷Qg-Vgs充电曲线 |
| 7.击穿电压BVdss随结温变化 |
| 8.导通电阻Rds(on)温度漂移曲线 |
| 9.SOA安全工作区(脉冲/直流边界) |
| 10.最大持续Id随结温Tj衰减曲线 |
| 11.瞬态热阻抗响应曲线(不同占空比) |
| 电路名称 | 测试用途 |
|---|---|
| 栅电荷测试电路 | 测量Qg/Qgs/Qgd栅电荷参数 |
| 电阻负载开关测试电路 | 测开通/关断时间tr/tf/td |
| 无钳位电感开关电路 | 雪崩能量EAS、电感冲击测试 |
| 二极管反向恢复dv/dt电路 | trr/Qrr、体二极管恢复特性 |
| 宣传板块 | 文案内容 |
|---|---|
| 产品标题 | KND3404D 40V80A N沟道MOS管 TO-252低内阻功率管 |
| 核心卖点短标语 | 4.4mΩ超低导通电阻｜高速开关｜100%雪崩检测 |
| 产品简介 | KIA KND3404D为TO-252封装40V/80A N沟道MOSFET， 搭载极低Rds(on)，开关速度快，抗dv/dt冲击强， 适配各类PWM电源、负载开关、DC-DC管理电路。 原厂全流程雪崩测试，器件稳定性高，量产一致性优。 |
| 核心优势介绍 | 1.VGS=10V典型Rds(on)=4.4mΩ，导通损耗极低 2.低Crss反向电容，开关损耗小，高频工况更省电 3.完整雪崩能量认证，电感负载不易击穿 4.提升dv/dt耐受能力，抑制开关尖峰干扰 5.TO-252贴片封装，散热优良，适合自动化贴装 6.宽温工作区间-55℃~150℃，工业级稳定可靠 |
| 适用行业场景 | 电动车控制器、车载电源、快充适配器、 DC-DC降压升压模块、锂电池保护板、 工业负载开关、LED驱动、服务器电源管理 |
| 采购推荐话术 | 替代传统40V/70A/80A贴片MOS管， 同等封装电流余量更大，内阻更低，温升更小； 原厂现货稳定供货，支持批量试样、定制配套方案， 技术团队可提供开关电路、散热配套设计支持。 |
| 参数项目 | 参数数值 |
|---|---|
| 原厂型号 | KND3404D（丝印3404D） |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装 | TO-252(DPAK) |
| 沟道类型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 漏源耐压Vdss | 40V |
| 连续漏极电流Id(25℃) | 80A |
| 连续漏极电流Id(100℃) | 52A |
| 脉冲峰值电流IdM | 320A |
| 典型导通电阻Rds(on) | 4.4mΩ@VGS=10V,Id=30A |
| 栅极电压范围VGS | ±20V |
| 单脉冲雪崩能量EAS | 104mJ |
| 25℃壳温最大功耗Pd | 77W |
| 工作结温区间 | -55℃ ~ +150℃ |
| 结壳热阻RθJC | 1.95℃/W |
| 引脚定义 | 1-G栅极｜2-D漏极｜3-S源极 |
| 竞品品牌 | 竞品型号（竖向单列） |
|---|---|
| ON安森美 |
NTD4960N NTD4858N NTD4959N |
| IR英飞凌 |
IRLR8726 IRLB8721 IRL8113 |
| ST意法 |
STD80N40F6 STD75N40F6 |
| 东芝Toshiba |
TK80S40N1 TK75S40N1 |
| 富鼎APEC |
AP80T40GP AP75T40GP |
| 扬杰YANGJIE |
YJD80N40A YJD75N40A |
| 华润华晶CRMicro |
CJ80N40 CJ75N40 |
| 台富微UTC |
80N40L 75N40L |
| 士兰微Silan |
SDM8040 SDM7540 |
| 平伟PW |
PW80N40 PW75N40 |
| 对比维度 | KND3404D优势说明 |
|---|---|
| 导通内阻 | 典型4.4mΩ，低于多数同电流竞品， 大电流工况发热更低，降低散热成本 |
| 雪崩可靠性 | 出厂100%雪崩能量全检，竞品多为抽样检测， 电感负载、电机驱动场景故障率更低 |
| 开关特性 | Crss仅234pF，反向电容更小， 高频PWM电路开关损耗优于竞品，能效更高 |
| dv/dt耐受 | 优化工艺提升抗电压尖峰能力， 减少EMI干扰，无需额外增加吸收电路 |
| 供货交期 | KIA原厂自有晶圆产线，现货库存稳定， 国产替代进口竞品，价格交期双优势 |
| 量产一致性 | 低内阻参数离散区间窄，批量生产 产品温升差异小，适配自动化大批量生产 |
| 特性分类 | 核心参数 |
|---|---|
| 栅极电荷 | Qg=58nC Qgs=10nC Qgd=9nC |
| 开关时间 | td(on)=6ns tr=17ns td(off)=23ns tf=12ns |
| 寄生电容 | Ciss=3045pF Coss=388pF Crss=234pF |
| 体二极管 | 正向压降1.2V trr=22ns Qrr=11nC |
| 阈值电压 | VGS(th) 1.0V~2.5V，典型1.5V |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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