KCD3406B TO-252 60V80A 高速｜PD 快充低栅电荷场效应管现货
信息来源：本站 日期：2026-06-30
KCD3406B TO-252 60V80A 高速 MOS 管｜PD 快充低栅电荷场效应管现货
高频电源损耗高、满载温升超标、电路啸叫？16nC 超低栅电荷 + 7.8mΩ 低内阻，大功率快充稳定高效
KCD3406B，KIA3406B，TO-252 功率 MOSFET，60V80A N 沟道 MOS 管，SGT 高速 MOS，低栅电荷 MOS 管
| 料号 | 封装 | 品牌 | 产品规格 |
|---|---|---|---|
| KCY3406B | DFN5*6 | KIA KMOS | N沟道高速MOS 60V 80A |
| KCD3406B | TO-252 | KIA KMOS | N沟道高速MOS 60V 80A |
| DFN5*6引脚 | TO-252引脚 | 引脚功能 |
|---|---|---|
| 1,2,3 | 3 | Source 源极(S) |
| 4 | 1 | Gate 栅极(G) |
| 5,6,7,8 | 2 | Drain 漏极(D) |
| 1.先进SGT沟槽功率MOS工艺 |
| 2.VGS=10V Rds(on)典型7.8mΩ |
| 3.超低总栅电荷Qg仅16nC，高速开关 |
| 4.环保无铅绿色器件版本可选 |
| 5.优异抑制CdV/dt干扰效应 |
| 6.出厂100%ΔVds电压变化全检 |
| 7.出厂100%UIS非钳位雪崩全项测试 |
| 参数名称 | 符号 | DFN5*6 | TO-252 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | 60 | 60 | V | VGS=0V |
| 栅源耐压 | VGS | ±20 | ±20 | V | VDS=0V |
| 连续漏极电流 | ID | 80 | 80 | A | TC=25℃ |
| 连续漏极电流 | ID | 50 | 50 | A | TC=100℃ |
| 脉冲峰值漏极电流 | IDM | 260 | 260 | A | 脉冲电流测试 |
| 总耗散功率 | PD | 78.9 | 83 | W | TC=25℃ |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 100 | 100 | mJ | 电感雪崩冲击测试 |
| 结温/存储温度区间 | TJ,TSTG | -55~150 | -55~150 | ℃ | 工作与存放温度范围 |
| 参数名称 | 符号 | DFN5*6最大值 | TO-252最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.9 | 1.8 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | Min | Typ | Max | 单位 | 测试条件 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDS | 60 | - | - | V | VGS=0V,ID=250uA | |
| 漏源关态漏电流 | IDSS | - | - | 1 | uA | VDS=60V,VGS=0V,25℃ | |
| 栅源漏电流 | IGSS | -100 | - | +100 | nA | VGS=±20V,VDS=0V | |
| 栅极开启阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 1.7 | 2.5 | V | VGS=VDS,ID=250uA | |
| 导通内阻1 | RDS(on) | - | 7.8 | 9.5 | mΩ | VGS=10V,ID=20A | |
| 导通内阻2 | RDS(on) | - | 10 | 13 | mΩ | VGS=4.5V,ID=15A | |
| 栅极内电阻 | Rg | - | 1.7 | - | Ω | VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz | |
| 输入电容 | Ciss | - | 900 | - | pF | VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz | |
| 输出电容 | Coss | - | 330 | - | pF | ||
| 反向传输电容 | Crss | - | 14 | - | pF | ||
| 开通延迟时间 | td(on) | - | 4 | - | ns | VDS=30V,VGS=10V,Rg=2Ω,ID=20A | |
| 电压上升时间 | tr | - | 3.5 | - | ns | ||
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 14 | - | ns | ||
| 电流下降时间 | tf | - | 2.6 | - | ns | ||
| 总栅极电荷 | Qg | - | 16 | - | nC | VDS=30V,VGS=10V,ID=20A | |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 1.1 | - | nC | ||
