KCY1104A DFN5*6｜0.7mΩ 超低内阻解决储能电源发烫炸管痛点
信息来源：本站 日期：2026-06-29
KCY1104A DFN5*6 MOS｜0.7mΩ 超低内阻解决储能电源发烫炸管痛点
解决储能 / UPS 发热严重、高频损耗高、浪涌易炸管、成本高四大痛点；DFN5*6 紧凑封装，0.7mΩ 超低内阻，315A 持续大电流，800mJ 抗雪崩，适配储能 BMS、大功率快充、工业 DC-DC
KCY1104A,KIA KCY1104A,1104A DFN56 MOS 管，DFN5*6 MOS 管，40V315A MOSFET
| 原厂料号 | KCY1104A |
|---|---|
| 丝印型号 | 1104A |
| 品牌厂商 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装规格 | DFN5*6 |
| 器件类型 | N沟道SGT功率MOSFET |
| 额定耐压Vdss | 40V |
| 25℃连续漏电流Id | 315A |
| 典型导通电阻 | 0.7mΩ @VGS=10V Id=50A |
| 规格书版本 | Rev 1.0 Jul.2025 |
| 1. 新一代先进SGT沟槽工艺 |
| 2. 超低Rds(on)典型0.7mΩ，导通损耗极低 |
| 3. 低栅极电荷，有效降低开关损耗 |
| 4. 内置快恢复体二极管，反向恢复性能优秀 |
| 大功率同步整流电源电路 |
| UPS不间断电源转换模块 |
| 储能电池管理BMS系统 |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 4 | Gate 栅极 G |
| 5、6、7、8 | Drain 漏极 D |
| 1、2、3 | Source 源极 S |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 40 | V |
| 栅源耐压范围 | Vgss | ±20 | V |
| 连续漏电流(Tc=25℃) | Id | 315 | A |
| 连续漏电流(Tc=100℃) | Id | 199 | A |
| 脉冲峰值漏电流(VGS=10V) | Idm | 1200 | A |
| 单脉冲雪崩能量(L=1mH) | Eas | 800 | mJ |
| 最大耗散功率 | Pd | 139 | W |
| 25℃以上降额系数 | Pd | 1.11 | W/℃ |
| 引脚焊接峰值温度10s | Tl | 300 | ℃ |
| 本体焊接峰值温度10s | Tpak | 260 | ℃ |
| 工作/存储温度区间 | Tj&Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.9 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 50 | ℃/W |
| 参数名称 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 关断特性 | |||||
| 漏源击穿电压BVdss | VGS=0,Id=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏电流Idss | VDS=40V,VGS=0 | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流Igss | VGS=±20V,VDS=0 | - | - | ±100 | nA |
| 导通特性 | |||||
| Rds(on)@10V | VGS=10V,Id=50A | - | 0.7 | 0.9 | mΩ |
| Rds(on)@4.5V | VGS=4.5V,Id=50A | - | 1.1 | 1.5 | mΩ |
| 栅极阈值VGS(th) | VDS=VGS,Id=250uA | 1.0 | - | 2.5 | V |
| 栅极串联电阻Rg | f=1.0MHz | - | 2.7 | - | Ω |
| 电容动态特性 VGS=0,VDS=20V,f=1MHz | |||||
| 输入电容Ciss | 同上 | - | 6100 | - | pF |
| 输出电容Coss | - | 3650 | - | pF | |
| 反向传输Crss | - | 175 | - | pF | |
| 栅电荷参数 VDD=20V,Id=50A,VGS0~10V | |||||
| 总栅电荷Qg | 同上 | - | 80 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | - | 15 | - | nC | |
| 米勒电荷Qgd | - | 13 | - | nC | |
| 开关特性 VDD=20V,Id=20A,Rg=1.6Ω,VGS=10V | |||||
| 开通延迟td(on) | 同上 | - | 12 | - | nS |
| 上升时间trise | - | 10 | - | nS | |
| 关断延迟td(off) | - | 95 | - | nS | |
| 下降时间tfall | - | 30 | - | nS | |
| 体二极管特性 | |||||
