KNH2906C TO-3P 60V130A 大功率低内阻耐雪崩不易发烫击穿

信息来源：本站　日期：2026-07-03　

KNH2906C TO-3P 60V130A 大功率 MOS 管低内阻耐雪崩不易发烫击穿

4.7mΩ 超低导通电阻｜100% UIS 雪崩全检｜TO-3P 超大散热底座

KNH2906C

KNH2906C，KNH2906C TO-3P，60V130A 大功率 MOS 管，KIA TO-3P 功率 MOSFET

KIA2906C 130A60V N沟道功率MOSFET完整规格参数

一、KNH2906C产品基础总览

项目	参数详情
产品系列型号	2906C N沟道功率MOSFET
品牌厂商	KIA KMOS Semiconductor可易亚半导体
额定漏源耐压VDS	60V
25℃连续漏极电流ID	130A
核心制造工艺	Advanced Trench沟槽工艺
三种可选封装	TO-263、TO-220、TO-3P

二、KNH2906C产品核心特性 Features

TO-263/TO-220：Rds(on)典型4.6mΩ@VGS=10V
TO-3P：Rds(on)典型4.7mΩ@VGS=10V
超低栅极电荷，降低高频开关损耗
提供无铅环保绿色器件版本
优异CdV/dt抑制，减少电路高频振荡
出厂100%ΔVds耐压全项检测
出厂100%UIS单脉冲雪崩耐量检测

三、KNH2906C料号与封装对应表

完整订购料号	封装外形	品牌
KNB2906C	TO-263 贴片(D2PAK)	KIA
KNP2906C	TO-220 直插	KIA
KNH2906C	TO-3P 大功率直插	KIA

四、KNH2906C引脚定义（三款封装通用）

引脚序号	引脚功能名称
1	Gate 栅极 G
2	Drain 漏极 D
3	Source 源极 S

五、KNH2906C绝对最大额定值(TA=25℃)

参数名称	符号	额定值	单位
漏源电压(VGS=0V)	VDS	60	V
栅源电压(VDS=0V)	VGS	±20	V
连续漏极电流(Tc=25℃)	ID	130	A
连续漏极电流(Tc=100℃)	ID	82	A
脉冲峰值漏极电流	IDM	440	A
总耗散功率(Tc=25℃)	PD	136	W
单脉冲雪崩能量	EAS	342	mJ
结温、存储温度区间	TJ,TSTG	-55 ~ 150	℃

六、KNH2906C热特性电气参数

参数名称	符号	最大值	单位
结到外壳热阻	RθJC	1.1	℃/W

七、KNH2906C完整电气特性参数(TA=25℃)

参数名称	符号	测试条件	Min	Typ	Max	单位
漏源击穿电压	BVDSS	VGS=0V,ID=250uA	60	-	-	V
漏源漏电流	IDSS	VDS=60V,VGS=0V,25℃	-	-	1	uA
栅源漏电流	IGSS	VGS=±20V,VDS=0V	-	-	±100	nA
栅极阈值开启电压	VGS(th)	VGS=VDS,ID=250uA	2	3	4	V
导通内阻Rds(on)	RDS(ON)	VGS=10V,ID=30A TO-263/220	-	4.6	5.8	mΩ
导通内阻Rds(on)	RDS(ON)	VGS=10V,ID=30A TO-3P	-	4.7	5.8	mΩ
栅极内阻	Rg	VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz	-	0.5	-	Ω
输入电容Ciss	Ciss	VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz	-	6500	-	pF
输出电容Coss	Coss	VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz	-	340	-	pF
反向传输电容Crss	Crss	VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz	-	283	-	pF
开通延迟时间	td(on)	VDS=30V,VGS=10V RG=3Ω,ID=20A	-	18	-	ns
上升时间tr	tr		-	80	-	ns
关断延迟时间	td(off)		-	35	-	ns
下降时间tf	tf		-	87	-	ns
总栅极电荷Qg	Qg	VDS=30V,VGS=10V ID=20A	-	120	-	nC
栅源电荷Qgs	Qgs		-	30	-	nC
栅漏电荷Qgd	Qgd		-	35	-	nC
体二极管连续电流	ISD	无额外条件	-	-	130	A
体二极管正向压降	VSD	VGS=0V,ISD=30A,TJ=25℃	-	-	1.2	V
二极管反向恢复时间	trr	TJ=25℃,IF=30A di/dt=100A/us	-	36	-	ns
反向恢复电荷Qrr	Qrr	TJ=25℃,IF=30A di/dt=100A/us	-	55	-	nC

八、KNH2906C典型特性曲线图表清单

Fig1：输出特性曲线 ID-VDS
Fig2：转移特性曲线 ID-VGS
Fig3：导通内阻随漏极电流变化曲线
Fig4：最大连续电流随外壳温度变化曲线
Fig5：栅极电荷VGS-Qg特性曲线
Fig6：极间电容随VDS变化 Ciss/Coss/Crss
Fig7：归一化击穿电压随结温变化曲线
Fig8：归一化导通内阻随结温变化曲线
Fig9：器件最大安全工作区SOA曲线
Fig10：体二极管正向ISD-VSD特性曲线
Fig11：结到外壳瞬态热阻抗曲线

