KND3308A TO-252 80V80A 低内阻｜6.2mΩ 平替 IRLR8726
信息来源：本站 日期：2026-07-07
KND3308A TO-252 80V80A 低内阻 MOS 管｜6.2mΩ 平替 IRLR8726
KND3308A TO-252 低导通损耗 MOS，6.2mΩ 内阻解决电源发热炸管难题，80A 大电流适配大功率 DC-DC
KND3308A，KND3308A TO-252，TO-252 贴片 MOS 管，80V80A N 沟道 MOSFET，KIA 功率场效应管
| 产品型号 | KNX3308A（分4封装后缀） |
|---|---|
| 器件类型 | N-CHANNEL N沟道MOSFET |
| 额定Vdss耐压 | 80V |
| 连续漏极电流Id | 80A(Tc=25℃) |
| 品牌 | KIA SEMICONDUCTORS |
| 1. Rds(on)典型6.2mΩ@VGS=10V |
| 2. 无铅环保绿色器件可供应 |
| 3. 低导通内阻，降低导通损耗 |
| 4. 高雪崩电流耐受能力 |
| 1. Power supply 开关电源 |
| 2. DC-DC converters DC-DC变换器 |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极G |
| 2 | Drain 漏极D |
| 3 | Source 源极S |
| 4 | Drain 漏极D(TO-247专用) |
| 完整料号 | 封装Package | 品牌 |
|---|---|---|
| KND3308A | TO-252 | KIA |
| KNB3308A | TO-263 | KIA |
| KNP3308A | TO-220 | KIA |
| KNM3308A | TO-247 | KIA |
| 参数名称 | 符号 | TO-252 | TO-263/TO-220 | TO-247 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 80 | 80 | 80 | V |
| 栅源耐受电压 | Vgss | ±25 | ±25 | ±25 | V |
| 连续漏极电流25℃ | Id(Tc=25℃) | 80 | 80 | 80 | A |
| 连续漏极电流100℃ | Id(Tc=100℃) | 70 | 70 | 70 | A |
| 脉冲漏极电流 | Idm(Tc=25℃) | 340 | 340 | 340 | A |
| 雪崩电流 | Ias | 20 | 20 | 20 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 529 | 529 | 529 | mJ |
| 最大功耗Tc=25℃ | Pd(25℃) | 120 | 240 | 288 | W |
| 最大功耗Tc=100℃ | Pd(100℃) | 60 | 100 | 144 | W |
| 结温/存储温区 | Tj,Tstg | -55~175 | -55~175 | -55~175 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | TO-252 | TO-263/TO-220 | TO-247 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | Rθjc | 1.04 | 0.52 | 0.44 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | Rθja | 55 | 55 | 55 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 静态参数 Static characteristics | ||||||
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250μA | 80 | - | - | V |
| 零栅漏电流常温 | Idss | Vds=64V,Vgs=0V | - | - | 1 | μA |
| 零栅漏电流高温 | Idss | Vds=64V,Tj=125℃ | - | - | 100 | μA |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 栅极漏电流 | Igss | Vgs=±25V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 导通内阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Ids=30A | - | 6.2 | 9 | mΩ |
| 体二极管参数 Diode characteristics | ||||||
| 体二极管正向压降 | Vsd | Isd=40A,Vgs=0V | - | - | 1.3 | V |
| 二极管连续正向电流 | Is | - | - | - | 80 | A |
| 反向恢复时间 | trr | If=40A,di/dt=100A/μs | - | 25 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | If=40A,di/dt=100A/μs | - | 18.5 | - | nC |
| 动态参数 Dynamic characteristics | ||||||
| 栅极内阻 | Rg | Vgs=0V,Vds=0V,F=1MHz | - | 1.3 | - | Ω |
| 输入寄生电容 | Ciss | Vgs=0V,Vds=25V,F=1MHz | - | 3110 | - | pF |
| 输出寄生电容 | Coss | Vgs=0V,Vds=25V,F=1MHz | - | 445 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vgs=0V,Vds=25V,F=1MHz | - | 270 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=37.5V,Id=40A,Rg=6.8Ω | - | 20.4 | - | nS |
| 上升时间 | tr | Vdd=37.5V,Id=40A,Rg=6.8Ω | - | 63 | - | nS |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=37.5V,Id=40A,Rg=6.8Ω | - | 67 | - | nS |
| 下降时间 | tf | Vdd=37.5V,Id=40A,Rg=6.8Ω | - | 43 | - | nS |
| 栅极电荷 Gate charge(Vds=37.5V,Vgs=10V,Id=40A) | ||||||
| 总栅极电荷 | Qg | - | - | 76 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | - | 9.5 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 40 | - | nC |
| 图号分组 | 曲线名称 |
|---|---|
| 第一组4图 | Id-Vds输出特性、Rds(on)-Id曲线、Rds(on)-Vgs曲线、Vgs(th)-Tj曲线 |
| 第二组4图 | Rds(on)-Tj归一曲线、Is-Vsd二极管曲线、Ciss/Coss/Crss电容曲线、Qg-Vgs栅电荷曲线 |
| 第三组4图 | Pd-Tj功耗降额、Id-Tj电流降额、SOA安全工作区、瞬态热阻抗曲线 |
| 第四组1图 | 多占空比归一化瞬态热阻曲线 |
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 完整型号 | KND3308A |
| 封装 | TO-252(DPAK) |
| 器件类型 | N沟道MOSFET |
| 品牌 | KIA SEMICONDUCTORS |
| 漏源耐压Vdss | 80V |
| 连续漏极电流Id(25℃) | 80A |
| 导通内阻Rds(on) | 典型6.2mΩ@VGS=10V |
| 最大功耗Pd(Tc=25℃) | 120W |
| 结到外壳热阻Rθjc | 1.04℃/W |
| 工作温区Tj/Tstg | -55℃ ~ 175℃ |
| 核心应用 | 开关电源、DC-DC降压变换器 |
| 宣传主标题 | KND3308A TO-252 80V80A低内阻功率MOS管 |
|---|---|
| 推广短句 | 6.2mΩ超低导通损耗，高雪崩耐受稳定耐用 |
| 核心卖点文案 |
|
| 场景引流文案 |
|
| 兼容替代型号（竖向单列展示） |
|---|
|
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| VGS栅源耐压 | ±25 | V |
| 100℃持续漏极电流 | 70 | A |
| 脉冲漏极峰值电流 | 340 | A |
| 雪崩电流IAS | 20 | A |
| 单脉冲雪崩能量EAS | 529 | mJ |
| 100℃最大功耗Pd | 60 | W |
| 结到环境热阻Rθja | 55 | ℃/W |
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