KIA10N65参数

功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越的开关性能，以及在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率开关电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

KIA10N65特征

RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V

低栅极电荷（典型的90nc）

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt／dt能力

产品型号：KIA24N50

工作方式：24A/500V

漏源电压：500V

栅源电压：±30V

漏电流连续：24A

脉冲漏极电流：96A

雪崩能量：1150mJ

耗散功率：290W

热电阻：40℃/W

漏源击穿电压：500V

温度系数：0.5V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：3500 PF

输出电容：520 PF

上升时间：35 ns

封装形式：TO-3P

	KIA24N50（24A 500V）
产品编号	KIA24N50/HH
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越的开关性能，以及在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲
产品特征	RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V 低栅极电荷（典型的90nc）高耐用性快速切换 100%雪崩测试改进的dt／dt能力
适用范围	主要适合于高效率开关电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正
封装形式	TO-3P
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总5页