KCD3304A TO-252 40V90A SGT｜替代进口低损耗功率管
信息来源：本站 日期：2026-06-24
KCD3304A TO-252 40V90A SGT MOS 管｜替代进口低损耗功率管
SGT 工艺 Crss 仅 26pF，解决高频开关发热、EMI 尖峰超标难题
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| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 完整型号 | KCD3304A（丝印3304A） |
| 品牌厂商 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装形式 | TO-252(DPAK) |
| 器件类型 | N沟道高速开关功率MOSFET |
| 额定耐压Vds | 40V |
| 25℃连续电流Id | 90A |
| 引脚序号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极 G |
| 2 | Drain 漏极 D |
| 3 | Source 源极 S |
| 1. 采用先进SGT沟槽工艺 | |
| 2. VGS=10V时典型Rds(on)=6.2mΩ | |
| 3. 超低栅极电荷，开关损耗极低 | |
| 4. 环保无铅器件版本可供应 | |
| 5. 优异CdV/dt抑制能力，降低EMI尖峰 | |
| 6. 出厂100%ΔVds全项检测 | |
| 7. 出厂100%UIS单脉冲雪崩能量全检 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压(VGS=0V) | VDS | 40 | V |
| 栅源电压范围(VDS=0V) | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 Tc=25℃ | Id | 90 | A |
| 连续漏极电流 Tc=100℃ | Id | 58 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | IdM | 240 | A |
| 壳温25℃最大功耗 | Pd | 51.7 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 72 | mJ |
| 结温/存储温度区间 | Tj,Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 2.9 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=40V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 1.0 | 1.6 | 2.5 | V |
| 导通电阻1 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=10A | - | 6.2 | 7.5 | mΩ |
| 导通电阻2 | Rds(on) | Vgs=4.5V,Id=8A | - | 9.5 | 12 | mΩ |
| 栅极内阻 | Rg | Vds=0V,1MHz | - | 6.0 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | Vds=20V,1MHz | - | 750 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=20V,1MHz | - | 210 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=20V,1MHz | - | 26 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vds=20V,Rg=5Ω,Id=10A | - | 14 | - | ns |
| 上升时间 | tr | 同上测试条件 | - | 6 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | 同上测试条件 | - | 16 | - | ns |
| 下降时间 | tf | 同上测试条件 | - | 10 | - | ns |
| 总栅电荷 | Qg | Vds=20V,Vgs=10V,Id=10A | - | 13.5 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 同上栅电荷条件 | - | 2.1 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | 同上栅电荷条件 | - | 3.2 | - | nC |
| 体二极管连续电流 | IsD | 无 | - | - | 90 | A |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Isd=15A,Tj=25℃ | - | 1.2 | - | V |
| 二极管反向恢复时间 | trr | If=15A,di/dt=100A/us | - | 22 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 同上trr测试条件 | - | 11 | - | nC |
| 1. 测试基板：1平方英寸FR4、2盎司铜箔标准板 |
| 2. 脉冲测试规则：脉宽≤300us，占空比≤2% |
| 3. EAS雪崩测试条件：VDD=24V,L=0.5mH,Ias=17A |
| 4. 器件功耗上限受175℃最高结温约束 |
| 5. 体二极管电流理论等同Id/IdM，实际受功耗限制 |
| 6. 器件固有开通时间可忽略，由td(on)+tr决定ton |
