KCD3406B TO-252 60V80A N 沟道 MOS 管 低内阻快充专用
信息来源：本站 日期：2026-07-01
KCD3406B TO-252 60V80A N 沟道 MOS 管 低内阻快充专用
原厂 SGT 工艺｜7.8mΩ 超低内阻｜100% UIS 雪崩全检｜现货批量价优
KCD3406B,KCD3406B TO-252,KIA 3406B,60V80A MOS 管，TO252 功率 MOSFET
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品型号系列 | 3406B（KIA KMOS N沟道快充功率MOSFET） |
| 额定规格 | 80A，60V N-Channel Fast-Switching MOSFET |
| 技术工艺 | Advanced SGT 硅栅沟槽工艺 |
| 1. 先进SGT沟槽MOS工艺 | 5. 优异CdV/dt抗震荡特性 |
| 2. VGS=10V时Rds(on)典型7.8mΩ | 6. 100% Vds雪崩ΔVds全检 |
| 3. 极低栅极电荷Qg | 7. 100% UIS非钳位电感雪崩测试 |
| 4. 环保无铅绿色器件可选 |
| 料号 Part Number | 封装 Package | 品牌 Brand |
|---|---|---|
| KCY3406B | DFN5*6 | KIA |
| KCD3406B | TO-252 | KIA |
| DFN5*6引脚 | TO-252引脚 | 引脚功能 Function |
|---|---|---|
| 1,2,3 | 3 | Source 源极(S) |
| 4 | 1 | Gate 栅极(G) |
| 5,6,7,8 | 2 | Drain 漏极(D) |
| 参数名称 | 符号 | DFN5*6 | TO-252 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压(VGS=0V) | VDS | 60 | 60 | V |
| 栅源电压(VDS=0V) | VGS | ±20 | ±20 | V |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | ID | 80 | 80 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | ID | 50 | 50 | A |
| 脉冲峰值漏极电流IDM | IDM | 260 | 260 | A |
| 总耗散功率(Tc=25℃) | PD | 78.9 | 83 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 100 | 100 | mJ |
| 结温/存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | DFN5*6 Max | TO-252 Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.9 | 1.8 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,ID=250uA | 60 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | VDS=60V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | Igss | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250uA | 1.0 | 1.7 | 2.5 | V |
| 导通电阻1 | Rds(on) | VGS=10V,ID=20A | - | 7.8 | 9.5 | mΩ |
| 导通电阻2 | Rds(on) | VGS=4.5V,ID=15A | - | 10 | 13 | mΩ |
| 栅极内阻 | Rg | VDS=0V,f=1.0MHz | - | 1.7 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=30V,f=1MHz | - | 900 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=30V,f=1MHz | - | 330 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=30V,f=1MHz | - | 14 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) |
VDS=30V,VGS=10V RG=2Ω,ID=20A |
- | 4 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 3.5 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 14 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 2.6 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg |
VDS=30V,VGS=10V ID=20A |
- | 16 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 1.1 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 5.6 | - | nC | |
| 体二极管连续电流 | Isd | 无 | - | - | 80 | A |
| 二极管正向压降 | Vsd | VGS=0V,Isd=20A,Tj=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | Tj=25℃,IF=20A,di/dt=100A/μs | - | 22 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | Tj=25℃,IF=20A,di/dt=100A/μs | - | 26 | - | nC |
| 图号 | 测试电路用途 |
|---|---|
| Fig12 | 栅极电荷Gate Charge测试电路&波形 |
| Fig13 | 电阻负载开关测试电路&波形 |
| Fig14 | 非钳位电感UIS雪崩测试电路&波形 |
| 图号 | 曲线名称 |
|---|---|
| Fig1 | 输出特性 ID-VDS曲线 |
| Fig2 | 转移特性 ID-VGS曲线 |
| Fig3 | Rds(on)随漏极电流变化曲线 |
| Fig4 | 最大连续ID随外壳温度变化曲线 |
| Fig5 | VGS栅压-总栅极电荷Qg曲线 |
| Fig6 | 极间电容Ciss/Coss/Crss-VDS曲线 |
| Fig7 | 归一化击穿电压vs结温曲线 |
| Fig8 | 归一化导通电阻vs结温曲线 |
| Fig9 | SOA最大安全工作区曲线 |
| Fig10 | 体二极管正向伏安特性 |
| Fig11 | 瞬态热阻抗ZthJC脉冲时长曲线 |
| 1. 测试基板：1平方英寸FR4板，2oz铜箔 |
| 2. Rds(on)脉冲测试：脉宽≤300us，占空比≤2% |
| 3. EAS雪崩测试条件：VDD=36V,L=0.5mH,IAS=20A |
| 4. 器件功耗上限受175℃结温限制 |
| 5. Isd理论值等同ID，实际受功率限制 |
| KCD3406B（TO-252）产品介绍 | |
|---|---|
| 产品核心标题 | KCD3406B TO-252 60V 80A SGT N沟道快充MOS管 |
| 核心卖点短句 |
1. SGT先进工艺，超低7.8mΩ导通损耗 2. 低栅极电荷，高频开关发热更低 3. 100%UIS/ΔVds全检，抗雪崩耐用 4. 优秀CdV/dt抑制，电路不易震荡 5. TO-252贴片封装，贴片量产适配 6. -55~150℃宽温，电源稳定可靠 |
| 适用场景 |
电动车控制器、DC-DC降压电源 快充适配器、锂电池保护板 电机驱动、车载开关电源、UPS |
| 产品优势长文案 | KCD3406B采用新一代SGT沟槽MOS技术，60V耐压、80A持续大电流承载，VGS10V导通电阻典型仅7.8mΩ，大幅降低导通发热。器件栅极电荷极小，开关速度快，高频电源转换效率显著提升。出厂100%经过雪崩UIS与ΔVds冲击测试，内置高性能体二极管，反向恢复特性优良，有效抑制电路CdV/dt干扰，避免波形震荡。TO-252贴片封装，散热性能优异，外壳耐受83W大功率耗散，宽温工作区间覆盖工业、车载、消费快充全场景，兼容自动化SMT贴片生产，替代传统普通沟槽MOS，提升整机稳定性与续航表现。 |
| 同规格可替代竞品型号（竖排长条窄屏展示） |
|---|
|
AOD406 AOD4184 IRF3406 NTD4960N IPD090N06N3G SI7884DP FDMS0306AS NTMFS4833N SQ3406EV BSC0906NS AOS AOD406 ON NTD4806N Infineon IPP080N06N3 VISHAY SI7466DP ST STL80N6F7 |
| KCD3406B TO-252 核心参数速查表 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数项 | 符号 | 规格值 | 测试条件 | 单位 |
| 漏源耐压 | VDS | 60 | VGS=0V | V |
| 连续漏极电流 | ID | 80 | Tc=25℃ | A |
| 导通电阻典型值 | Rds(on) | 7.8 | VGS=10V ID=20A | mΩ |
| 峰值脉冲电流 | IDM | 260 | 单脉冲短时 | A |
| 封装功耗 | PD | 83 | Tc=25℃ TO-252 | W |
| 雪崩耐量 | EAS | 100 | 单脉冲测试 | mJ |
| 结温范围 | TJ | -55~150 | 长期工作 | ℃ |
| 结壳热阻 | RθJC | 1.8 | TO-252 Max | ℃/W |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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