KCT1704B TOLL-8｜0.78mΩ 低内阻解决快充发热炸管痛点
信息来源：本站 日期：2026-06-29
KCT1704B TOLL-8 MOS 管｜0.78mΩ 低内阻解决快充发热炸管痛点
解决电源发热、高频损耗大、浪涌击穿、成本高四大痛点；TOLL-8 强散热封装，0.78mΩ 超低内阻，260A 大电流稳定输出，适配快充、储能、车载、工业电源
KCT1704B,KIA KCT1704B,1704B TOLL8 MOS 管，TOLL-8 MOS 管，40V260A MOSFET
| 完整料号 | KCT1704B |
|---|---|
| 器件丝印 | 1704B |
| 品牌厂商 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装形式 | TOLL-8 |
| 器件类型 | N沟道SGT功率MOSFET |
| 额定耐压Vdss | 40V |
| 25℃连续漏电流Id | 260A |
| 典型导通电阻 | 0.78mΩ @VGS=10V Id=50A |
| 1. 先进SGT沟槽工艺，损耗更低 |
| 2. VGS=10V时Rds(on)典型值0.78mΩ |
| 3. 高速开关特性，适配高频DC-DC |
| 4. 极低导通电阻，降低发热损耗 |
| 同步整流电源电路 |
| 整机电源管理模块 |
| 大功率DC-DC升降压转换器 |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极 G |
| 9 | Drain 漏极 D |
| 2,3,4,5,6,7,8 | Source 源极 S |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 40 | V |
| 栅源耐压范围 | Vgss | ±20 | V |
| 连续漏电流(Tc=25℃) | Id | 260 | A |
| 连续漏电流(Tc=100℃) | Id | 167 | A |
| 脉冲峰值漏电流(VGS=10V) | Idm | 1520 | A |
| 单脉冲雪崩能量(L=1mH) | Eas | 950 | mJ |
| 最大耗散功率 | Pd | 227 | W |
| 引脚焊接峰值温度10s | Tl | 300 | ℃ |
| 本体焊接峰值温度10s | Tpak | 260 | ℃ |
| 工作/存储温度区间 | Tj&Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.55 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 40 | ℃/W |
| 参数名称 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压BVdss | VGS=0,Id=250uA | 40 | - | - | V |
| 常温漏源漏电流Idss | VDS=40V,VGS=0 | - | - | 1 | uA |
| 高温漏源漏电流Idss | VDS=32V,Tj=125℃ | - | - | 100 | uA |
| 栅源漏电流Igss | VGS=±20V,VDS=0 | - | - | ±100 | nA |
| 导通电阻Rds(on)10V | VGS=10V,Id=50A | - | 0.78 | 0.95 | mΩ |
| 导通电阻Rds(on)4.5V | VGS=4.5V,Id=30A | - | 1.1 | 1.4 | mΩ |
| 栅极阈值电压VGS(TH) | VDS=VGS,Id=250uA | 1.0 | - | 2.5 | V |
| 栅极串联电阻RG | f=1.0MHz | - | 2.75 | - | Ω |
| 输入电容Ciss | VGS=0,VDS=25V,f=1MHz | - | 6100 | - | pF |
| 输出电容Coss | VGS=0,VDS=25V,f=1MHz | - | 2650 | - | pF |
| 反向传输电容Crss | VGS=0,VDS=25V,f=1MHz | - | 175 | - | pF |
| 总栅电荷Qg | VDD=20V,Id=50A,VGS0~10V | - | 81 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | VDD=20V,Id=50A,VGS0~10V | - | 15 | - | nC |
| 栅漏米勒电荷Qgd | VDD=20V,Id=50A,VGS0~10V | - | 12 | - | nC |
