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4N65现货供应商 KIA4N65 4A/600V PDF下载 4N65参数资料-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-02-02 

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KIA4N65参数

这是功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲器件主要适用于高效率开关电源,有源功率因数校正。基于半桥拓扑。


KIA4N65特征

RDS(on) =2.5? @ VGS=10V

低栅极电荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv / dt的能力


产品型号:KIA4N65

工作方式:4A/650V

漏源电压:650V

栅源电压:±30V

漏电流连续:3.0A

脉冲漏极电流:12A

雪崩能量:210mJ

耗散功率:58W

热电阻:110℃/W

漏源击穿电压:650V

温度系数:0.65V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:560 PF

输出电容:55 PF

上升时间:40 ns

封装形式:TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F


KIA4N65(4A 650V
产品编号 KIA4N65/HF
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲
产品特征

RDS(on) =2.5? @ VGS=10V

低栅极电荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv / dt的能力

适用范围 器件主要适用于高效率开关电源,有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
封装形式 TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF总页数 总6

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联系电话:0755-83888366-8022

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联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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