九、KNH2906C测试电路与对应波形说明

Fig12：栅极电荷Qg测试电路+输出波形
Fig13：阻性负载开关测试电路+开关时序波形
Fig14：无钳位感性UIS雪崩测试电路+雪崩波形

十、KNH2906C规格书文档版本信息

十一、KNH2906C产品基础总览

文档项目	内容详情
规格书总页数	7页
文档修订版本	Rev 1.1
文档更新发布时间	Sep.2025（2025年9月）

项目	参数详情
产品系列型号	2906C N沟道功率MOSFET
品牌厂商	KIA KMOS Semiconductor可易亚半导体
额定漏源耐压VDS	60V
25℃连续漏极电流ID	130A
核心制造工艺	Advanced Trench沟槽工艺
三种可选封装	TO-263、TO-220、TO-3P

十二、KNH2906C产品核心特性 Features

TO-263/TO-220：Rds(on)典型4.6mΩ@VGS=10V
TO-3P：Rds(on)典型4.7mΩ@VGS=10V
超低栅极电荷，降低高频开关损耗
提供无铅环保绿色器件版本
优异CdV/dt抑制，减少电路高频振荡
出厂100%ΔVds耐压全项检测
出厂100%UIS单脉冲雪崩耐量检测

十三、KNH2906C料号与封装对应表

完整订购料号	封装外形	品牌
KNB2906C	TO-263 贴片(D2PAK)	KIA
KNP2906C	TO-220 直插	KIA
KNH2906C	TO-3P 大功率直插	KIA

十四、KNH2906C引脚定义（三款封装通用）

引脚序号	引脚功能名称
1	Gate 栅极 G
2	Drain 漏极 D
3	Source 源极 S

十五、KNH2906C绝对最大额定值(TA=25℃)

参数名称	符号	额定值	单位
漏源电压(VGS=0V)	VDS	60	V
栅源电压(VDS=0V)	VGS	±20	V
连续漏极电流(Tc=25℃)	ID	130	A
连续漏极电流(Tc=100℃)	ID	82	A
脉冲峰值漏极电流	IDM	440	A
总耗散功率(Tc=25℃)	PD	136	W
单脉冲雪崩能量	EAS	342	mJ
结温、存储温度区间	TJ,TSTG	-55 ~ 150	℃

十六、KNH2906C热特性电气参数

参数名称	符号	最大值	单位
结到外壳热阻	RθJC	1.1	℃/W

十七、KNH2906C完整电气特性参数(TA=25℃)

参数名称	符号	测试条件	Min	Typ	Max	单位
漏源击穿电压	BVDSS	VGS=0V,ID=250uA	60	-	-	V
漏源漏电流	IDSS	VDS=60V,VGS=0V,25℃	-	-	1	uA
栅源漏电流	IGSS	VGS=±20V,VDS=0V	-	-	±100	nA
栅极阈值开启电压	VGS(th)	VGS=VDS,ID=250uA	2	3	4	V
导通内阻Rds(on)	RDS(ON)	VGS=10V,ID=30A TO-263/220	-	4.6	5.8	mΩ
导通内阻Rds(on)	RDS(ON)	VGS=10V,ID=30A TO-3P	-	4.7	5.8	mΩ
栅极内阻	Rg	VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz	-	0.5	-	Ω
输入电容Ciss	Ciss	VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz	-	6500	-	pF
输出电容Coss	Coss	VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz	-	340	-	pF
反向传输电容Crss	Crss	VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz	-	283	-	pF
开通延迟时间	td(on)	VDS=30V,VGS=10V RG=3Ω,ID=20A	-	18	-	ns
上升时间tr	tr		-	80	-	ns
关断延迟时间	td(off)		-	35	-	ns
下降时间tf	tf		-	87	-	ns
总栅极电荷Qg	Qg	VDS=30V,VGS=10V ID=20A	-	120	-	nC
栅源电荷Qgs	Qgs		-	30	-	nC
栅漏电荷Qgd	Qgd		-	35	-	nC
体二极管连续电流	ISD	无额外条件	-	-	130	A
体二极管正向压降	VSD	VGS=0V,ISD=30A,TJ=25℃	-	-	1.2	V
二极管反向恢复时间	trr	TJ=25℃,IF=30A di/dt=100A/us	-	36	-	ns
反向恢复电荷Qrr	Qrr	TJ=25℃,IF=30A di/dt=100A/us	-	55	-	nC

十八、典型特性曲线图表清单

Fig1：输出特性曲线 ID-VDS
Fig2：转移特性曲线 ID-VGS
Fig3：导通内阻随漏极电流变化曲线
Fig4：最大连续电流随外壳温度变化曲线
Fig5：栅极电荷VGS-Qg特性曲线
Fig6：极间电容随VDS变化 Ciss/Coss/Crss
Fig7：归一化击穿电压随结温变化曲线
Fig8：归一化导通内阻随结温变化曲线
Fig9：器件最大安全工作区SOA曲线
Fig10：体二极管正向ISD-VSD特性曲线
Fig11：结到外壳瞬态热阻抗曲线

十九、KNH2906C测试电路与对应波形说明

Fig12：栅极电荷Qg测试电路+输出波形
Fig13：阻性负载开关测试电路+开关时序波形
Fig14：无钳位感性UIS雪崩测试电路+雪崩波形

二十、KNH2906C规格书文档版本信息

文档项目	内容详情
规格书总页数	7页
文档修订版本	Rev 1.1
文档更新发布时间	Sep.2025（2025年9月）

联系方式：邹先生

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）

联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KNH2906C

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