| Fig1 输出特性Id-Vds（多Vgs电压对比） |
| Fig2 转移特性Id-Vgs脉冲测试曲线 |
| Fig3 Rds(on)随漏极电流变化曲线 |
| Fig4 最大连续Id随外壳温度衰减曲线 |
| Fig5 栅极电荷Qg-Vgs充电曲线 |
| Fig6 Ciss/Coss/Crss电容随Vds变化曲线 |
| Fig7 归一化击穿电压随结温变化曲线 |
| Fig8 归一化导通电阻温度漂移曲线 |
| Fig9 SOA安全工作区（单脉冲/直流边界） |
| Fig10 体二极管正向Id-Vsd特性曲线 |
| Fig11 瞬态热阻抗曲线（多占空比） |
| 电路编号 | 电路名称 | 测试用途 |
|---|---|---|
| Fig12 | 栅电荷测试电路 | 测量Qg/Qgs/Qgd栅电荷参数 |
| Fig13 | 电阻负载开关电路 | 测开通/关断时间tr/tf/td |
| Fig14 | 无钳位电感开关电路 | 雪崩能量EAS、UIS冲击测试 |
| 文案板块 | 完整文案内容 |
|---|---|
| 产品标题 | KCD3304A TO-252 40V90A SGT高速N沟道功率MOS管 |
| 引流短标语 | 超低栅电荷｜强抗dv/dt｜100%UIS雪崩全检 |
| 产品简介 | KIA原厂KCD3304A采用新一代SGT沟槽工艺，TO-252贴片封装，额定40V耐压、90A连续大电流。 极低总栅电荷搭配26pF超低Crss，大幅降低高频开关损耗；优化CdV/dt抑制结构，减少EMI电磁尖峰。 出厂100%UIS雪崩、ΔVds双重全检，72mJ雪崩能量，电感、电机负载不易击穿。 支持环保无铅版本供货，国产平替进口同规格MOS，适配快充、车载、工业电源全场景。 |
| 核心产品优势 | 1.SGT先进沟槽工艺，同等封装电流承载能力更强 2.典型Qg仅13.5nC，栅极驱动损耗低，高频电源能效提升 3.Crss仅26pF反向电容，抑制开关尖峰，省去吸收电路 4.优异CdV/dt耐受，降低整机EMI整改成本 5.100%UIS雪崩全检，电感负载工况稳定性远超抽样竞品 6.-55℃~150℃宽温区间，工业设备长期运行可靠 7.KIA自有产线现货供应，规避进口器件涨价断货风险 |
| 适用行业场景 | 大功率PD快充、DC-DC升降压模块、车载供电电源、 锂电池储能保护板、两轮电动车控制器、工业LED驱动、 工业负载开关、小型UPS逆变、智能小家电电源管理 |
| 采购转化话术 | 完美替代ON、IR、ST、东芝进口90A40V TO252功率MOS； 免费提供样品、原厂完整规格书，配套电路散热技术支持； 批量订货阶梯价优惠，长期稳定库存，交期可控无波动。 |
| 参数项目 | 对应参数值 |
|---|---|
| 原厂料号 | KCD3304A（丝印3304A） |
| 品牌厂商 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装规格 | TO-252(DPAK贴片) |
| 器件类型 | N沟道高速开关功率MOSFET |
| 漏源耐压Vds | 40V |
| 25℃连续电流Id | 90A |
| 脉冲峰值电流IdM | 240A |
| Rds(on)@Vgs=10V | 典型6.2mΩ |
| 总栅电荷Qg | 典型13.5nC |
| 反向传输电容Crss | 典型26pF |
| 单脉冲雪崩能量EAS | 72mJ |
| 工作结温范围 | -55℃ ~ 150℃ |
| 引脚功能定义 | 1-G栅极 2-D漏极 3-S源极 |
| 竞品品牌 | 平替替代型号（竖排换行窄屏适配） |
|---|---|
| 安森美 ON Semiconductor |
NTD90N04T4G NTD89N04 NTD88N04 |
| 英飞凌 IR |
IRLR9040 IRLB9040 IRL8042 |
| 意法半导体 ST |
STD90N40F6 STD85N40F6 |
| 东芝 Toshiba |
TK90S40N1 TK85S40N1 |
| 富鼎 APEC |
AP90T40GP AP85T40GP |
| 扬杰 YANGJIE |
YJD90N40A YJD85N40A |
| 华润华晶 CRMicro |
CJ90N40 CJ85N40 |
| 士兰微 Silan |
SDM9040 SDM8540 |
| 台富微 UTC |
90N40L 85N40L |
| 平伟 PW |
PW90N40 PW85N40 |
| 对比维度 | KCD3304A独有竞争优势 |
|---|---|
| 芯片工艺 | 新一代SGT沟槽工艺，电流承载能力优于传统平面MOS竞品 |
| 栅极电荷 | Qg仅13.5nC，远低于同电流竞品，高频PWM损耗更低 |
| 寄生Crss电容 | Crss低至26pF，开关尖峰更小，节省RC吸收元器件成本 |
| 抗dv/dt能力 | 专门优化CdV/dt特性，抑制EMI干扰，适配车载快充严苛环境 |
| 出厂检测标准 | 100%UIS雪崩+ΔVds双重全检，多数竞品仅抽样检测，可靠性更高 |
| 供货成本 | 国产原厂自有晶圆产线，现货充足，价格、交期优于进口竞品 |
| 参数分类 | 核心电气数值 |
|---|---|
| 栅电荷参数 | Qg=13.5nC Qgs=2.1nC Qgd=3.2nC |
| 开关时序参数 | td(on)=14ns tr=6ns td(off)=16ns tf=10ns |
| 寄生电容参数 | Ciss=750pF Coss=210pF Crss=26pF |
| 体二极管参数 | Vsd=1.2V trr=22ns Qrr=11nC |
| 栅极开启阈值 | VGS(th) 1.0V~2.5V，典型值1.6V |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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