KNP2404A 规格书 TO-220 40V190A N 沟道 KIA 原厂现货
信息来源：本站 日期：2026-06-26
KNP2404A 规格书 TO-220 40V190A N 沟道 MOS 管 KIA 原厂现货
IRF3205 升级替代 KNP2404A TO-220 190A 大电流低内阻 MOS 管
KNP2404A,KNP2404A TO-220,40V190A 直插 MOS 管，TO220 功率 MOSFET,KIA 直插 MOS 管
型号：KNX2404A | 规格：40V/190A N-CHANNEL MOSFET
料号：KNP2404A(TO-220)、KNB2404A(TO-263) | 品牌：KIA
| Rds(on)典型2.2mΩ@Vgs=10V |
| 无铅环保绿色器件，符合环保标准 |
| 低导通内阻，大幅降低导通损耗 |
| 高雪崩电流，浪涌冲击耐受能力强 |
| 各类开关电源供电设备 |
| DC-DC升降压转换电路 |
| 引脚Pin | 功能Function |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极G |
| 2、4 | Drain 漏极D |
| 3 | Source 源极S |
内置N沟道MOS并联体二极管
| 料号Part Number | 封装Package | 品牌Brand |
|---|---|---|
| KNP2404A | TO-220 | KIA |
| KNB2404A | TO-263 | KIA |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 40 | V |
| 栅源电压 | Vgs | ±25 | V |
| 连续漏极电流(Tc=25℃芯片极限) | Id | 190 | A |
| 连续漏极电流(Tc=25℃封装极限) | Id | 120 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃芯片极限) | Id | 109 | A |
| Tc=25℃脉冲漏极电流 | Idp | 480 | A |
| 雪崩电流(L=0.5mH) | Ias | 46 | A |
| 单脉冲雪崩能量(L=0.5mH) | Eas | 529 | mJ |
| 最大功耗(Tc=25℃) | Pd | 123 | W |
| 最大功耗(Tc=100℃) | Pd | 82 | W |
| 结温/存储温度区间 | Tj、Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
备注：漏极电流受最大结温限制
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | Rθjc | 1.02 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | Rθja | 80 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Bvdss | Vgs=0V,Ids=250μA | 40 | - | - | V |
| 零栅压漏极漏电流 | Idss | Vds=64V,Vgs=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Ids=250μA | 2 | - | 4 | V |
| 栅源漏电流 | Igss | Vgs=±25V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 导通内阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Ids=30A | - | 2.2 | 3.5 | mΩ |
| 正向跨导 | Gfs | Vds=5V,Id=40A | - | 135 | - | S |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Isd=40A,Vgs=0V | - | 0.9 | 1.3 | V |
| 体二极管连续正向电流 | Is | MOS内置PN二极管 | - | - | 190 | A |
| 体二极管反向恢复时间 | trr | Is=40A,di/dt=100A/μs | - | 55 | - | nS |
| 体二极管反向恢复电荷 | Qrr | Is=40A,di/dt=100A/μs | - | 70 | - | nC |
| 栅极串联内阻 | Rg | Vgs=0V,Vds=0V,F=1MHz | - | 2.0 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | Vgs=0V,Vds=25V,F=1MHz | - | 6010 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vgs=0V,Vds=25V,F=1MHz | - | 1400 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vgs=0V,Vds=25V,F=1MHz | - | 675 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=25V,Id=90A,Rg=2.7Ω,Vgs=10V | - | 25 | - | nS |
| 上升时间 | tr | Vdd=25V,Id=90A,Rg=2.7Ω,Vgs=10V | - | 102 | - | nS |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=25V,Id=90A,Rg=2.7Ω,Vgs=10V | - | 62 | - | nS |
| 下降时间 | tf | Vdd=25V,Id=90A,Rg=2.7Ω,Vgs=10V | - | 84 | - | nS |
| 总栅电荷Qg | Qg | Vds=40V,Vgs=10V,Id=32A,F=1MHz | - | 150 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | Qgs | Vds=40V,Vgs=10V,Id=32A,F=1MHz | - | 32 | - | nC |
| 栅漏米勒电荷Qgd | Qgd | Vds=40V,Vgs=10V,Id=32A,F=1MHz | - | 70 | - | nC |
料号：KNP2404A | 封装：TO-220直插 | 40V/190A N沟道功率MOSFET
同系列贴片型号：KNB2404A（TO-263封装）
| Fig1：输出特性 Id-Vds 多组Vgs驱动曲线 |
| Fig2：转移特性 Id-Vgs 25℃/150℃温度对比 |
| Fig3：Rds(on)随漏极电流、栅压变化曲线 |
| Fig4：Rds(on)随栅极驱动电压变化曲线 |
| Fig5：归一化导通内阻随结温变化曲线 |
| Fig6：Ciss/Coss/Crss电容随Vds电压变化曲线 |
| Fig7：栅电荷Qg-Vgs充电特性曲线 |
| Fig8：内置体二极管正向伏安特性曲线 |
| Fig9：最大允许功耗Ptot与外壳温度Tc曲线 |
| Fig10：连续漏极电流Id随外壳温度降额曲线 |
| Fig11：安全工作区SOA 直流/多时长脉冲曲线 |
| Fig12：瞬态热阻抗ZthJC 不同占空比曲线 |
| 文案板块 | 宣传文案内容 |
|---|---|
| 核心卖点文案 | 超低2.2mΩ导通内阻，190A大电流降低电源发热； 529mJ超高雪崩耐量，浪涌冲击耐受强，工作稳定可靠。 |
| 行业应用文案 | 适配大功率开关电源、工业DC-DC转换、储能充电设备； TO-220直插封装可加装散热片，适合持续大电流工况。 |
| 采购优势文案 | KIA原厂稳定现货供货，无铅环保器件符合安规； 可直接替换市面同规格TO-220 MOS，样品免费支持测试。 |
| 对标型号 | 40V/180-200A TO-220 N沟道MOS平替替代型号清单（竖排） |
|---|---|
|
KNP2404A 40V190A TO-220 |
IRF3205 IRL40SC180 FQP40N190 NCEP40T190A WFP40190 STP40NF180 TP40190NL SPP40N180L FQN40C190 CSD16320 |
| 参数名称 | 符号 | 额定数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | Vdss | 40 | V |
| 25℃芯片极限连续电流 | Id | 190 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | Idp | 480 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 529 | mJ |
| 典型导通内阻@10V | Rds(on) | 2.2 | mΩ |
| 25℃最大散热功耗 | Pd | 123 | W |
| 料号 | 封装形式 | 引脚定义 | 品牌 |
|---|---|---|---|
| KNP2404A | TO-220 直插 | 1=G；2/4=D；3=S | KIA |
| KNB2404A | TO-263 贴片 | 1=G；2/4=D；3=S | KIA |
| 1. 极低Rds(on)=2.2mΩ，大幅降低导通发热与功率损耗 |
| 2. 190A持续通流，480A脉冲峰值，适配大功率输出场景 |
| 3. 529mJ高雪崩能量，电路短路、浪涌保护能力更强 |
| 4. TO-220直插封装，加装散热片后散热效率优秀 |
| 5. 宽温工作区间-55~150℃，工业、储能电源通用器件 |
| 6. 无铅绿色环保工艺，满足各类电源产品安规认证需求 |
联系方式：邹先生
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