KCY1704B 40V260A DFN5*6｜超低 1mΩ 内阻解决快充发热痛点
信息来源：本站 日期：2026-06-29
KCY1704B 40V260A DFN5*6 MOS 管｜超低 1mΩ 内阻解决快充发热痛点
解决客户痛点：电源发热、电流不足、开关损耗大、雪崩易损坏；SGT 工艺 1mΩ 超低内阻，260A 大电流稳定输出，DFN5*6 小封装适配快充 / 储能 / 车载电源
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| 型号 | KCY1704B |
|---|---|
| 丝印 | 1704B |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装 | DFN5*6 |
| 类型 | N沟道SGT MOSFET |
| 额定电压 | 40V VDSS |
| 连续电流(25℃) | 260A ID |
| 1. 先进SGT工艺 |
| 2. VGS=10V时Rds(on)典型值1.0mΩ |
| 3. 开关速度快 |
| 4. 极低导通电阻Rds(on) |
| 1. 同步整流 |
| 2. 电源管理 |
| 3. DC-DC降压升压转换器 |
| 引脚Pin | 功能Function |
|---|---|
| 4 | Gate 栅极G |
| 5,6,7,8 | Drain 漏极D |
| 1,2,3 | Source 源极S |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDSS | 40 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±20 | V |
| 连续漏电流(Tc=25℃) | ID | 260 | A |
| 连续漏电流(Tc=100℃) | ID | 167 | A |
| 脉冲漏电流(VGS=10V) | IDM | 780 | A |
| 单脉冲雪崩能量L=1mH | EAS | 750 | mJ |
| 最大耗散功率 | PD | 147 | W |
| 引脚焊接温度10s | TL | 300 | ℃ |
| 本体焊接温度10s | Tpak | 260 | ℃ |
| 工作/存储温度 | TJ&TSTG | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.85 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 50 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0,ID=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏电流1 | IDSS | VDS=40V,VGS=0 | - | - | 1 | uA |
| 漏源漏电流2 | IDSS | VDS=32V,VGS=0,Tj=125℃ | - | - | 100 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0 | - | - | ±100 | nA |
| 导通电阻1 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=50A | - | 1.0 | 1.25 | mΩ |
| 导通电阻2 | RDS(ON) | VGS=4.5V,ID=50A | - | 1.4 | 1.7 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250uA | 1.0 | - | 2.5 | V |
| 栅极串联电阻 | RG | f=1.0MHz | - | 2.75 | - | Ω |
| 输入电容 | CISS | VGS=0,VDS=25V,f=1MHz | - | 6100 | - | pF |
| 输出电容 | COSS | VGS=0,VDS=25V,f=1MHz | - | 2650 | - | pF |
| 反向传输电容 | CRSS | VGS=0,VDS=25V,f=1MHz | - | 175 | - | pF |
| 总栅电荷 | QG | VDD=20V,ID=50A,VGS=0~10V | - | 81 | - | nC |
| 栅源电荷 | QGS | VDD=20V,ID=50A,VGS=0~10V | - | 15 | - | nC |
| 栅漏米勒电荷 | QGD | VDD=20V,ID=50A,VGS=0~10V | - | 12 | - | nC |
| 开通延迟时间 | td(ON) | VDD=20V,ID=50A,RG=2.5Ω,VGS=10V | - | 14 | - | nS |
| 上升时间 | trise | VDD=20V,ID=50A,RG=2.5Ω,VGS=10V | - | 35 | - | nS |
| 关断延迟时间 | td(OFF) | VDD=20V,ID=50A,RG=2.5Ω,VGS=10V | - | 80 | - | nS |
| 下降时间 | tfall | VDD=20V,ID=50A,RG=2.5Ω,VGS=10V | - | 28 | - | nS |
| 体二极管连续源电流 | ISD | 集成PN体二极管 | - | - | 260 | A |
| 体二极管脉冲源电流 | ISM | 集成PN体二极管 | - | - | 780 | A |
| 体二极管正向压降 | VSD | IS=50A,VGS=0V | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=50A,diF/dt=100A/μs | - | 102 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | IF=50A,diF/dt=100A/μs | - | 63 | - | nC |
| 1. Tj工作温度范围：25℃~150℃ |
| 2. 脉冲为重复额定值，脉宽受最高结温限制 |
| 3. 脉冲宽度≤380us，占空比≤2% |
| 4. 超过最大额定值会永久损坏器件 |
| 图号 | 图表名称 |
|---|---|
| Figure1 | 导通区域特性 ID-VDS |
| Figure2 | 转移特性 ID-VGS |
| Figure3 | 导通电阻vs电流/栅压 |
| Figure4 | 导通电阻vs结温 |
| Figure5 | 导通电阻vs栅源电压 |
| Figure6 | 体二极管正向特性 IS-VSD |
| Figure7 | 栅电荷特性 VGS-Qg |
| Figure8 | 电容特性 Ciss/Coss/Crss-VDS |
| Figure9 | 正向偏置安全工作区SOA |
| 组别 | 电路/波形用途 |
|---|---|
