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KIA50N06DD TO-252 60V50A 低内阻|电动工具功率场效应管现货

信息来源:本站 日期:2026-06-30 

KIA50N06DD TO-252 60V50A 低内阻 MOS 管|电动工具功率场效应管现货

电机启动击穿、电源温升超标?225mJ 雪崩 + 7.5mΩ 低内阻,大功率负载稳定不炸管

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KIA50N06DD 60V 50A N沟道MOSFET完整参数表

一、KIA50N06DD产品基础订购信息

料号 封装 品牌 规格
KIA50N06DD TO-252 KIA KMOS N沟道功率MOSFET 60V 50A

二、KIA50N06DDTO-252引脚定义

引脚编号 引脚功能
1 Gate 栅极(G)
2 Drain 漏极(D)
3 Source 源极(S)

三、KIA50N06DD产品核心特性 Features

1.先进沟槽Trench功率MOS工艺
2.VGS=10V时Rds(on)典型值7.5mΩ
3.超低栅极电荷,高频开关损耗更低
4.环保无铅绿色器件版本可选
5.优异抗CdV/dt干扰抑制性能
6.出厂100%ΔVds电压变化全检测试
7.出厂100%UIS非钳位电感雪崩测试

四、KIA50N06DD绝对最大额定值(TA=25℃)

参数名称 符号 额定值 单位 测试条件
漏源击穿电压 VDS 60 V VGS=0V
栅源耐压 VGS ±20 V VDS=0V
连续漏极电流 ID 50 A TC=25℃
连续漏极电流 ID 37.5 A TC=100℃
脉冲峰值漏极电流 IDM 260 A 脉冲电流测试
总耗散功率 PD 88 W TC=25℃
单脉冲雪崩能量 EAS 225 mJ 电感雪崩冲击测试
结温/存储温度区间 TJ,TSTG -55 ~ 150 工作与存放温度范围

五、KIA50N06DD热特性参数

参数名称 符号 最大值 单位
结到外壳热阻 RθJC 1.7 ℃/W

六、KIA50N06DD完整电气特性(TA=25℃)

参数名称 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
漏源击穿电压 BVDS 60 - - V VGS=0V,ID=250uA
漏源关态漏电流 IDSS - - 1 uA VDS=60V,VGS=0V,25℃
栅源漏电流 IGSS -100 - +100 nA VGS=±20V,VDS=0V
栅极开启阈值电压 VGS(th) 1.0 1.5 2.5 V VGS=VDS,ID=250uA
导通内阻1 RDS(on) - 7.5 9.0 VGS=10V,ID=20A
导通内阻2 RDS(on) - 9.0 12 VGS=4.5V,ID=15A
栅极内电阻 Rg - 1.5 - Ω VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz
输入电容 Ciss - 3000 - pF VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz
输出电容 Coss - 180 - pF
反向传输电容 Crss - 150 - pF
开通延迟时间 td(on) - 14 - ns VDS=30V,VGS=10V,Rg=3Ω,ID=15A
电压上升时间 tr - 18 - ns
关断延迟时间 td(off) - 95 - ns
电流下降时间 tf - 30 - ns
总栅极电荷 Qg - 64 - nC VDS=30V,VGS=10V,ID=15A
栅源电荷 Qgs - 8 - nC
栅漏米勒电荷 Qgd - 16 - nC
体二极管连续电流 ISD - - 50 A 内置并联体二极管
体二极管正向压降 VSD - - 1.2 V VGS=0V,ISD=20A,TJ=25℃
二极管反向恢复时间 trr - 25 - ns TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/μs
反向恢复电荷 Qrr - 23 - nC
固有开通时间ton ton 可忽略,开通由线路电感LS+LD主导

七、KIA50N06DD电气参数测试备注 Notes

1) 测试板:1平方英寸FR4板材,2盎司铜箔表面贴装
2) Rds(on)脉冲测试:脉宽≤300us,占空比≤2%
3) UIS雪崩测试条件:VDD=36V,VGS=10V,L=0.5mH,IAS=30A
4) 芯片功耗上限由175℃最大结温限制
5) ISD理论等同ID/IDM,实际受整机总功耗约束

