KIA4N65参数

这是功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。器件主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。

KIA4N65特征

RDS(on) =2.5? @ VGS=10V

低栅极电荷（典型的16nc）

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv / dt的能力

产品型号：KIA4N65

工作方式：4A/650V

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

漏电流连续：3.0A

脉冲漏极电流：12A

雪崩能量：210mJ

耗散功率：58W

热电阻：110℃/W

漏源击穿电压：650V

温度系数：0.65V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：560 PF

输出电容：55 PF

上升时间：40 ns

封装形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F

	KIA4N65（4A 650V）
产品编号	KIA4N65/HF
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲
产品特征	RDS(on) =2.5? @ VGS=10V 低栅极电荷（典型的16nc）高耐用性快速切换 100%雪崩测试改进的dv / dt的能力
适用范围	器件主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
封装形式	TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总6页