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KCT017N12N TOLL-8 120V N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

信息来源:本站 日期:2026-07-29 

KCT017N12N TOLL-8 120V N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

低内阻大电流 TOLL8 功率 MOS,解决电源发热损耗难题

KCT017N12N

KCT017N12N、TOLL-8 MOS管、120V N 沟道 MOS 管、KIA 功率 MOS管

KCT017N12N TOLL-8 N沟道MOS管|KIA半导体

KCT017N12N TOLL-8 MOS管 产品营销有点

1、超低导通内阻Rds(on)典型1.4mΩ,大电流工作发热更低,电源整机能效提升;

2、低栅电荷Qg=140.7nC、低Crss=37pF,开关损耗大幅降低,适配高频DC-DC变换;

3、120V耐压,连续395A超大电流,单脉冲雪崩能量1519mJ,工业级高可靠;

4、TOLL-8贴片封装,结壳热阻仅0.26℃/W,PCB高密度布局散热能力强;

5、全流程严苛检测:100%耐压DVDS测试、100%雪崩UIS测试,RoHS无卤合规;

6、宽温工作区间-55℃~150℃,适配储能BMS、伺服电机驱动、大功率电源设备。

KCT017N12N (TOLL-8封装)产品基础参数总览

产品型号 KCT017N12N 封装类型 TOLL-8L
沟道类型 N沟道功率MOSFET 额定Vds耐压 120V
典型Rds(on) 1.4mΩ(Vgs=10V,Id=70A) 连续漏极电流Id 395A(Tc=25℃)
包装规格 卷带2000pcs/盘 环保标准 RoHS、无卤HF

KCT017N12N (TOLL-8封装)绝对最大额定参数

参数名称 符号 参数数值 单位
漏源击穿电压(Vgs=0V) Vds 120 V
连续漏极电流(Tc=25℃) Id 395 A
连续漏极电流(Tc=100℃) Id 277 A
脉冲漏极电流 Id(pulse) 1580 A
栅源电压范围 Vgs ±20 V
单脉冲雪崩能量 Eas 1519 mJ
最大耗散功率 Pd 481 W
体二极管连续正向电流 Is 395 A
体二极管脉冲电流 Is(pulse) 1580 A
结温/存储温度区间 Tj,Tstg -55 ~ +150
结到外壳热阻 RthJC 0.26 ℃/W
结到环境热阻 RthJA 25 ℃/W

KCT017N12N (TOLL-8封装)静态电气特性(Tj=25℃)

参数名称 符号 测试条件 Min Typ Max 单位
漏源击穿电压 V(BR)DSS Vgs=0V,Id=250uA 120 - - V
零栅压漏极电流 Idss Vds=120V,Vgs=0V,Tj=25℃ - - 1 uA
栅源漏电流 Igss Vgs=±20V - - ±100 nA
栅源开启电压 Vgs(th) Vds=Vgs,Id=250uA 2 - 4 V
导通漏源电阻 Rds(on) Vgs=10V,Id=70A - 1.4 1.7
栅极内阻 Rg f=1.0MHz - 1.6 - Ω

KCT017N12N (TOLL-8封装)动态开关电容/电荷特性

参数名称 符号 测试条件 Typ值 单位
输入电容 Ciss Vgs=0V,Vds=60V,f=1MHz 10569 pF
输出电容 Coss 3400 pF
反向传输电容 Crss 37 pF
总栅电荷 Qg Vgs=10V,Vds=60V,Id=70A 140.7 nC
栅源电荷 Qgs 48.2 nC
栅漏电荷 Qgd 30 nC
栅极平台电压 Vplateau Vgs=10V,Vds=60V,Id=70A 5 V

KCT017N12N (TOLL-8封装)开关时间参数

参数名称 符号 测试条件 Typ值 单位
开通延迟时间 td(on) Vgs=10V,Vds=60V,Rg=3Ω,Id=70A 38 ns
开通上升时间 tr 30 ns
关断延迟时间 td(off) 90 ns
关断下降时间 tf 35 ns

KCT017N12N (TOLL-8封装)内置体二极管电气参数

参数名称 符号 测试条件 Min Typ Max 单位
二极管正向压降 Vsd Tj=25℃,Vgs=0V,Is=70A - 0.9 1.4 V
反向恢复时间 trr Is=70A,diF/dt=100A/us - 108 - ns
反向恢复电荷 Qrr Is=70A,diF/dt=100A/us - 300 - nC

KCT017N12N (TOLL-8封装)适配应用场景

1、大功率DC-DC升降压电源变换器
2、工业伺服/大功率直流电机驱动板
3、储能设备BMS电池管理系统
4、大功率车载电源、工业快充充电桩模块

KCT017N12N (TOLL-8封装)平替替代型号清单

KCT017N12N

KCT019N11N KNP45100A KNP43100A KNL7590A IRFP系列TOLL封装120V MOS Infineon TOLL-8 120V低内阻MOS onsemi TOLL大功率N沟道120V功率管

KCT017N12N (TOLL-8封装)尺寸规格(单位:mm)

标识 最小值 标准值 最大值 标识 最小值 标准值 最大值
A 2.200 2.300 2.400 E1 8.000 8.100 8.200
A1 1.700 1.800 1.900 E2 0.500 0.600 0.700
B 0.700 0.800 0.900 e 1.200 BSC
B1 9.700 9.800 9.900 H 11.600 11.700 11.800
B2 1.100 1.200 1.300 H1 6.950 BSC
C 0.400 0.500 0.600 H2 5.900 BSC
D 10.300 10.400 10.500 I 0.050 0.100 0.150
D1 11.000 11.100 11.200 J 0.350 REF
D2 3.200 3.300 3.400 K 3.100 REF
D3 4.470 4.570 4.670 L 1.550 1.650 1.750
E 9.800 9.900 10.000 R 3.000 3.100 3.200

联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

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KCT017N12N

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联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902



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