KIA2806AH TO-3P 60V150A 低内阻｜替代 IRFP2907 UPS
信息来源：本站 日期：2026-07-06
KIA2806AH TO-3P 60V150A 低内阻 MOS 管｜替代 IRFP2907 UPS 逆变器专用
原厂 KIA 2806AH TO-3P，100% 雪崩测试，330W 大功率散热，完美替代进口 MOS 管
KIA2806AH，KIA2806AH TO-3P，2806AH MOS 管，150A60V MOSFET，TO-3P 大功率场效应管
| 型号 | 2806A |
|---|---|
| 类型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 额定电流 | 150A |
| 耐压 | 60V |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 可选封装 | TO-263、TO-220、TO-3P、TO-247 |
| 引脚定义 | 1=Gate栅极；2=Drain漏极；3=Source源极 |
| 1. Rds(on)典型3.5mΩ@VGS=10V |
| 2. 100%雪崩能量测试 |
| 3. 器件稳定耐用 |
| 4. 无铅环保符合RoHS |
| 1. 开关电源电路 |
| 2. 逆变器系统电源管理 |
| 3. UPS不间断电源 |
| 参数名称 | 符号 | TO-220/263 | TO-247/3P | 单位 | 备注条件 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 60 | 60 | V | - |
| 栅源电压 | Vgss | ±25 | ±25 | V | - |
| 二极管连续正向电流 | Is | 150 | 150 | A | Tc=25℃ |
| 连续漏极电流Id | Id | 150 | 150 | A | Tc=25℃ |
| 连续漏极电流Id | Id | 105 | 105 | A | Tc=100℃ |
| 脉冲漏极电流 | Idm | 580 | 580 | A | Tc=25℃ |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 1200 | 1200 | mJ | L=1mH |
| 最大耗散功率Pd | Pd | 230 | 330 | W | Tc=25℃ |
| 最大耗散功率Pd | Pd | 115 | 165 | W | Tc=100℃ |
| 最高结温 | Tj | 175 | 175 | ℃ | - |
| 存储温度范围 | Tstg | -55~175 | -55~175 | ℃ | - |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 62.5 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.65 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Ids=250μA | 60 | - | - | V |
| 零栅压漏电流 | Idss | Vds=48V,Tj=25℃ | - | - | 1 | μA |
| 零栅压漏电流 | Idss | Vds=48V,Tj=85℃ | - | - | 10 | μA |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 栅极漏电流 | Igss | Vgs=±25V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 导通内阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=60A | - | 3.5 | 4.5 | mΩ |
| 栅极电阻 | Rg | Vds=0V,f=1MHz | - | 0.7 | - | Ω |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Isd=60A,Vgs=0V | - | 0.8 | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | If=60A,Vdd=50V | - | 30 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | If=60A,Vdd=50V | - | 50 | - | nC |
| 输入电容 | Ciss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 4376 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 857 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 334 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=30V,Ids=60A,Rg=25Ω | - | 28 | - | ns |
| 上升时间 | tr | Vdd=30V,Ids=60A,Rg=25Ω | - | 18 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=30V,Ids=60A,Rg=25Ω | - | 42 | - | ns |
| 下降时间 | tf | Vdd=30V,Ids=60A,Rg=25Ω | - | 54 | - | ns |
| 总栅电荷 | Qg | Vds=48V,Vgs=10V,Ids=60A | - | 130 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=48V,Vgs=10V,Ids=60A | - | 24 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vds=48V,Vgs=10V,Ids=60A | - | 47 | - | nC |
| 图号 | 图表名称 |
|---|---|
| Fig1 | 输出特性 Id-Vds |
| Fig2 | 转移特性 Id-Vgs |
| Fig3 | Rds(on)随漏极电流、栅压变化曲线 |
| Fig4 | Rds(on)随栅极电压变化曲线 |
| Fig5 | Rds(on)归一化随结温变化曲线 |
| Fig6 | 电容Ciss/Coss/Crss-Vds曲线 |
| Fig7 | 栅极电荷 Vgs-Qg 曲线 |
| Fig8 | 体二极管正向特性 Is-Vsd |
| Fig9 | 耗散功率Pd随外壳温度Tc降额曲线 |
| Fig10 | 漏极电流Id随外壳温度Tc降额曲线 |
| Fig11 | 安全工作区SOA曲线（不同脉冲宽度） |
| Fig12 | 瞬态热阻抗 ZθJC 曲线（不同占空比D） |
| 产品型号 | KIA2806AH |
|---|---|
| 封装规格 | TO-3P大功率直插封装 |