| 连续源电流Isd | 集成PN体二极管 | - | - | 315 | A |
| 脉冲源电流Ism | 集成PN体二极管 | - | - | 1200 | A |
| 二极管正向压降Vsd | Is=50A,VGS=0 | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间trr | If=10A,diF/dt=100A/μs | - | 113 | - | ns |
| 反向恢复电荷Qrr | If=10A,diF/dt=100A/μs | - | 136 | - | nC |
| 1. 结温工作区间：25℃ ~ +150℃ |
| 2. 脉冲重复测试：脉宽受最高结温限制 |
| 3. 脉冲测试标准：脉宽≤380us，占空比≤2% |
| 4. 超过最大额定值会永久损坏器件 |
| 图号 | 曲线名称说明 |
|---|---|
| Figure1 | 导通区输出特性 Id-VDS 多VGS对比 |
| Figure2 | 转移特性 Id-VGS 25℃/150℃温度对比 |
| Figure3 | 导通电阻随漏电流、栅压变化曲线 |
| Figure4 | 归一化导通电阻随结温变化曲线 |
| Figure5 | 导通电阻随栅源电压变化、温度对比 |
| Figure6 | 体二极管正向IS-VSD伏安特性 |
| Figure7 | 栅电荷特性 VGS-Qg 对应曲线 |
| Figure8 | 电容Ciss/Coss/Crss随VDS变化曲线 |
| Figure9 | 正向偏置安全工作区SOA曲线 |
| 电路组别 | 电路&波形用途 |
|---|---|
| Fig1 | 二极管反向恢复dv/dt测试电路+波形 |
| Fig2 | 开关时序测试电路+开通关断波形 |
| Fig3 | 栅电荷测试电路+栅电荷分段波形 |
| Fig4 | 无钳位电感雪崩测试电路+雪崩波形 |
| 主推标题 | KCY1104A DFN5*6 40V315A SGT大功率N沟道MOS管 |
|---|---|
| 核心卖点标语 | 0.7mΩ超低内阻，800mJ高雪崩，储能UPS专用 |
| 产品简介 | KIA原厂KCY1104A采用新一代SGT沟槽工艺，DFN5*6小尺寸高散热封装，40V耐压、315A持续大电流，典型导通电阻仅0.7mΩ，单脉冲雪崩能量800mJ，结壳热阻低至0.9℃/W。低栅电荷降低高频开关损耗，内置快恢复体二极管，完美解决储能BMS、UPS电源发热、浪涌炸管、效率低等研发痛点，宽温-55~150℃稳定运行。 |
| SEO搜索关键词 | KCY1104A,DFN5*6 40V315A MOS,0.7mΩ低内阻功率管,储能同步整流MOS,UPS大功率MOSFET,SGT工艺DFN56管 |
| 适配行业短句 |
1. 储能设备BMS电池管理系统 2. 大功率UPS不间断电源模块 3. 大功率快充同步整流电路 4. 工业大功率DC-DC转换电源 |
| 原厂料号 | KCY1104A |
|---|---|
| 本体丝印 | 1104A |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装规格 | DFN5*6 |
| 器件类型 | N沟道SGT功率MOSFET |
| 额定耐压Vdss | 40V |
| 25℃持续漏电流 | 315A |
| 典型导通电阻 | 0.7mΩ @Vgs=10V Id=50A |
| 峰值脉冲电流 | 1200A |
| 最大耗散功率 | 139W |
| 结壳热阻RθJC | 0.9℃/W |
| 单脉冲雪崩能量 | 800mJ |
| 1. 先进SGT沟槽工艺，导通损耗远低于普通MOS |
| 2. 低至0.7mΩ Rds(on)，大幅降低整机发热损耗 |
| 3. DFN5*6紧凑型封装，PCB布局节省空间 |
| 4. 800mJ高雪崩耐受，浪涌冲击不易炸管失效 |
| 5. 低栅极电荷，高频电路开关损耗更低效率更高 |
| 6. 内置快恢复体二极管，反向恢复性能优异 |
| 7. -55~150℃宽温区间，高低温工况稳定可靠 |
| 大功率同步整流电源电路 |
| UPS不间断电源转换模块 |
| 储能设备电池管理BMS系统 |
| 大功率快充、工业DC-DC变换器 |
| KCY1104A同规格DFN5*6平替替代型号品牌分类 |
|
|---|---|
| KCY1104A对比竞品优势 | 同规格DFN5*6竞品中导通内阻更低、雪崩能量更高；SGT工艺开关损耗更小，国产原厂交期稳定，价格优于进口品牌，免费提供样品与完整规格书，适配储能、UPS大功率场景。 |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 4 | Gate 栅极 G |
| 5、6、7、8 | Drain 漏极 D |
| 1、2、3 | Source 源极 S |
| 1. 脉冲宽度≤380us，工作占空比不可超过2% |
| 2. 超出器件最大额定值会造成永久性损坏 |
| 3. 高温工况需降额使用，PCB大面积铺铜散热 |
| 4. 储能、UPS大电流场景推荐并联使用提升余量 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
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