KCY3104S DFN5*6 40V110A SGT｜1.5mΩ 低发热同步整流管
信息来源：本站 日期：2026-06-24
KCY3104S DFN5*6 40V110A SGT MOS 管｜1.5mΩ 低发热同步整流管
1.5mΩ 超低内阻，解决大功率电源温升超标、效率低难题
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| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 完整型号 | KCX3104S |
| 品牌厂商 | KIA SEMICONDUCTORS |
| 封装形式 | DFN5*6 |
| 器件类型 | N沟道功率MOSFET |
| 额定耐压Vds | 40V |
| 典型导通电阻 | 1.5mΩ@VGS=10V |
| 引脚序号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 4 | Gate 栅极 G |
| 5,6,7,8 | Drain 漏极 D |
| 1,2,3 | Source 源极 S |
| 1. VGS=10V时典型Rds(on)=1.5mΩ超低内阻 | |
| 2. 采用先进SGT沟槽工艺 | |
| 3. 低栅极电荷，开关损耗低 | |
| 4. 大电流承载能力，连续110A | |
| 5. 符合RoHS无卤环保标准 |
| 1. SMPS同步整流电源电路 | |
| 2. DC/DC升降压转换电路 | |
| 3. Or-ing电源均流防倒灌电路 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | 40 | V |
| 栅源电压范围 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 Tc=25℃ | Id | 110 | A |
| 连续漏极电流 Tc=100℃ | Id | 82 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | IdM | 400 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 400 | mJ |
| 雪崩峰值电流 | IAS | 40 | A |
| 壳温25℃最大功耗 | Pd | 125 | W |
| 结温/存储温度区间 | Tj,Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 50 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=-250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏电流25℃ | Idss | Vds=32V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 漏源漏电流125℃ | Idss | Vds=32V,Vgs=0V | - | - | 5 | uA |
| 栅源漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| 导通电阻1 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=20A | - | 1.5 | 2.0 | mΩ |
| 导通电阻2 | Rds(on) | Vgs=4.5V,Id=20A | - | 2.0 | 2.8 | mΩ |
| 正向跨导 | gfs | Vds=5V,Id=20A | - | 50 | - | S |
| 栅极内阻 | Rg | Vds=0V,F=1MHz | - | 1.0 | - | Ω |
| 总栅电荷@4.5V | Qg | Vds=15V,Vgs=10V,Id=20A | - | 45 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 同上栅电荷条件 | - | 12 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | 同上栅电荷条件 | - | 18 | - | nC |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=15V,Rg=3.3Ω,Id=20A | - | 19 | - | ns |
| 上升时间 | tr | 同上开关测试条件 | - | 10 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | 同上开关测试条件 | - | 58 | - | ns |
| 下降时间 | tf | 同上开关测试条件 | - | 32 | - | ns |
| 输入电容 | Ciss | Vgs=0V,Vds=20V,F=1MHz | - | 3950 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | 同上电容测试条件 | - | 1100 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | 同上电容测试条件 | - | 80 | - | pF |
| 体二极管连续电流 | Is | VG=VD=0V | - | - | 110 | A |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Vgs=0V,Is=1A,Tj=25℃ | - | - | 1.4 | V |
| 1. 测试基板：1平方英寸FR4、2盎司铜箔标准板 |
| 2. 脉冲测试规则：脉宽≤300us，占空比≤2% |
| 3. EAS雪崩测试条件：VDD=25V,L=0.5mH,Ias=40A |
| 4. 器件功耗上限受150℃最高结温约束 |