| Fig1 | 二极管反向恢复dv/dt测试电路&波形 |
| Fig2 | 开关时序测试电路&开关波形 |
| Fig3 | 栅电荷测试电路&栅电荷波形 |
| Fig4 | 无钳位电感开关测试电路&雪崩波形 |
| 宣传标题 | KCY1704B DFN5*6 40V260A SGT N沟道MOS管 |
|---|---|
| 核心卖点短标语 | 超低1mΩ导通电阻，大电流快充同步整流专用 |
| 产品简介文案 | KCY1704B采用先进SGT工艺，40V耐压260A超大持续电流，DFN5*6紧凑封装。导通损耗极低、开关速度快，适配大功率DC-DC、快充电源同步整流方案，热阻优异散热表现稳定，单脉冲雪崩能量750mJ可靠性强，满足工业电源、储能充电设备长期稳定运行需求。 |
| SEO搜索关键词 | 40V260A MOS管,DFN5*6低内阻MOS,KIA KCY1704B,快充同步整流MOS,大电流电源MOSFET,SGT工艺功率管 |
| 适用行业宣传短句 |
1. 手机/笔记本大功率快充适配器 2. 车载DC-DC降压电源模块 3. 储能小功率充放电管理板 4. 工业设备同步整流降压电路 |
| 原厂型号 | KCY1704B |
|---|---|
| 本体丝印 | 1704B |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装规格 | DFN5*6 |
| 器件类型 | N沟道SGT功率MOSFET |
| 额定耐压Vdss | 40V |
| 持续漏电流(25℃) | 260A |
| 典型导通电阻 | 1.0mΩ @Vgs=10V Id=50A |
| 峰值脉冲电流 | 780A |
| 最大耗散功率 | 147W |
| 结壳热阻RθJC | 0.85℃/W |
| 1. 先进SGT沟槽工艺，内阻远优于传统MOS |
| 2. 极低Rds(on)，大幅降低电源导通发热损耗 |
| 3. 高速开关特性，适配高频DC-DC变换器 |
| 4. DFN5*6贴片封装，PCB布局节省空间 |
| 5. 内置高性能体二极管，反向恢复特性优秀 |
| 6. 750mJ雪崩耐受能量，浪涌冲击可靠性高 |
| 7. 宽温工作-55℃~150℃，高低温工况稳定 |
| 同步整流电源 |
| 大功率DC-DC升降压转换器 |
| 便携式快充充电器/储能充电板 |
| 工业设备电源管理模块 |
| 车载低压大功率供电电路 |
| 竞品品牌分类 |
|
|---|---|
| 竞品对比优势 | 同规格竞品中KCY1704B导通内阻更低、热阻更小，SGT工艺开关损耗更低，性价比优于进口品牌，交期稳定无缺货风险。 |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 4 | Gate 栅极 G |
| 5、6、7、8 | Drain 漏极 D |
| 1、2、3 | Source 源极 S |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 40 | V |
| 栅源耐压范围 | Vgss | ±20 | V |
| 连续漏电流25℃ | Id | 260 | A |
| 连续漏电流100℃ | Id | 167 | A |
| 脉冲峰值电流 | Idm | 780 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 750 | mJ |
| 最大功耗 | Pd | 147 | W |
| 焊接峰值温度10s | Tl/Tpak | 300/260 | ℃ |
| 工作存储温度区间 | Tj/Tstg | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vgs=0,Id=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏电流常温 | Vds=40V,Vgs=0 | - | - | 1 | uA |
| 漏源漏电流高温 | Vds=32V,Tj=125℃ | - | - | 100 | uA |
| 栅源漏电流 | Vgs=±20V,Vds=0 | - | - | ±100 | nA |
| 导通电阻10V栅压 | Vgs=10V,Id=50A | - | 1.0 | 1.25 | mΩ |
| 导通电阻4.5V栅压 | Vgs=4.5V,Id=50A | - | 1.4 | 1.7 | mΩ |
| 栅极开启阈值 | Vds=Vgs,Id=250uA | 1.0 | - | 2.5 | V |
| 栅极串联内阻 | f=1.0MHz | - | 2.75 | - | Ω |
| 输入电容Ciss | Vds=25V,f=1MHz | - | 6100 | - | pF |
| 输出电容Coss | Vds=25V,f=1MHz | - | 2650 | - | pF |
| 米勒电容Crss | Vds=25V,f=1MHz | - | 175 | - | pF |
| 总栅电荷Qg | Vdd=20V,Id=50A | - | 81 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | Vdd=20V,Id=50A | - | 15 | - | nC |
| 米勒电荷Qgd | Vdd=20V,Id=50A | - | 12 | - | nC |
| 开通延迟td(on) | Rg=2.5Ω,Vgs=10V | - | 14 | - | nS |
| 上升时间trise | Rg=2.5Ω,Vgs=10V | - | 35 | - | nS |
| 关断延迟td(off) | Rg=2.5Ω,Vgs=10V | - | 80 | - | nS |
| 下降时间tfall | Rg=2.5Ω,Vgs=10V | - | 28 | - | nS |
| 体二极管正向压降 | Is=50A,Vgs=0 | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间trr | If=50A,di/dt=100A/μs | - | 102 | - | ns |
| 反向恢复电荷Qrr | If=50A,di/dt=100A/μs | - | 63 | - | nC |
| 特性曲线图表 | 导通区/转移特性、内阻温漂、栅电荷、电容、SOA安全区、体二极管曲线 |
|---|---|
| 配套测试电路 | 开关波形、栅电荷、二极管反向恢复、无钳位电感雪崩测试电路 |
| 1. 脉冲宽度≤380us，工作占空比不可超过2% |
| 2. 器件超出最大额定值会造成永久性损坏 |
| 3. 高温工况下需降低持续输出电流使用 |
| 4. PCB需充足铺铜增强散热，降低温升 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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