| 开通延迟td(on) | VDD=20V,Id=50A,RG=2.5Ω | - | 14 | - | nS |
| 上升时间trise | VDD=20V,Id=50A,RG=2.5Ω | - | 35 | - | nS |
| 关断延迟td(off) | VDD=20V,Id=50A,RG=2.5Ω | - | 80 | - | nS |
| 下降时间tfall | VDD=20V,Id=50A,RG=2.5Ω | - | 28 | - | nS |
| 体二极管连续源电流ISD | 集成PN体二极管 | - | - | 260 | A |
| 体二极管脉冲源电流ISM | 集成PN体二极管 | - | - | 1520 | A |
| 体二极管正向压降VSD | IS=50A,VGS=0V | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间trr | IF=50A,diF/dt=100A/μs | - | 102 | - | ns |
| 反向恢复电荷Qrr | IF=50A,diF/dt=100A/μs | - | 63 | - | nC |
| 1. Tj工作温度范围：25℃ ~ 150℃ |
| 2. 脉冲为重复额定值，脉宽受结温限制 |
| 3. 脉冲宽度≤380us，工作占空比≤2% |
| 4. 超过最大额定值会永久损坏器件 |
| 图号 | 图表名称 |
|---|---|
| Figure1 | 导通区域特性 ID-VDS |
| Figure2 | 转移特性 ID-VGS |
| Figure3 | 导通电阻vs电流/栅压 |
| Figure4 | 导通电阻vs结温变化 |
| Figure5 | 导通电阻vs栅源电压 |
| Figure6 | 体二极管正向特性 IS-VSD |
| Figure7 | 栅电荷特性 VGS-Qg曲线 |
| Figure8 | 电容Ciss/Coss/Crss-VDS曲线 |
| Figure9 | 正向偏置安全工作区SOA |
| 组别 | 电路&波形用途 |
|---|---|
| Fig1 | 二极管反向恢复dv/dt测试电路+波形 |
| Fig2 | 开关时序测试电路+开关波形图 |
| Fig3 | 栅电荷测试电路+栅电荷波形曲线 |
| Fig4 | 无钳位电感雪崩测试电路+雪崩波形 |
| 主宣传标题 | KCT1704B TOLL-8 40V260A SGT N沟道大功率MOS管 |
|---|---|
| 核心卖点标语 | 0.78mΩ超低内阻，大电流快充/储能专用TOLL封装管 |
| 产品简介文案 | KIA原厂KCT1704B采用新一代SGT工艺，TOLL-8高散热封装，40V耐压、260A持续电流，典型导通电阻仅0.78mΩ。结壳热阻低至0.55℃/W，脉冲峰值电流1520A，950mJ高雪崩耐受，适配大功率DC-DC、同步整流电源，完美解决设备发热、电流不足、易击穿等研发痛点，宽温-55~150℃适配车载、储能、工业快充设备。 |
| SEO搜索关键词 | KCT1704B,TOLL8 40V260A MOS,0.78mΩ低内阻功率管,快充同步整流MOS,储能大电流MOSFET,SGT工艺TOLL封装管 |
| 行业适配短句 |
1. 大功率笔记本/手机快充适配器 2. 储能充放电电源管理板 3. 车载低压大电流DC-DC模块 4. 工业设备同步整流降压电路 |
| 原厂料号 | KCT1704B |
|---|---|
| 本体丝印 | 1704B |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装规格 | TOLL-8 |
| 器件类型 | N沟道SGT功率MOSFET |
| 额定耐压Vdss | 40V |
| 25℃持续漏电流 | 260A |
| 典型导通电阻 | 0.78mΩ @Vgs=10V Id=50A |
| 峰值脉冲电流 | 1520A |
| 最大耗散功率 | 227W |
| 结壳热阻RθJC | 0.55℃/W |
| 单脉冲雪崩能量 | 950mJ |
| 1. 全新SGT沟槽工艺，导通损耗远优于传统MOS |
| 2. 低至0.78mΩ Rds(on)，大幅降低整机发热 |
| 3. TOLL-8大散热底面，热阻小散热性能极强 |
| 4. 高速开关特性，适配高频大功率DC-DC电路 |
| 5. 950mJ高雪崩能量，浪涌冲击不易损坏器件 |
| 6. 1520A超大脉冲电流，瞬时负载承载能力强 |
| 7. -55~150℃宽温区间，高低温工况稳定可靠 |
| 大功率同步整流电源 |
| 工业/储能DC-DC升降压转换器 |
| 百瓦级快充充电器、移动储能电源 |
| 车载低压大功率供电管理模块 |
| KCT1704B平替替代品牌分类 |
|
