KNP9130B TO-220 MOS 管 300V40A 低内阻 N 沟道功率场效应管
典型 0.12Ω 导通内阻｜低栅极电荷｜内置快恢复体二极管
KNP9130B、TO-220 MOS 管、300V40A 场效应管、N 沟道功率 MOSFET、KIA MOS 管
一、KNP9130B（TO-220封装）产品基础信息
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产品系列
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9130B N沟道MOSFET
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规格参数
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40A，300V
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型号&封装
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KNP9130B(TO-220)、KNH9130B(TO-3P)
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品牌
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KIA KMOS Semiconductor
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核心工艺
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自研全新平面工艺，低内阻、低栅荷、快恢复体二极管
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二、KNP9130B（TO-220封装）产品特性
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采用自研全新平面工艺制造
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VGS=10V时RDS(ON)典型0.12Ω
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低栅极电荷，降低开关损耗
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内置快恢复体二极管
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三、KNP9130B（TO-220封装）适用应用场景
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DC-DC直流转换器
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UPS配套DC-AC逆变器
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开关电源、电机控制电路
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四、KNP9130B（TO-220封装）引脚定义
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引脚编号
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引脚功能
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1
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Gate栅极
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2
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Drain漏极
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3
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Source源极
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五、KNP9130B（TO-220封装）订购信息
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料号
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封装
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品牌
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KNP9130B
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TO-220
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KIA
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KNH9130B
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TO-3P
|
KIA
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六、KNP9130B（TO-220封装）绝对最大额定值(Tc=25℃)
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参数名称
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符号
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TO-220
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TO-3P
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单位
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漏源耐压
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Vdss
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300
|
300
|
V
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栅源耐压
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Vgss
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±20
|
±20
|
V
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连续漏极电流Id
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Id
|
40(Tc=25℃)
|
40(Tc=25℃)
|
A
|
|
28(Tc=100℃)
|
28(Tc=100℃)
|
A
|
|
脉冲漏极电流
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IdM
|
160
|
160
|
A
|
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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1154
|
1154
|
mJ
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二极管最大恢复dv/dt
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dv/dt
|
5.0
|
5.0
|
V/ns
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功耗
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Pd
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340
|
380
|
W
|
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25℃以上降额系数
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Pd
|
2.72
|
3.26
|
W/℃
|
|
焊接温度(10s)
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TL(引脚)
|
300
|
300
|
℃
|
|
Tpak(封装本体)
|
260
|
260
|
℃
|
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工作、存储温度
|
TJ、Tstg
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-55~150
|
-55~150
|
℃
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七、KNP9130B（TO-220封装）热学参数
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参数名称
|
符号
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TO-220
|
TO-3P
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单位
|
|
结到外壳热阻
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RθJC
|
0.37
|
0.42
|
℃/W
|
|
结到环境热阻
|
RθJA
|
62
|
27
|
℃/W
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八、KNP9130B（TO-220封装）电气特性(TJ=25℃)
静态特性
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参数名称
|
符号
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测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
BVdss
|
VGS=0V,Id=250uA
|
300
|
-
|
-
|
V
|
|
漏源漏电流Idss
|
Idss
|
Vds=300V,Tj=25℃
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
Vds=240V,Tj=125℃
|
-
|
-
|
100
|
uA
|
|
栅源漏电流
|
Igss
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
漏源导通电阻
|
Rds(on)
|
VGS=10V,Id=20A
|
-
|
0.12
|
0.15
|
Ω
|
|
栅极阈值电压
|
Vgs(th)
|
VDS=VGS,Id=250uA
|
2.0
|
-
|
4.0
|
V
|
电容参数
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参数名称
|
符号
|
测试条件
|
典型值
|
单位
|
|
输入电容
|
Ciss
|
VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz
|
2830
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
85
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
280
|
pF
|
栅极电荷参数
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
典型值
|
单位
|
|
总栅极电荷
|
Qg
|
VDD=150V,Id=20A,VGS=0→10V
|
105
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
15
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷
|
Qgd
|
48
|
nC
|
开关时间参数
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
典型值
|
单位
|
|
开通延迟时间
|
td(on)
|
VDD=150V,Id=20A,RG=1.2Ω,VGS=10V
|
20
|
ns
|
|
上升时间
|
trise
|
15
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(off)
|
55
|
ns
|
|
下降时间
|
tfall
|
18
|
ns
|
体二极管特性
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
最大值
|
单位
|
|
连续源极电流
|
IsD
|
MOS内置PN体二极管
|
40
|
A
|
|
脉冲源极电流
|
IsM
|
MOS内置PN体二极管
|
160
|
A
|
|
正向压降
|
VSD
|
Is=40A,VGS=0V
|
1.5
|
V
|
|
反向恢复时间
|
trr
|
If=20A,dI/dt=100A/us
|
399
|
ns
|
|
反向恢复电荷
|
Qrr
|
2682
|
nC
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九、KNP9130B（TO-220封装）平替替代型号清单（窄屏竖排）
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IRF450
|
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FHP40N30
|
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NCE3040
|
|
HY40N30
|
|
SPP40N30
|
|
AOT3040
|
|
IXFX40N30
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十、KNP9130B（TO-220封装）产品营销推广内容
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推广维度
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详情说明
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性能优势
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0.12Ω低导通内阻，降低导通发热损耗
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可靠性
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1154mJ雪崩能量，耐受电路浪涌冲击
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封装适配
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TO220/TO3P双封装，适配各类散热结构
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适配行业
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DC-DC、UPS逆变、开关电源、电机驱动
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供货服务
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国产原厂稳定供货，平替进口型号压缩采购成本
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二极管优势
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快恢复体二极管，减小续流阶段开关损耗
|
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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