KNE7106B SOP8 双路｜65V20A 5V 直驱平替 AO4803/FDS8966
信息来源：本站 日期：2026-07-06
KNE7106B SOP8 双路｜65V20A 5V 直驱平替 AO4803/FDS8966
原厂 KNE7106B SOP8 双管集成，2KV ESD+100% 雪崩全检，解决静电炸管、PCB 拥挤难题
KNE7106B，KNE7106B SOP8，SOP8 双路 MOS 管，65V20A 双 N 沟道 MOSFET，SOP8 贴片场效应管
| 产品系列型号 | 7106B 双路N沟道功率MOSFET 65V/20A |
|---|---|
| 完整料号 | KNE7106B |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装形式 | SOP8贴片封装，内部集成2路独立MOS管 |
| 引脚定义 | G1/G2=栅极；D1/D2=漏极；S1/S2=源极 |
| 1. 低导通内阻：Rds(on)典型14.5mΩ @ VGS=10V |
| 2. 5V逻辑电平驱动，单片机直接控制无需升压 |
| 3. 单脉冲雪崩能量100%出厂全检，可靠性保障 |
| 4. 内置2KV ESD静电保护，防止芯片静电击穿损坏 |
| 5. SOP8双管集成，节省PCB布板空间，降低物料数量 |
| 1. 电子设备电源负载开关回路 |
| 2. 各类直流高频开关电路设计 |
| 3. 高速线路驱动、信号切换开关 |
| 4. 小型设备电源管理、多通道供电控制 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 备注条件 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 65 | V | - |
| 栅源耐受电压 | Vgss | ±20 | V | - |
| 连续漏极电流 | Id | 20 | A | TA=25℃ |
| 高温连续漏极电流 | Id | 16 | A | TA=70℃ |
| 脉冲峰值漏极电流 | Idm | 26 | A | 脉冲额定，受结温限制 |
| 单管最大耗散功率 | Pd | 1.6 | W | TA=25℃ |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 31 | mJ | 单次冲击测试 |
| 芯片最高工作结温 | Tj | 150 | ℃ | - |
| 器件存储温度区间 | Tstg | -50~150 | ℃ | - |
| 参数名称 | 符号 | 额定数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 芯片结到环境热阻 | RθJA | 80 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250uA | 65 | - | - | V |
| 零栅压漏电流(常温) | Idss | Vds=60V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 零栅压漏电流(125℃) | Idss | Vds=48V,Vgs=0V | - | - | 100 | nA |
| 栅极漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±20 | uA |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 1.0 | 1.6 | 2.5 | V |
| 导通内阻(VGS=10V) | Rds(on) | Vgs=10V,Id=10A | - | 14.5 | 19 | mΩ |
| 导通内阻(VGS=4.5V) | Rds(on) | Vgs=4.5V,Id=8A | - | 20.5 | 27 | mΩ |
| 输入寄生电容 | Ciss | Vds=30V,f=1MHz | - | 385 | - | pF |
| 输出寄生电容 | Coss | Vds=30V,f=1MHz | - | 170 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=30V,f=1MHz | - | 10 | - | pF |
| 总栅极电荷 | Qg | Vds=30V,Id=3A,Vgs=10V | - | 6 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=30V,Id=3A,Vgs=10V | - | 0.6 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vds=30V,Id=3A,Vgs=10V | - | 2.4 | - | nC |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=30V,Rg=6Ω,Id=3A | - | 5 | - | ns |
| 开关上升时间 | tr | Vdd=30V,Rg=6Ω,Id=3A | - | 13 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=30V,Rg=6Ω,Id=3A | - | 8 | - | ns |
| 开关下降时间 | tf | Vdd=30V,Rg=6Ω,Id=3A | - | 17 | - | ns |
| 体二极管连续电流 | Isd | TA=25℃ | - | - | 12 | A |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Vgs=0V,Isd=3A,Tj=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 图号 | 图表名称 |
|---|---|
| Fig1 | 输出特性 Id-Vds 不同VGS曲线 |
| Fig2 | 阈值电压Vgs(th)随结温变化曲线 |
| Fig3 | Rds(on)随漏极电流、栅压变化曲线 |
| Fig4 | Rds(on)随栅源电压VGS变化曲线 |
| Fig5 | 连续漏极电流随外壳温度Tc降额曲线 |
| Fig6 | 归一化Rds(on)随结温Tj变化曲线 |
| Fig7 | Ciss/Coss/Crss 寄生电容-Vds曲线 |
| Fig8 | 栅极电荷 Vgs-Qg 特性曲线 |
| Fig9 | 归一化瞬态热阻抗曲线(多占空比D) |
| 完整料号 | KNE7106B |
|---|---|
| 封装规格 | SOP8贴片，内置2路独立N沟道MOS |
| 单管耐压Vdss | 65V |
| 单管连续电流Id | 20A(TA=25℃) |
| 导通内阻Rds(on) | 典型14.5mΩ@VGS=10V |
| 驱动电平 | 5V逻辑电平，单片机直驱 |
| 单管最大功耗Pd | 1.6W(TA=25℃) |
| 引脚定义 | G1/G2栅｜D1/D2漏｜S1/S2源 |
| 防护等级 | 内置2KV ESD静电防护，100%雪崩检测 |
【KNE7106B SOP8双路MOS核心优势】
1. SOP8集成双MOS，一颗料替代两颗单管，精简BOM省PCB空间
