KNB2706A TO-263 贴｜2.8mΩ 低内阻 150A60V 平替 IRFS4368
信息来源：本站 日期：2026-07-06
KNB2706A TO-263 贴片 MOS 管｜2.8mΩ 低内阻 150A60V 平替 IRFS4368
原厂 KNB2706A TO-263，100% 雪崩全检，优化 dv/dt，解决管子炸机发烫难题
KNB2706A，KNB2706A TO-263，2706A 贴片 MOS 管，60V150A 贴片 MOSFET，TO263 大功率场效应管
| 产品系列型号 | 2706A N-CHANNEL MOSFET 60V/150A |
|---|---|
| 品牌 | KIA SEMICONDUCTORS |
| KNB2706A | 封装：TO-263 |
| KNP2706A | 封装：TO-220 |
| 引脚定义 | 1=Gate栅极，2=Drain漏极，3=Source源极 |
| 1. Rds(on)典型2.8mΩ @ VGS=10V，极低导通内阻 |
| 2. 低导通损耗，发热小，转换效率高 |
| 3. 器件高坚固性，抗冲击负载 |
| 4. 开关速度快，适配高频PWM电路 |
| 5. 100%出厂雪崩能量可靠性全检 |
| 6. 优化体二极管dv/dt耐受能力 |
| 1. PWM脉冲宽度调制开关电路 |
| 2. 各类设备电源管理功率回路 |
| 3. 大功率负载开关主功率管 |
| 参数名称 | 符号 | TO-263 | TO-220 | 单位 | 备注条件 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 60 | 60 | V | - |
| 连续漏极电流 | Id | 150 | 150 | A | Tc=25℃ |
| 高温连续漏极电流 | Id | 98 | 98 | A | Tc=100℃ |
| 脉冲峰值漏极电流 | Idm | 450 | 450 | A | 脉冲额定，受结温限制 |
| 栅源耐受电压 | Vgss | ±20 | ±20 | V | - |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 552 | 552 | mJ | 单脉冲测试 |
| 重复雪崩能量 | Ear | 240 | 240 | mJ | 重复工况 |
| 二极管峰值反向dv/dt | dv/dc | 4.5 | 4.5 | V/ns | 体二极管参数 |
| 最大耗散功率Pd | Pd | 238 | 320 | W | Tc=25℃ |
| 功率降额系数 | - | - | 2.56 | W/℃ | 高于25℃线性降额 |
| 结温/存储温度区间 | Tj,Tstg | -55~150 | -55~150 | ℃ | 器件工作极限温度 |
| 引脚焊接最高温度 | Tl | 300 | 300 | ℃ | 外壳1/8英寸，5秒时长 |
| 参数名称 | 符号 | TO-263 | TO-220 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.53 | 0.39 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | - | 62.5 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250uA | 60 | - | - | V |
| 击穿电压温度系数 | ΔBVdss/ΔTj | Id=250uA，基准25℃ | - | 0.06 | - | V/℃ |
| 漏源漏电流(25℃) | Idss | Vds=60V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 漏源漏电流(150℃) | Idss | Vds=48V,Tc=150℃ | - | - | 10 | uA |
| 栅极正向漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 2.2 | - | 3.6 | V |
| 漏源导通内阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=20A | - | 2.8 | 3.6 | mΩ |
| 输入寄生电容 | Ciss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 8850 | - | pF |
| 输出寄生电容 | Coss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 610 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 730 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=30V,Rg=25Ω,Id=50A | - | 20 | - | ns |
| 开关上升时间 | tr | Vdd=30V,Rg=25Ω,Id=50A | - | 38 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=30V,Rg=25Ω,Id=50A | - | 49 | - | ns |
| 开关下降时间 | tf | Vdd=30V,Rg=25Ω,Id=50A | - | 30 | - | ns |
