KIA6035AP TO-220 MOS 管 350V 11A N 沟道功率场效应管
典型 0.6Ω 导通电阻｜Qg=15nC 低栅荷｜423mJ 单脉冲雪崩能量
KIA6035AP、TO-220 MOS管、350V11A 场效应管、N 沟道功率 MOSFET、KIA MOS管
一、KIA6035AP（TO-220封装）产品基础信息
|
产品型号
|
6035A（TO-220/TO-252两种封装）
|
|
器件类型
|
N沟道MOSFET
|
|
额定规格
|
11A，350V
|
|
品牌
|
KIA SEMICONDUCTORS
|
|
核心工艺
|
高级平面条纹DMOS工艺
|
|
适用场景
|
高效SMPS、半桥架构APFC电路
|
二、KIA6035AP（TO-220封装）产品特性
|
Rds(on)典型0.6Ω@VGS=10V
|
|
低栅极电荷，典型值15nC
|
|
器件鲁棒性强、可靠性高
|
|
开关速度快，适配高频电路
|
|
标注雪崩能量，抗脉冲冲击
|
|
dv/dt耐受能力优化提升
|
三、KIA6035AP（TO-220封装）引脚定义
|
引脚编号
|
引脚功能
|
|
1
|
Gate栅极
|
|
2
|
Drain漏极
|
|
3
|
Source源极
|
|
4
|
Drain漏极（TO-220散热脚）
|
四、KIA6035AP（TO-220封装）绝对最大额定值(Tc=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
TO-220/TO-252额定值
|
单位
|
|
漏源耐压
|
Vdss
|
350
|
V
|
|
栅源耐压
|
Vgss
|
±20
|
V
|
|
连续漏极电流Id
|
Id
|
11（Tc=25℃）
|
A
|
|
6.6（Tc=100℃）
|
A
|
|
脉冲漏极电流
|
IdM
|
36
|
A
|
|
重复雪崩能量
|
EAR
|
9.91
|
mJ
|
|
单脉冲雪崩能量
|
EAS
|
423
|
mJ
|
|
雪崩电流
|
IAR
|
9.0
|
A
|
|
二极管恢复dv/dt上限
|
dv/dt
|
4.5
|
V/ns
|
|
总功耗Pd
|
Pd
|
99（Tc=25℃）
|
W
|
|
0.79（25℃以上降额）
|
W/℃
|
|
工作存储温度
|
TJ、Tstg
|
-55~+150
|
℃
|
|
引脚焊接最高温度
|
TL
|
300（持续5s）
|
℃
|
五、KIA6035AP（TO-220封装）热学参数
|
参数名称
|
符号
|
额定值
|
单位
|
|
结到环境热阻
|
RθJA
|
62.5
|
℃/W
|
|
外壳到散热器热阻典型值
|
RθJS
|
0.5
|
℃/W
|
|
结到外壳热阻
|
RθJC
|
1.26
|
℃/W
|
六、KIA6035AP（TO-220封装）电气特性(Tc=25℃)
1.关态参数
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
BVdss
|
VGS=0V,Id=250μA
|
350
|
-
|
-
|
V
|
|
零栅压漏极电流
|
Idss
|
VDS=350V,VGS=0V
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
|
VDS=280V,Tc=125℃
|
-
|
-
|
10
|
μA
|
|
栅体漏电流
|
Igss
|
VGS=20V,VDS=0V正向
|
-
|
-
|
10
|
μA
|
|
VGS=-20V,VDS=0V反向
|
-
|
-
|
-10
|
μA
|
|
击穿电压温度系数
|
△BVdss/△TJ
|
Id=250μA
|
-
|
0.35
|
-
|
V/℃
|
2.开态参数
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(TH)
|
VDS=VGS,Id=250μA
|
2.0
|
-
|
4.0
|
V
|
|
漏源导通电阻
|
RDS(ON)
|
VGS=10V,Id=4.5A
|
-
|
0.6
|
0.85
|
Ω
|
|
正向跨导
|
gfs
|
VDS=40V,Id=4.5A
|
-
|
7.8
|
-
|
S
|
3.电容参数
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
典型值
|
单位
|
|
输入电容
|
Ciss
|
VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
|
844
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
162
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
4
|
pF
|
4.开关特性
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
典型值
|
单位
|
|
开通延迟时间
|
td(ON)
|
VDD=175V,Id=9.0A,RG=25Ω
|
25
|
ns
|
|
上升时间
|
tr
|
23.5
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(OFF)
|
77
|
ns
|
|
下降时间
|
tf
|
47.5
|
ns
|
|
总栅极电荷
|
QG
|
VDS=280V,Id=9.0A,VGS=10V
|
15
|
nC
|
|
栅源电荷
|
QGS
|
4
|
nC
|
|
栅漏电荷
|
QGD
|
5
|
nC
|
5.体二极管参数
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Max
|
单位
|
|
体二极管正向压降
|
VSD
|
VGS=0V,ISD=11A
|
1.4
|
V
|
|
连续源极电流
|
Is
|
内置体二极管
|
11
|
A
|
|
脉冲源极电流
|
IsM
|
内置体二极管
|
36
|
A
|
|
反向恢复时间
|
trr
|
Is=9.0A,dIs/dt=100A/μs
|
317
|
ns
|
|
反向恢复电荷
|
QRR
|
2.5
|
μC
|
七、KIA6035AP（TO-220封装）平替替代型号清单（窄屏竖排）
|
FQP11N35
|
|
IRF7340
|
|
SPP11N35
|
|
NCE3511
|
|
HY11N35
|
|
AOD3511
|
|
AP11N35
|
八、KIA6035AP（TO-220封装）产品营销推广内容
|
推广维度
|
详情说明
|
|
低损耗优势
|
0.6Ω低导通内阻，降低导通发热损耗
|
|
高频适配
|
仅15nC栅极电荷，适配高频开关电源、APFC
|
|
抗冲击性能
|
423mJ单脉冲雪崩能量，抵御浪涌冲击
|
|
双封装可选
|
TO-220、TO-252适配不同散热布局
|
|
典型应用
|
半桥拓扑电源、有源功率因数校正电路
|
|
供应链优势
|
国产原厂稳定供货，平替进口降低采购成本
|
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