2. 14.5mΩ超低导通内阻，负载开关发热小，设备温升更低 3. 5V逻辑电平驱动，
3.3V/5V单片机无需驱动电路直接控制
4. 内置2KV ESD防护，生产、使用不易静电击穿芯片
5. 单脉冲雪崩能量全检，短路冲击、负载波动工况稳定耐用
6. 开关速度快、栅电荷仅6nC，高频线路驱动损耗低
7. 国产KIA原厂稳定现货，可直接平替进口双路SOP8 MOS管
8. 宽温-50~150℃工作，消费/工业设备高低温稳定运行 【适配设备领域】 多通道负载电源开关、小型高频开关电路
高速信号线路驱动器、小家电多路电源管理模块 锂电池保护板、工控板多路供电切换回路
| 型号 | 封装 | 耐压 | 单管电流 | Rds(on)典型值 | 核心差异 |
|---|---|---|---|---|---|
| KNE7106B | SOP8双路 | 65V | 20A | 14.5mΩ | 2KV ESD，100%雪崩检测 |
| FDS8966 | SOP8双路 | 60V | 18A | 18mΩ | 耐压偏低，无原厂雪崩全检 |
| FDS8896 | SOP8双路 | 60V | 17A | 20mΩ | 导通内阻更高，温升更大 |
| AO4803 | SOP8双路 | 60V | 15A | 22mΩ | 电流偏小，仅适合轻载 |
| AO4606 | SOP8双路 | 30V | 12A | 12mΩ | 耐压不足，高压场景不可用 |
| SI4864BD | SOP8双路 | 60V | 16A | 19mΩ | 进口交期长，单价偏高 |
| DMN60D8LSD | SOP8双路 | 60V | 19A | 16mΩ | ESD防护仅1KV，易静电损坏 |
| CJ4803 | SOP8双路 | 60V | 14A | 24mΩ | 额定电流低，重载压降大 |
| 1. Rds(on)典型14.5mΩ @ VGS=10V，低导通损耗 |
| 2. 5V逻辑电平控制，MCU直接驱动无需升压 |
| 3. 100%单脉冲雪崩能量EAS出厂检测 |
| 4. 内置2KV ESD静电保护，抗静电损伤 |
| 5. SOP8双管集成，简化布线、减少物料数量 |
| 1. 各类电子设备多路负载开关回路 |
| 2. 中小功率直流高频开关电源电路 |
| 3. 高速线路信号驱动、电平切换开关 |
| 4. 消费/工业设备多路电源管理模块 |
| 参数名称 | 符号 | 额定数值 | 单位 | 测试备注 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 65 | V | - |
| 栅源耐受电压 | Vgss | ±20 | V | - |
| 连续漏极电流 | Id | 20 | A | TA=25℃ |
| 高温连续漏极电流 | Id | 16 | A | TA=70℃ |
| 脉冲峰值漏极电流 | Idm | 26 | A | 脉冲，受结温限制 |
| 单管最大耗散功率 | Pd | 1.6 | W | TA=25℃ |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 31 | mJ | 单次冲击测试 |
| 芯片最高工作结温 | Tj | 150 | ℃ | - |
| 器件存储温度范围 | Tstg | -50~150 | ℃ | 存储极限温区 |
| 参数名称 | 符号 | SOP8数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 80 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250uA | 65 | - | - | V |
| 常温零栅漏电流 | Idss | Vds=60V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 高温零栅漏电流 | Idss | Vds=48V,Tj=125℃ | - | - | 100 | nA |
| 栅极漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±20 | uA |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 1.0 | 1.6 | 2.5 | V |
| 导通内阻10V栅压 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=10A | - | 14.5 | 19 | mΩ |
| 导通内阻4.5V栅压 | Rds(on) | Vgs=4.5V,Id=8A | - | 20.5 | 27 | mΩ |
| 输入寄生电容 | Ciss | Vds=30V,f=1MHz | - | 385 | - | pF |
| 输出寄生电容 | Coss | Vds=30V,f=1MHz | - | 170 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=30V,f=1MHz | - | 10 | - | pF |
| 总栅极电荷 | Qg | Vds=30V,Id=3A | - | 6 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=30V,Id=3A | - | 0.6 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vds=30V,Id=3A | - | 2.4 | - | nC |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=30V,Rg=6Ω,Id=3A | - | 5 | - | ns |
| 开关上升时间 | tr | Vdd=30V,Rg=6Ω,Id=3A | - | 13 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=30V,Rg=6Ω,Id=3A | - | 8 | - | ns |
| 开关下降时间 | tf | Vdd=30V,Rg=6Ω,Id=3A | - | 17 | - | ns |
| 体二极管连续电流 | Isd | TA=25℃ | - | - | 12 | A |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Isd=3A,Vgs=0V | - | - | 1.2 | V |
| 图号 | 曲线名称 |
|---|---|
| Fig1 | 输出特性 Id-Vds 多栅压曲线 |
| Fig2 | 阈值电压Vgs(th)随结温变化曲线 |
| Fig3 | Rds(on)随漏极电流、栅压变化曲线 |
| Fig4 | Rds(on)随栅源电压VGS变化曲线 |
| Fig5 | 连续漏极电流随外壳温度Tc降额曲线 |
| Fig6 | 归一化Rds(on)随结温Tj变化曲线 |
| Fig7 | Ciss/Coss/Crss 寄生电容-Vds曲线 |
| Fig8 | 栅极电荷 Vgs-Qg 特性曲线 |
| Fig9 | 归一化瞬态热阻抗曲线(不同占空比D) |
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