|---|---|
| KCT1704B对比竞品优势 | 同规格TOLL8竞品中内阻更低、热阻更小，雪崩耐受能量更高，SGT工艺开关损耗更低；国产原厂交期稳定，价格优于进口品牌，免费提供样品与完整规格书。 |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极 G |
| 9 | Drain 漏极 D |
| 2、3、4、5、6、7、8 | Source 源极 S |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 40 | V |
| 栅源耐压范围 | Vgss | ±20 | V |
| 连续漏电流25℃ | Id | 260 | A |
| 连续漏电流100℃ | Id | 167 | A |
| 脉冲峰值漏电流 | Idm | 1520 | A |
| 单脉冲雪崩能量L=1mH | Eas | 950 | mJ |
| 最大耗散功率 | Pd | 227 | W |
| 引脚焊接温度10s | Tl | 300 | ℃ |
| 本体焊接温度10s | Tpak | 260 | ℃ |
| 工作存储温度区间 | Tj/Tstg | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.55 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 40 | ℃/W |
| 参数名称 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vgs=0,Id=250uA | 40 | - | - | V |
| 常温漏源漏电流 | Vds=40V,Vgs=0 | - | - | 1 | uA |
| 高温漏源漏电流 | Vds=32V,Tj=125℃ | - | - | 100 | uA |
| 栅源漏电流 | Vgs=±20V,Vds=0 | - | - | ±100 | nA |
| 10V栅压导通电阻 | Vgs=10V,Id=50A | - | 0.78 | 0.95 | mΩ |
| 4.5V栅压导通电阻 | Vgs=4.5V,Id=30A | - | 1.1 | 1.4 | mΩ |
| 栅极开启阈值电压 | Vds=Vgs,Id=250uA | 1.0 | - | 2.5 | V |
| 栅极串联内阻 | f=1.0MHz | - | 2.75 | - | Ω |
| 输入电容Ciss | Vds=25V,f=1MHz | - | 6100 | - | pF |
| 输出电容Coss | Vds=25V,f=1MHz | - | 2650 | - | pF |
| 米勒电容Crss | Vds=25V,f=1MHz | - | 175 | - | pF |
| 总栅电荷Qg | Vdd=20V,Id=50A | - | 81 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | Vdd=20V,Id=50A | - | 15 | - | nC |
| 米勒电荷Qgd | Vdd=20V,Id=50A | - | 12 | - | nC |
| 开通延迟td(on) | Rg=2.5Ω,Vgs=10V | - | 14 | - | nS |
| 上升时间trise | Rg=2.5Ω,Vgs=10V | - | 35 | - | nS |
| 关断延迟td(off) | Rg=2.5Ω,Vgs=10V | - | 80 | - | nS |
| 下降时间tfall | Rg=2.5Ω,Vgs=10V | - | 28 | - | nS |
| 体二极管正向压降 | Is=50A,Vgs=0 | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间trr | If=50A,di/dt=100A/μs | - | 102 | - | ns |
| 反向恢复电荷Qrr | If=50A,di/dt=100A/μs | - | 63 | - | nC |
| 1. 脉冲宽度≤380us，工作占空比不可超过2% |
| 2. 器件超出最大额定值会造成永久性损坏 |
| 3. 高温工况下需降低持续输出电流使用 |
| 4. TOLL-8封装PCB需大面积铺铜强化散热 |
| 特性曲线图表 | 导通区/转移特性、内阻温漂、栅电荷、电容、SOA安全区、体二极管曲线 |
|---|---|
| 配套测试电路 | 开关波形、栅电荷、二极管反向恢复、无钳位电感雪崩测试电路 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