| 总栅电荷(Vgs=10V) | Qg | Vds=30V,Id=50A,Vgs=10V | - | 200 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=30V,Id=50A,Vgs=10V | - | 35 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vds=30V,Id=50A,Vgs=10V | - | 72 | - | nC |
| 二极管连续正向电流 | Is | - | - | - | 150 | A |
| 二极管脉冲正向电流 | Ism | - | - | - | 450 | A |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Is=50A,Vgs=0V | - | - | 1.2 | V |
| 二极管反向恢复时间 | trr | Vgs=0V,Is=50A,di/dt=100A/us | - | 62 | - | ns |
| 反向恢复电荷总量 | Qrr | Vgs=0V,Is=50A,di/dt=100A/us | - | 105 | - | nC |
| 图号 | 图表名称 |
|---|---|
| Fig1 | TO-263 导通区输出特性Id-Vds |
| Fig2 | TO-220 导通区输出特性Id-Vds |
| Fig3 | 转移特性 Id-Vgs 曲线 |
| Fig4 | 体二极管正向电压与源电流曲线 |
| Fig5 | Rds(on)随漏极电流变化曲线(Vgs=10V) |
| Fig6 | Ciss/Coss/Crss 寄生电容-Vds曲线 |
| Fig7 | 栅极电荷 Vgs-Qg 特性曲线 |
| Fig8 | 最大连续漏极电流随结温降额曲线 |
| Fig9 | Vds随栅极电压Vgs变化曲线 |
| Fig10 | Rds(on)随栅极电压Vgs变化曲线 |
| Fig11 | TO-263 SOA安全工作区(多脉冲宽度) |
| Fig12 | TO-220 SOA安全工作区(多脉冲宽度) |
| Fig13 | TO-263 瞬态热阻抗曲线(不同占空比D) |
| Fig14 | TO-220 瞬态热阻抗曲线(不同占空比D) |
| 1. 栅极电荷测试电路及对应波形 |
| 2. 电阻型开关测试电路与开关时序波形 |
| 3. 无钳位电感开关测试电路与雪崩波形 |
| 4. 二极管峰值恢复dv/dt测试电路与电流电压波形 |
| 完整型号 | KNB2706A |
|---|---|
| 封装规格 | TO-263贴片功率封装 |
| 器件类型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 额定耐压Vdss | 60V |
| 连续漏极电流Id | 150A(Tc=25℃) |
| 导通内阻Rds(on) | 典型2.8mΩ(Vgs=10V,Id=20A) |
| 最大耗散功率Pd | 238W(Tc=25℃) |
| 引脚定义 | 1-Gate栅｜2-Drain漏｜3-Source源 |
| 工艺标准 | 100%雪崩全检，优化dv/dt耐受 |
【KNB2706A TO-263 贴片大功率MOS核心优势】
1. 超低2.8mΩ导通内阻，整机发热大幅降低，电源转换效率更高
2. 150A大电流承载，脉冲峰值450A，重载工况稳定不压降
3. 优化体二极管dv/dt特性，逆变/同步整流不易击穿损坏
4. 极速开关时序，适配高频PWM电路，减少开关损耗
5. 原厂100%雪崩能量检测，冲击负载、短路工况耐用可靠
6. TO-263贴片封装，自动化SMT生产，省人工、装配效率高
7. 国产KIA原厂稳定供货，可直接平替进口同规格贴片MOS
8. 宽温工作区间-55~150℃，高低温设备长期运行无衰减 【适配设备领域】
大功率贴片开关电源、工业PWM电源管理、直流负载开关 锂电储能模块、
车载大功率DC-DC、同步逆变功率回路
| 60V/150A TO-263贴片平替型号 |
|---|
| IRFS4368 FQA150N06L STL150N6F7 IPA150N06S3L SPP150N06LL NTP150N06L AUIRFS2907 IXFH150N06L CSD15063L KNB2806A |
| 1. Rds(on)典型2.8mΩ @ VGS=10V，极低导通内阻 |
| 2. 低导通损耗，发热小，整机转换效率提升 |
| 3. 芯片高坚固性，抗冲击、耐短路负载 |
| 4. 开关速度快，适配高频PWM调制电路 |
| 5. 出厂100%雪崩能量可靠性全检筛选 |
| 6. 优化体二极管dv/dt耐受，整流回路更稳定 |
| 1. PWM脉冲宽度调制开关功率电路 |
| 2. 工业设备大功率电源管理模块 |
| 3. 大功率直流电子负载开关回路 |
| 4. 储能、车载贴片式DC-DC转换器 |
| 参数名称 | 符号 | 额定数值 | 单位 | 测试备注 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 60 | V | - |
| 连续漏极电流 | Id | 150 | A | Tc=25℃ |
| 高温连续漏极电流 | Id | 98 | A | Tc=100℃ |
| 脉冲峰值漏极电流 | Idm | 450 | A | 脉冲，受结温限制 |