| 栅漏米勒电荷 | Qgd | - | 5.6 | - | nC | ||
| 体二极管连续电流 | ISD | - | - | 80 | A | 内置并联体二极管 | |
| 体二极管正向压降 | VSD | - | - | 1.2 | V | VGS=0V,ISD=20A,TJ=25℃ | |
| 二极管反向恢复时间 | trr | - | 22 | - | ns | TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/μs | |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 26 | - | nC | ||
| 固有开通时间ton | ton | 可忽略，开通由线路电感LS+LD主导 | |||||
| 图号 | 曲线功能说明 |
|---|---|
| Fig1 | 输出特性ID-VDS，多档VGS电压曲线 |
| Fig2 | 转移特性ID-VGS，25℃脉冲测试曲线 |
| Fig3 | 导通内阻Rds(on)随漏极电流ID变化曲线 |
| Fig4 | 最大连续ID随外壳温度TC衰减曲线 |
| Fig5 | 栅极充放电电荷 VGS-Qg 特性曲线 |
| Fig6 | Ciss/Coss/Crss极间电容随VDS变化曲线 |
| Fig7 | 归一化BVDS击穿电压与结温TJ关系 |
| Fig8 | 归一化Rds(on)导通内阻随结温TJ变化 |
| Fig9 | SOA安全工作区，直流/多脉冲负载边界 |
| Fig10 | 内置体二极管正向伏安特性曲线 |
| Fig11 | 瞬态热阻抗ZθJC与脉冲时长对应曲线 |
KCD3406B，KIA3406B，TO-252 功率 MOSFET，60V80A N 沟道 MOS 管，SGT 高速 MOS，低栅电荷 MOS 管
| 图号 | 电路用途说明 |
|---|---|
| Fig12 | 栅极总电荷Qg测试电路与充放电波形 |
| Fig13 | 电阻负载开关测试，测td/tr/tf开关时序 |
| Fig14 | 无钳位电感UIS雪崩测试电路，EAS能量计算 |
| 替代品牌 | 平替替代型号（60V/80A TO-252 N沟高速MOS） |
|---|---|
| AOS万代 |
AOD6080 AOD4860 |
| ON安森美 |
NTD80N06 NTD4864N |
| UTC友顺 |
UT80N06L UT6080 |
| 富鼎APEC |
AP6080GH AP80N06 |
| 新洁能NCE |
NCE6080K NCE8006G |
| 捷捷微JJW |
JJM6080 JJW80N06 |
| 微碧VBSEMI |
VB6080 VB80N06 |
| 长电CJ |
CJQ6080 CJQ80N06 |
| 英飞凌IR |
IRLR3206 IRF80N06 |
| 意法ST |
STD80N06 STB6080 |
| 文案分类 | 宣传内容（单行≤35字符） |
|---|---|
| 产品主标题 | KCD3406B TO-252 60V80A SGT高速N沟道功率MOS管 |
| 核心卖点短句 |
1.先进SGT工艺，Qg仅16nC超高速开关 2.VGS=10V Rds(on)典型7.8mΩ低导通损耗 3.强抗CdV/dt干扰，高频电源无啸叫干扰 4.100%UIS&ΔVds双重全检，参数一致性高 5.80A大电流承载，适配大功率快充设备 6.TO252贴片封装，兼容自动化SMT产线 |
| 参数优势文案 |
1.开关延时极小，td(on)仅4ns，高频损耗更低 2.TO252热阻1.8℃/W，大功率散热表现优异 3.峰值脉冲电流260A，瞬时冲击负载不损坏 4.体二极管80A通流，省去外置续流二极管 5.反向恢复trr=22ns，同步整流转换效率更高 |
| 适用应用场景 |
1.大功率手机/笔记本PD快充适配器 2.大功率车载升降压、车载储能电源模块 3.工业大功率DC-DC、电动工具控制器 4.大功率LED驱动、便携式储能逆变器 5.大功率锂电池保护板、UPS开关电源 |
| 客户痛点解决文案 |
1.进口MOS交期长溢价高？原厂现货直接平替降本 2.高频电源发热大、效率低？超低栅电荷减损耗 3.开关干扰啸叫严重？优异抑制dV/dt效应 4.批量器件参数偏差大？出厂全检稳定性强 5.快充满载温升超标？低内阻大幅降低发热 |
| SEO引流标题（产品详情页） |
1.KCD3406B TO252 60V80A高速SGT MOSFET现货 2.替代AOD6080低栅电荷MOS PD快充专用场效应管 3.KIA原厂KCD3406B 80A60V贴片功率MOS供应商 |
| 列表页短简介 | KCD3406B TO-252 60V80A高速SGT MOS，超低栅电荷，完美平替进口料，大功率快充首选器件。 |
| 对比维度 | KCD3406B核心优势 |
|---|---|
| 栅极电荷 | Qg仅16nC，开关速度远超同规格普通沟槽MOS |
| 开关延时 | 开通延迟仅4ns，高频电路转换效率更高 |
| 导通内阻 | 典型7.8mΩ，满载温升低于多数国产竞品 |
| 出厂检测 | 100%UIS雪崩+ΔVds双重全检，不良率更低 |
| 供货成本 | KIA自有晶圆产线，常备现货，替代进口降低采购成本 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
