KCY3406 DFN5*6 80A60V N 沟道｜低内阻快充电源专用
信息来源：本站 日期：2026-07-01
KCY3406 DFN5*6 80A60V N 沟道 MOS 管｜低内阻快充电源专用
超低 Rds (on)=7.8mΩ｜超快开关｜100% UIS 雪崩测试 工业稳定耐用
KCY3406,KCY3406 DFN56,KIA 3406B,80A60V MOS 管，DFN56 功率 MOSFET
| 1 | 采用先进SGT工艺 |
| 2 | VGS=10V时，典型导通电阻Rds(on)=7.8mΩ |
| 3 | 极低栅极电荷，开关损耗小 |
| 4 | 环保无铅器件可选 |
| 5 | 优异抗CdV/dt干扰能力 |
| 6 | 100%雪崩电压ΔVds全检 |
| 7 | 100%非钳位雪崩UIS可靠性测试 |
| DFN5*6引脚 | TO-252引脚 | 引脚功能 |
|---|---|---|
| 1,2,3 | 3 | Source 源极(S) |
| 4 | 1 | Gate 栅极(G) |
| 5,6,7,8 | 2 | Drain 漏极(D) |
| 料号Part Number | 封装Package | 品牌Brand |
|---|---|---|
| KCY3406B | DFN5*6 | KIA KMOS |
| KCD3406B | TO-252 | KIA KMOS |
| 参数名称 | 符号 | DFN5*6 | TO-252 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压(VGS=0V) | VDS | 60 | 60 | V |
| 栅源电压(VDS=0V) | VGS | ±20 | ±20 | V |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | ID | 80 | 80 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | ID | 50 | 50 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | IDM | 260 | 260 | A |
| 总耗散功率(Tc=25℃) | PD | 78.9 | 83 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 100 | 100 | mJ |
| 结温/存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | DFN5*6最大值 | TO-252最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.9 | 1.8 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,ID=250uA | 60 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=60V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS,ID=250uA | 1.0 | 1.7 | 2.5 | V |
| 导通电阻1 | Rds(on) | VGS=10V,ID=20A | - | 7.8 | 9.5 | mΩ |
| 导通电阻2 | Rds(on) | VGS=4.5V,ID=15A | - | 10 | 13 | mΩ |
| 栅极内阻 | Rg | VDS=0V,f=1MHz | - | 1.7 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=30V,f=1MHz | - | 900 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=30V,f=1MHz | - | 330 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=30V,f=1MHz | - | 14 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=30V,Rg=2Ω,ID=20A | - | 4 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDS=30V,Rg=2Ω,ID=20A | - | 3.5 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDS=30V,Rg=2Ω,ID=20A | - | 14 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDS=30V,Rg=2Ω,ID=20A | - | 2.6 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=30V,VGS=10V,ID=20A | - | 16 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=30V,VGS=10V,ID=20A | - | 1.1 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=30V,VGS=10V,ID=20A | - | 5.6 | - | nC |
| 体二极管连续电流 | ISD | - | - | - | 80 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,ISD=20A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/us | - | 22 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/us | - | 26 | - | nC |
| 正向开通时间 | ton | 开通由线路电感主导 | 可忽略不计 | |||
| 图号 | 图表名称 |
|---|---|
| Fig1 | 输出特性曲线 ID-VDS |
| Fig2 | 转移特性曲线 ID-VGS |
| Fig3 | 导通电阻随漏极电流变化曲线 |
| Fig4 | 连续漏极电流随外壳温度变化曲线 |
| Fig5 | 栅极电荷特性 VGS-Qg |
| Fig6 | 极间电容随VDS变化曲线 |
| Fig7 | 归一化击穿电压随结温变化 |
| Fig8 | 归一化导通电阻随结温变化 |
| Fig9 | 最大安全工作区SOA曲线 |
| Fig10 | 体二极管正向伏安特性 |
| Fig11 | 瞬态热阻抗曲线 ZθJC |
十、KCY3406 DFN5*6 竞品型号（竖排长条窄屏展示）
| 图号 | 电路用途 |
|---|---|
| Fig12 | 栅极电荷Qg测试电路+波形 |
| Fig13 | 电阻负载开关测试电路+波形 |
| Fig14 | 非钳位电感雪崩UIS测试电路+波形 |
| 原厂 | 同规格80A60V DFN5*6平替替代型号 |
|---|---|
| ON安森美 |
NTD80N06DF FDMS8060AS |
| Infineon英飞凌 |
BSC080N06LS5 BSC078N06NS |
| TI德州仪器 |
