KND64045A TO-252 45V13A 低内阻｜快充电源专用场效应管
信息来源：本站 日期：2026-06-30
KND64045A TO-252 45V13A 低内阻 MOS 管｜快充电源专用场效应管
痛点型副标题：同规格 MOS 发热大、易击穿？KND64045A 低内阻 + 182mJ 雪崩耐受，稳定耐用
KND64045A，KIA MOS 管，TO-252 功率 MOSFET，45V13A N 沟道场效应管，低内阻 MOS 管
| 型号 | 封装 | 品牌 | 规格 |
|---|---|---|---|
| KND64045A | TO-252 | KIA KMOS | N沟道功率MOSFET 45V 13A |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极(G) |
| 2 | Drain 漏极(D) |
| 3 | Source 源极(S) |
| 1.先进沟槽Trench工艺 |
| 2.VGS=10V时Rds(on)典型6.6mΩ |
| 3.极低栅极电荷，开关损耗小 |
| 4.环保无铅器件可选 |
| 5.优异抗dV/dt干扰性能 |
| 6.100% Vds电压变化测试 |
| 7.100% UIS非钳位电感雪崩测试 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | 45 | V | VGS=0V |
| 栅源耐压 | VGS | ±20 | V | VDS=0V |
| 连续漏极电流 | ID | 13 | A | TC=25℃ |
| 连续漏极电流 | ID | 8.4 | A | TC=100℃ |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 280 | A | 脉冲测试 |
| 总耗散功率 | PD | 78.9 | W | TC=25℃ |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 182 | mJ | 电感雪崩测试 |
| 结温/存储温度 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ | 工作/存放区间 |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.9 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDS | 45 | 55 | - | V | VGS=0V,ID=250uA |
| 漏源漏电流 | IDSS | - | - | 1 | uA | VDS=45V,VGS=0V,25℃ |
| 栅源漏电流 | IGSS | -100 | - | +100 | nA | VGS=±20V,VDS=0V |
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V | VGS=VDS,ID=250uA |
| 导通内阻1 | RDS(on) | - | 6.6 | 8.0 | mΩ | VGS=10V,ID=15A |
| 导通内阻2 | RDS(on) | - | 7.5 | 9.5 | mΩ | VGS=4.5V,ID=30A |
| 栅极内阻 | Rg | - | 3.5 | - | Ω | VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz |
| 输入电容 | Ciss | - | 2684 | - | pF | VDS=20V,VGS=0V,f=1MHz |
| 输出电容 | Coss | - | 236 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 188 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | - | 11 | - | ns | VDS=20V,VGS=10V,Rg=2Ω,ID=20A |
| 上升时间 | tr | - | 17 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 35 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 11 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | - | 57.7 | - | nC | VDS=20V,VGS=10V,ID=20A |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 6.3 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 13.1 | - | nC | |
| 体二极管连续电流 | ISD | - | - | 13 | A | 内置体二极管 |
| 二极管正向压降 | VSD | - | - | 1.2 | V | VGS=0V,ISD=20A,TJ=25℃ |
| 反向恢复时间 | trr | - | 37 | - | ns | TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/us |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 48 | - | nC | |
| 固有开通时间 | ton | 可忽略，由线路电感LS+LD决定 | ||||
| 图号 | 曲线名称 |
|---|---|
| Fig1 | 输出特性ID-VDS，不同VGS电压曲线 |
| Fig2 | 转移特性ID-VGS，脉冲25℃测试 |
| Fig3 | 导通内阻Rds(on) vs 漏极电流ID |
| Fig4 | 最大连续ID vs 外壳温度TC |
| Fig5 | 栅极电荷特性 VGS-Qg曲线 |
| Fig6 | 极间电容Ciss/Coss/Crss随VDS变化 |
| Fig7 | 归一化击穿电压BVDS vs 结温TJ |
| Fig8 | 归一化导通内阻Rds(on) vs 结温TJ |
| Fig9 | SOA安全工作区(直流/10us/100us/1ms脉冲) |
| Fig10 | 内置体二极管正向伏安特性 |
| Fig11 | 瞬态热阻抗 ZθJC 与脉冲时长关系曲线 |
| 图号 | 电路用途 |
|---|---|
| Fig12 | 栅极电荷Qg测试电路与充放电波形 |
| Fig13 | 电阻负载开关测试电路，测td/tr/tf |
| Fig14 | 无钳位电感UIS雪崩测试电路，EAS能量计算 |
| 竞品品牌 | 竞品型号（45V/13A TO-252 N沟MOS） |
|---|---|
| UTC 友顺 |
UT45N13L UT13N45 |
| AOS 万代 |
AOD4454 AOD4185 |
| ON 安森美 |
NTD4960N NTD4858N |
| IR 英飞凌 |
IRLR8726 IRL540N |
| ST 意法 |
STD13N45 STB14NF45 |
| 长电 CJ |
CJQ4513 CJQ14N45 |
| 富鼎 APEC |
AP4513GH AP13N45 |
| 新洁能 NCE |
NCE4513K NCE1345G |
| 微碧 VBSEMI |
VB4513 VB13N45 |
| 捷捷微 JJW |
JJM4513 JJW13N45 |
| 模块分类 | 宣传文案（单行≤35字） |
|---|---|
| 产品标题 | KND64045A TO-252 45V13A N沟道沟槽功率MOS管 |
| 核心卖点短句 |
1.先进沟槽工艺，导通内阻低至6.6mΩ 2.超低栅极电荷，高频开关损耗大幅降低 3.内置体二极管，100%UIS雪崩可靠测试 4.抗dV/dt干扰强，电源电路稳定性拉满 5.环保无铅版本可选，符合行业环保标准 6.45V耐压13A持续电流，快充DC-DC专用 |
| 参数优势文案 |
1.VGS=10V Rds(on)典型6.6mΩ，发热更低 2.总栅电荷Qg仅57.7nC，开关速度更快 3.182mJ雪崩耐受，负载冲击防护更强 4.结壳热阻1.9℃/W，散热性能优异稳定 5.280A峰值脉冲电流，瞬时负载无压力 |
| 适用应用场景 |
1.快充充电器、车载USB降压电源 2.DC-DC降压开关电源、电机驱动电路 3.锂电池保护板、便携储能逆变模块 4.工业小功率开关、LED驱动恒流电源 5.笔记本适配器、小家电控制板MOS |
| 品质保障文案 |
1.出厂100%BVDS耐压、UIS雪崩全检 2.脉冲Rds(on)全测，参数一致性极高 3.TO-252贴片封装，自动化贴片适配 4.-55~150℃宽温工作，高低温稳定 5.KIA原厂晶圆，交期稳定替代进口料 |
| SEO引流标题（官网产品页） |
1.KND64045A TO-252 45V13A N沟MOSFET现货 2.低内阻6.6mΩ快充专用功率MOS管替代AOD4454 3.KIA原厂KND64045A 13A45V贴片场效应管供应商 |
| 简短一句话简介（列表页） | KND64045A TO252 45V13A低内阻高频MOS，兼容多款进口竞品，快充DC-DC优选器件。 |
| 对比维度 | KND64045A优势 |
|---|---|
| 导通内阻 | 典型6.6mΩ，同规格竞品中发热更低 |
| 栅极电荷 | Qg仅57.7nC，高频开关损耗优于普通国产MOS |
| 雪崩能量 | 182mJ EAS，抗冲击能力优于多数平价竞品 |
| 出厂测试 | 100%UIS+ΔVds全检，不良率低于行业均值 |
| 成本交期 | KIA自有晶圆产线，现货稳定，替代进口降本 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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