| 栅源耐受电压 | Vgss | ±20 | V | - |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 552 | mJ | 单次冲击测试 |
| 重复雪崩能量 | Ear | 240 | mJ | 循环负载工况 |
| 二极管峰值反向dv/dt | dv/dc | 4.5 | V/ns | 体二极管参数 |
| 最大耗散功率 | Pd | 238 | W | Tc=25℃ |
| 工作/存储温度范围 | Tj,Tstg | -55~150 | ℃ | 芯片极限温区 |
| 引脚焊接峰值温度 | Tl | 300 | ℃ | 5秒短时焊接 |
| 参数名称 | 符号 | TO-263数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.53 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250uA | 60 | - | - | V |
| 击穿电压温度系数 | ΔBVdss/ΔTj | Id=250uA，基准25℃ | - | 0.06 | - | V/℃ |
| 常温漏源漏电流 | Idss | Vds=60V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 高温漏源漏电流 | Idss | Vds=48V,Tc=150℃ | - | - | 10 | uA |
| 栅极正向漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 2.2 | - | 3.6 | V |
| 漏源导通内阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=20A | - | 2.8 | 3.6 | mΩ |
| 输入寄生电容 | Ciss | Vds=25V,f=1MHz | - | 8850 | - | pF |
| 输出寄生电容 | Coss | Vds=25V,f=1MHz | - | 610 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=25V,f=1MHz | - | 730 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=30V,Rg=25Ω,Id=50A | - | 20 | - | ns |
| 开关上升时间 | tr | Vdd=30V,Rg=25Ω,Id=50A | - | 38 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=30V,Rg=25Ω,Id=50A | - | 49 | - | ns |
| 开关下降时间 | tf | Vdd=30V,Rg=25Ω,Id=50A | - | 30 | - | ns |
| 总栅极电荷(10V) | Qg | Vds=30V,Id=50A | - | 200 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=30V,Id=50A | - | 35 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vds=30V,Id=50A | - | 72 | - | nC |
| 二极管连续正向电流 | Is | - | - | - | 150 | A |
| 二极管脉冲正向电流 | Ism | - | - | - | 450 | A |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Is=50A,Vgs=0V | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | Is=50A,di/dt=100A/us | - | 62 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | Is=50A,di/dt=100A/us | - | 105 | - | nC |
| 图号 | 曲线名称 |
|---|---|
| Fig1 | TO-263 导通区输出特性Id-Vds |
| Fig3 | 转移特性 Id-Vgs 曲线 |
| Fig4 | 体二极管正向电压与源电流曲线 |
| Fig5 | Rds(on)随漏极电流变化曲线(Vgs=10V) |
| Fig6 | Ciss/Coss/Crss 寄生电容-Vds曲线 |
| Fig7 | 栅极电荷 Vgs-Qg 特性曲线 |
| Fig8 | 最大连续漏极电流随结温降额曲线 |
| Fig9 | Vds随栅极电压Vgs变化曲线 |
| Fig10 | Rds(on)随栅极电压Vgs变化曲线 |
| Fig11 | TO-263 SOA安全工作区(多脉冲宽度) |
| Fig13 | TO-263 瞬态热阻抗曲线(不同占空比D) |
| 1. 栅极电荷测试电路及输出波形 |
| 2. 电阻型开关测试电路与开关时序波形 |
| 3. 无钳位电感开关雪崩测试电路 |
| 4. 二极管峰值恢复dv/dt测试电路与波形 |
联系方式：邹先生
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