CSD16323Q5A CSD16322Q5A |
| Vishay威世 |
SI8064EDB SIS806DN |
| ST意法 |
STL80N6LF5 STL75N6LL |
| UTC友顺 |
UT80N06D5 UFD8060 |
| AOS万代 |
AOD8060DFN AON7560 |
1. 采用先进SGT芯片工艺，导通损耗极低，VGS10V典型Rds(on)仅7.8mΩ
2. 超低栅极电荷Qg=16nC，开关速度快，高频电源温升更低
3. DFN5*6超薄贴片封装，散热优异，Rθjc仅1.9℃/W，80A大电流承载
4. 强化抗CdV/dt干扰，内置100%UIS雪崩测试，工业级稳定耐用
5. 支持4.5V低压驱动，兼容锂电快充、DC-DC、电机驱动、逆变器
6. 环保无铅绿色器件，全制程100%ΔVds耐压检测，一致性强
7. 脉冲峰值电流260A，单脉冲雪崩能量100mJ，抗冲击负载能力强
8. 替代传统TO-252占位，PCB小型化，适合便携设备高密度布线
| 基础产品信息 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 产品型号 | KCY3406 | 封装 | DFN5*6 | 品牌 | KIA KMOS |
| 沟道类型 | N沟道MOSFET | Vds耐压 | 60V | 连续电流 | 80A(Tc=25℃) |
| 核心产品特性 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 1 | 先进SGT芯片工艺 | 5 | 优秀抗CdV/dt干扰性能 | |
| 2 | VGS10V典型Rds(on)=7.8mΩ | 6 | 100%雪崩电压ΔVds全检 | |
| 3 | 超低栅极电荷，高速开关 | 7 | 100%UIS雪崩可靠性测试 | |
| 4 | 环保无铅绿色器件可选 | - | - | |
| DFN5*6引脚定义 | ||
|---|---|---|
| DFN5*6引脚编号 | 引脚名称 | 功能 |
| 1,2,3 | S Source | 源极 |
| 4 | G Gate | 栅极 |
| 5,6,7,8 | D Drain | 漏极 |
| 绝对最大额定值 TA=25℃ | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | |
| 漏源耐压(VGS=0V) | VDS | 60 | V | |
| 栅源耐压(VDS=0V) | VGS | ±20 | V | |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | ID | 80 | A | |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | ID | 50 | A | |
| 脉冲峰值漏极电流 | IDM | 260 | A | |
| 总耗散功率(Tc=25℃) | PD | 78.9 | W | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 100 | mJ | |
| 工作/存储结温区间 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ | |
| 热特性参数 | |||
|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | DFN5*6最大值 | 单位 |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.9 | ℃/W |
| 电气特性 TA=25℃ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,ID=250uA | 60 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=60V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS,ID=250uA | 1.0 | 1.7 | 2.5 | V |
| 导通电阻1 | Rds(on) | VGS=10V,ID=20A | - | 7.8 | 9.5 | mΩ |
| 导通电阻2 | Rds(on) | VGS=4.5V,ID=15A | - | 10 | 13 | mΩ |
| 栅极内阻 | Rg | VDS=0V,f=1MHz | - | 1.7 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=30V,f=1MHz | - | 900 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=30V,f=1MHz | - | 330 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=30V,f=1MHz | - | 14 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=30V,Rg=2Ω,ID=20A | - | 4 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDS=30V,Rg=2Ω,ID=20A | - | 3.5 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDS=30V,Rg=2Ω,ID=20A | - | 14 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDS=30V,Rg=2Ω,ID=20A | - | 2.6 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=30V,VGS=10V,ID=20A | - | 16 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=30V,VGS=10V,ID=20A | - | 1.1 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=30V,VGS=10V,ID=20A | - | 5.6 | - | nC |
| 体二极管电流 | ISD | - | - | - | 80 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,ISD=20A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/us | - | 22 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/us | - | 26 | - | nC |
| 产品典型应用场景 | |
|---|---|
| 1. 快充电源适配器 | 4. 锂电池保护板 |
| 2. DC-DC升降压模块 | 5. 小型无刷电机驱动 |
| 3. 车载电源逆变器 | 6. 工业开关电源 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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