| 5. 体二极管电流等同Id/IdM，实际受整机功耗限制 |
| 6. 封装硬件最大限流110A，不可超封装额定电流 |
| Fig1 输出特性Id-Vds（多Vgs电压对比） |
| Fig2 Rds(on)随栅极Vgs电压变化曲线 |
| Fig3 体二极管正向Id-Vsd高低温对比曲线 |
| Fig4 栅极电荷Qg-Vgs充电特性曲线 |
| Fig5 归一化开启阈值Vgs(th)温度漂移曲线 |
| Fig6 归一化导通电阻Rds(on)温度漂移曲线 |
| Fig7 Ciss/Coss/Crss电容随Vds变化曲线 |
| Fig9 SOA安全工作区（单脉冲/直流边界） |
| Fig9 瞬态热阻抗曲线（多占空比） |
| 图号 | 测试用途 |
|---|---|
| Fig10 | 电阻负载开关时序波形，测td/tr/tf参数 |
| Fig11 | 无钳位电感雪崩EAS冲击测试波形 |
| 文案板块 | 完整文案内容 |
|---|---|
| 产品标题 | KCX3104S DFN5*6 40V110A SGT超低内阻N沟道MOS管 |
| 引流短标语 | 1.5mΩ极致低内阻｜400mJ高雪崩｜大电流同步整流专用 |
| 产品简介 | KIA原厂KCX3104S采用新一代SGT沟槽工艺，DFN5*6超薄贴片封装，额定40V耐压、110A连续大电流。 典型Rds(on)仅1.5mΩ，导通损耗极低；搭配低栅电荷设计，高频开关损耗小。 单脉冲雪崩能量高达400mJ，抗电感冲击能力强，杜绝炸管失效。 无卤RoHS环保制程，专为大功率同步整流、DC-DC、电源Or-ing电路打造， 完美平替进口DFN5*6同规格功率MOS，量产一致性稳定，现货充足。 |
| 核心产品优势 | 1.SGT先进沟槽工艺，110A超大持续电流承载能力 2.典型1.5mΩ超低导通内阻，大电流工况温升大幅降低 3.400mJ超高雪崩能量，电机/电感负载可靠性拉满 4.低Qg栅极电荷，高频SMPS电源转换效率更高 5.RθJC仅1℃/W优异导热，DFN5*6封装散热表现突出 6.宽温-55℃~150℃稳定运行，工业/消费电源通用 7.无卤环保合规，原厂直供，替代进口规避涨价断货 |
| 适用行业场景 | 大功率快充同步整流、服务器DC-DC降压模块、 笔记本电源适配器、储能电源Or-ing防倒灌电路、 电动车车载电源、工业开关电源、大功率锂电充放电板 |
| 采购转化话术 | 完美替代安森美、英飞凌、富鼎DFN5*6 40V100~110A MOS； 免费提供样品、原厂完整规格书，配套电源电路散热设计支持； 大批量订货阶梯价优惠，长期稳定库存，交期可控无波动。 |
| 参数项目 | 对应参数值 |
|---|---|
| 原厂料号 | KCX3104S（DFN5*6封装） |
| 品牌厂商 | KIA SEMICONDUCTORS |
| 封装规格 | DFN5*6 8引脚贴片 |
| 器件类型 | N沟道SGT功率MOSFET |
| 漏源耐压Vds | 40V |
| 25℃连续电流Id | 110A |
| 脉冲峰值电流IdM | 400A |
| Rds(on)@Vgs=10V | 典型1.5mΩ |
| 单脉冲雪崩能量EAS | 400mJ |
| 总栅电荷Qg | 典型45nC |
| 结壳热阻RθJC | 1℃/W |
| 工作结温范围 | -55℃ ~ 150℃ |
| 引脚功能定义 | 4-G；5/6/7/8-D；1/2/3-S |
| 竞品品牌 | 平替替代型号（竖排换行窄屏适配） |
|---|---|
| 安森美 ON Semiconductor |
NVMFS5C410NL NVMFS5C406NL NVMFS5C412NL |
| 英飞凌 Infineon |
BSC110N04LSG BSC100N04LSG IAUC110N04S6L |
| 富鼎 APEC |
AP110N04DFN56 AP100N04DFN56 |
| 意法 ST |
STL110N4LF6 STL100N4LF6 |
| 东芝 Toshiba |
TK110S04N6 TK100S04N6 |
| 扬杰 YANGJIE |
YJD110N04DF56 YJD100N04DF56 |
| 华润华晶 CRMicro |
CJ110N04DFN56 CJ100N04DFN56 |
| 士兰微 Silan |
SDM11040D56 SDM10040D56 |
| 台富微 UTC |
110N40DF56 100N40DF56 |
| 平伟 PW |
PW110N40DF56 PW100N40DF56 |
| 对比维度 | KCX3104S独有竞争优势 |
|---|---|
| 导通内阻 | 典型1.5mΩ，低于同电流竞品，大电流发热更低，降低散热成本 |
| 雪崩耐受能力 | 400mJ超高EAS，远高于市面同封装MOS，电感负载不易击穿 |
| 导热性能 | RθJC仅1℃/W，DFN5*6封装散热性能优于多数竞品 |
| SGT工艺架构 | 新一代沟槽结构，同等芯片面积电流承载能力更强 |
| 开关损耗控制 | 优化栅电荷参数，高频同步整流电源整机效率更高 |
| 供货成本 | 国产原厂自有晶圆产线，现货充足，价格交期优于进口竞品 |
| 参数分类 | 核心电气数值 |
|---|---|
| 栅电荷参数 | Qg=45nC Qgs=12nC Qgd=18nC |
| 开关时序参数 | td(on)=19ns tr=10ns td(off)=58ns tf=32ns |
| 寄生电容参数 | Ciss=3950pF Coss=1100pF Crss=80pF |
| 体二极管参数 | Is=110A Vsd最大1.4V |
| 栅极开启阈值 | VGS(th) 1.2V~2.5V，典型值1.6V |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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