| 器件类型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 额定耐压Vdss | 60V |
| 连续漏极电流Id | 150A(Tc=25℃) |
| 导通内阻Rds(on) | 典型3.5mΩ(Vgs=10V,Id=60A) |
| 最大耗散功率Pd | 330W(Tc=25℃) |
| 引脚定义 | 1-Gate栅极｜2-Drain漏极｜3-Source源极 |
| 环保标准 | 无铅器件，符合RoHS环保规范 |
【KIA2806AH TO-3P 大功率MOSFET核心卖点】
1. 超低导通损耗：3.5mΩ低内阻，发热更低、转换效率更高
2. 超大电流承载：150A连续通流，脉冲峰值580A适配重载设备
3. 强悍雪崩耐受：100%出厂雪崩能量检测，短路冲击稳定性强
4. TO-3P高功率封装：330W大功率散热，长期高温工况稳定运行 5. 宽栅压耐受±25V，
输入电容均衡，开关速度快适配高频电源
6. 内置优质体二极管，反向恢复特性优，逆变器/UPS电路适配
7. 全温域可靠：最高175℃结温，高低温启停无性能衰减
8. 国产KIA原厂供货，交期稳定，可替代进口同规格功率管 【适用设备场景】 工业逆变器、UPS不间断电源、
大功率DC-DC开关电源 电动车控制器、储能变流器、大功率充电模块、电机驱动板
| 同参数60V/150A TO-3P平替替代型号 |
|---|
| IRFP2907 IRFP4368 FQA150N06 STW150N6F7 IPA150N06S3L SPP150N06G NTP150N06 AUIRFP2907 IXFH150N06 CSD15063L |
| 1. Rds(on)典型3.5mΩ @ VGS=10V |
| 2. 100%出厂雪崩能量可靠性测试 |
| 3. 芯片工艺稳定，抗冲击耐用性强 |
| 4. 无铅绿色器件，满足RoHS合规要求 |
| 1. 各类大功率开关电源切换电路 |
| 2. 逆变系统电源管理功率回路 |
| 3. UPS不间断电源主功率开关管 |
| 4. 储能、电机驱动、大功率充电设备 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 60 | V | - |
| 栅源耐受电压 | Vgss | ±25 | V | - |
| 体二极管连续正向电流 | Is | 150 | A | Tc=25℃ |
| 连续漏极电流 | Id | 150 | A | Tc=25℃ |
| 连续漏极电流降额 | Id | 105 | A | Tc=100℃ |
| 脉冲峰值漏极电流 | Idm | 580 | A | Tc=25℃ |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 1200 | mJ | L=1mH |
| 最大耗散功率 | Pd | 330 | W | Tc=25℃ |
| 高温耗散功率降额 | Pd | 165 | W | Tc=100℃ |
| 芯片最高结温 | Tj | 175 | ℃ | - |
| 器件存储温度区间 | Tstg | -55~175 | ℃ | - |
| 参数名称 | 符号 | 额定数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 62.5 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.65 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Ids=250μA | 60 | - | - | V |
| 零栅压漏电流(25℃) | Idss | Vds=48V,Tj=25℃ | - | - | 1 | μA |
| 零栅压漏电流(85℃) | Idss | Vds=48V,Tj=85℃ | - | - | 10 | μA |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 栅极漏电流 | Igss | Vgs=±25V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源导通内阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=60A | - | 3.5 | 4.5 | mΩ |
| 芯片栅极内阻 | Rg | Vds=0V,f=1MHz | - | 0.7 | - | Ω |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Isd=60A,Vgs=0V | - | 0.8 | 1.2 | V |
| 二极管反向恢复时间 | trr | If=60A,Vdd=50V | - | 30 | - | ns |
| 反向恢复电荷总量 | Qrr | If=60A,Vdd=50V | - | 50 | - | nC |
| 输入寄生电容Ciss | Ciss | Vds=25V,f=1MHz | - | 4376 | - | pF |
| 输出寄生电容Coss | Coss | Vds=25V,f=1MHz | - | 857 | - | pF |
| 反向传输电容Crss | Crss | Vds=25V,f=1MHz | - | 334 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=30V,Rg=25Ω | - | 28 | - | ns |
| 开关上升时间 | tr | Vdd=30V,Rg=25Ω | - | 18 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=30V,Rg=25Ω | - | 42 | - | ns |
| 开关下降时间 | tf | Vdd=30V,Rg=25Ω | - | 54 | - | ns |
| 总栅极电荷Qg | Qg | Vds=48V,Id=60A | - | 130 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | Qgs | Vds=48V,Id=60A | - | 24 | - | nC |
| 栅漏电荷Qgd | Qgd | Vds=48V,Id=60A | - | 47 | - | nC |
| 图号 | 曲线名称 |
|---|---|
| Fig1 | 输出特性 Id-Vds 曲线 |
| Fig2 | 转移特性 Id-Vgs 曲线 |
| Fig3 | Rds(on)随Id/Vgs变化曲线 |
| Fig4 | Rds(on)随栅极电压变化曲线 |
| Fig5 | Rds(on)归一化温度曲线 |
| Fig6 | 寄生电容Ciss/Coss/Crss曲线 |
| Fig7 | 栅极电荷 Vgs-Qg 曲线 |
| Fig8 | 体二极管正向伏安特性 |
| Fig9 | 耗散功率Tc温度降额曲线 |
| Fig10 | 漏极电流Tc温度降额曲线 |
| Fig11 | SOA安全工作区（多脉冲宽度） |
| Fig12 | 瞬态热阻抗ZθJC（多占空比） |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
