KIA 原厂 5N50SY DFN5×6 封装高压 MOS 规格书现货可试样
DFN5*6 小体积｜EAS=80mJ 抗浪涌｜Qg 仅 12nC 适配高频开关
KIA5N50SY、DFN5*6 MOS 管、5A500V 贴片场效应管、N 沟道功率 MOSFET、KIA 贴片 MOS
一、KIA5N50SY （DFN5*6封装）产品基础信息
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产品系列
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5N50S N沟道MOSFET
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目标型号
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KIA5N50SY（DFN5*6）；衍生KIA5N50SD（TO-252）
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额定规格
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5A，500V
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品牌
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KIA SEMICONDUCTORS
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适用场景
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桥接电路、开关电源等高压场景
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二、KIA5N50SY （DFN5*6封装）产品特性
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高压耐受结构，耐压可靠性强
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Rds(on)典型1.35Ω@VGS=10V(DFN5*6)
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Rds(on)典型1.38Ω@VGS=10V(TO-252)
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提供额定雪崩能量，抗浪涌冲击
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体二极管恢复性能接近快恢复二极管
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适配桥式电路拓扑使用
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高温下标注漏电流、导通压降参数
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三、KIA5N50SY （DFN5*6封装）引脚定义
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DFN5*6引脚
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TO-252引脚
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引脚功能
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4
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1
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Gate栅极
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5,6,7,8
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2
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Drain漏极
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1,2,3
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3
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Source源极
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四、KIA5N50SY （DFN5*6封装）订购信息
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料号
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封装
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品牌
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KIA5N50SY
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DFN5*6
|
KIA
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KIA5N50SD
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TO-252
|
KIA
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五、KIA5N50SY （DFN5*6封装）绝对最大额定值(Tc=25℃)
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参数名称
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符号
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DFN5*6
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TO-252
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单位
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漏源耐压
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Vdss
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500
|
500
|
V
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栅源耐压
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Vgss
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±30
|
±30
|
V
|
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连续漏极电流
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Id
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5
|
5
|
A
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脉冲漏极电流
|
IdM
|
15
|
15
|
A
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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80
|
80
|
mJ
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功耗
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Pd
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68
|
44.6
|
W
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25℃以上降额系数
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Pd降额
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0.55
|
0.36
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W/℃
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焊接最高温度
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TL
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260
|
260
|
℃
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工作存储温度
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TJ、Tstg
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-55~150
|
℃
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六、KIA5N50SY （DFN5*6封装）电气特性(TJ=25℃)
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参数名称
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符号
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测试条件
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Min
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DFN5*6典型
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TO-252典型
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Max
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单位
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漏源击穿电压
|
BVdss
|
VGS=0V,Id=250μA
|
500
|
-
|
-
|
-
|
V
|
|
漏源漏电流
|
Idss
|
VDS=500V,VGS=0V
|
-
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
|
栅极漏电流
|
Igss
|
VGS=±30V,VDS=0V
|
-
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
漏源导通电阻
|
Rds(on)
|
VGS=10V,Id=2.5A
|
-
|
1.35
|
1.38
|
1.55
|
Ω
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(TH)
|
VDS=VGS,Id=250uA
|
2.5
|
3.5
|
3.5
|
4.5
|
V
|
|
正向跨导
|
gfs
|
VDS=30V,Id=13A
|
-
|
15
|
-
|
-
|
S
|
|
输入电容
|
Ciss
|
VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz
|
-
|
525
|
-
|
-
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
-
|
50
|
-
|
-
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
-
|
4
|
-
|
-
|
pF
|
|
总栅极电荷
|
Qg
|
VDD=400V,Id=5A,VGS=10V
|
-
|
12
|
-
|
-
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
-
|
2
|
-
|
-
|
nC
|
|
栅漏电荷
|
Qgd
|
-
|
6
|
-
|
-
|
nC
|
|
开通延迟
|
td(on)
|
VDD=250V,Id=5A,RG=25Ω
|
-
|
14
|
-
|
-
|
ns
|
|
上升时间
|
tr
|
-
|
14.5
|
-
|
-
|
ns
|
|
关断延迟
|
td(off)
|
-
|
29
|
-
|
-
|
ns
|
|
下降时间
|
tf
|
-
|
12
|
-
|
-
|
ns
|
|
体二极管正向压降
|
VSD
|
Is=2A,VGS=0V
|
-
|
-
|
-
|
1.5
|
V
|
|
反向恢复时间
|
trr
|
dIf/dt=100A/us
|
-
|
213
|
-
|
-
|
ns
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七、KIA5N50SY （DFN5*6封装）平替替代型号清单（窄屏竖排）
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AO5N50
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NCE505DF
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HY5N50DFN
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FQD5N50
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AP5N50DR
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SPD5N50
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IRF5N50S
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八、KIA5N50SY （DFN5*6封装）产品营销推广内容
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推广维度
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详情说明
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紧凑型封装
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DFN5*6贴片，节省PCB布线占用空间
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可靠高压性能
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500V耐压适配中小功率高压电源、桥式电路
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优秀抗浪涌
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80mJ雪崩能量，降低高压尖峰击穿风险
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开关损耗低
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仅12nC栅极电荷，适配高频电源设计
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双封装选型
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DFN5*6、TO-252可直接共用一套参数选型
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供应链优势
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国产原厂供货稳定，平替进口缩减采购周期
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联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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