八、KIA50N06DD典型特性曲线图一览

图号 曲线功能说明
Fig1 输出特性ID-VDS,多档VGS电压曲线
Fig2 转移特性ID-VGS,25℃脉冲测试曲线
Fig3 导通内阻Rds(on)随漏极电流ID变化曲线
Fig4 最大连续ID随外壳温度TC衰减曲线
Fig5 栅极充放电电荷 VGS-Qg 特性曲线
Fig6 Ciss/Coss/Crss极间电容随VDS变化曲线
Fig7 归一化BVDS击穿电压与结温TJ关系
Fig8 归一化Rds(on)导通内阻随结温TJ变化
Fig9 SOA安全工作区,直流/多脉冲负载边界
Fig10 内置体二极管正向伏安特性曲线
Fig11 瞬态热阻抗ZθJC与脉冲时长对应曲线

九、KIA50N06DD测试电路与波形图说明

十、KIA50N06DD TO-252 同规格竞品(竖排窄条展示)

图号 电路用途说明
Fig12 栅极总电荷Qg测试电路与充放电波形
Fig13 电阻负载开关测试,测td/tr/tf开关时序
Fig14 无钳位电感UIS雪崩测试电路,EAS能量计算
竞品品牌 平替替代型号(60V/50A TO-252 N沟MOS)
AOS万代 AOD6050
AOD4456
ON安森美 NTD50N06
NTD4963N
UTC友顺 UT50N06L
UT6050
富鼎APEC AP6050GH
AP50N06
新洁能NCE NCE6050K
NCE5006G
捷捷微JJW JJM6050
JJW50N06
微碧VBSEMI VB6050
VB50N06
长电CJ CJQ6050
CJQ50N06
英飞凌IR IRLR3106
IRF50N06
意法ST STD50N06
STB6050

十一、KIA50N06DD 官网全套产品介绍(分模块)

文案分类 介绍内容(单行≤35字符)
产品主标题 KIA50N06DD TO-252 60V50A N沟道沟槽功率MOS管
核心卖点短句 1.高端沟槽工艺,Rds(on)典型仅7.5mΩ
2.超低栅电荷64nC,高频开关损耗更低
3.225mJ雪崩耐受,电机负载不易炸机
4.100%UIS&ΔVds全检,批量参数一致性高
5.强抗CdV/dt干扰,电源电路稳定无干扰
6.60V耐压50A大电流,工业电源专用MOS
参数优势文案 1.结壳热阻仅1.7℃/W,大功率散热更优秀
2.峰值脉冲电流260A,瞬时冲击负载无压力
3.总功耗88W,适配大功率DC-DC转换电路
4.体二极管50A通流,无需额外续流二极管
5.反向恢复25ns,同步整流损耗大幅降低
适用应用场景 1.大功率电动车控制器、电动工具驱动板
2.工业DC-DC降压电源、大功率储能逆变器
3.车载大功率快充、车载升降压电源模块
4.大功率LED恒流驱动、大功率适配器
5.锂电池大功率保护板、UPS不间断电源
客户痛点解决文案 1.进口MOS交期长单价高?原厂现货直接平替
2.开关管发热严重?低内阻大幅降低温升
3.电机启动易击穿?225mJ雪崩能量抗冲击
4.批量参数偏差大?出厂全检一致性稳定
5.高频电源啸叫干扰?优异抑制dV/dt效应
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2.替代AOD6050大功率MOS管 电动工具专用场效应管
3.原厂KIA50N06DD 50A60V贴片功率MOS供应商
列表页短简介 KIA50N06DD TO-252 60V50A大功率MOS,低内阻耐雪崩,完美替代进口料,工业电源优选器件。

十二、KIA50N06DD 对比竞品核心优势表

对比维度 KIA50N06DD核心优势
导通内阻 典型7.5mΩ,同规格发热低于多数国产竞品
雪崩能量 225mJ EAS,抗电机冲击能力更强
热阻性能 RθJC=1.7℃/W,大功率散热表现优异
出厂检测 100%UIS雪崩+ΔVds双重全检,不良率更低
供货成本 KIA自有晶圆产线,现货充足,替代进口降本30%+


联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

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