KPD3606A TO-252 -60V-60A P 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低内阻带雪崩保护 P 沟道 MOS 管 负载开关专用器件
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KPD3606A P沟道MOS管产品参数
KPD3606A（ TO-252封装）基础产品信息
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产品型号
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KPD3606A
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器件类型
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P-CHANNEL MOSFET（P沟道MOS管）
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封装形式
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TO-252
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品牌
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KIA 可易亚半导体
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额定电压
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-60V
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连续漏极电流
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-60A(Tc=25℃)；-35A(Tc=100℃)
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KPD3606A（ TO-252封装）引脚定义
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Pin 1
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Gate（栅极G）
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Pin 2
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Drain（漏极D）
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Pin 3
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Source（源极S）
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关键产品特性 Features
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Rds(on)=11.6mΩ(典型值) @ VGS=-10V
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超低栅极电荷，开关损耗低
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100%雪崩能量EAS保障
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支持环保无铅绿色器件
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优异CdV/dt抑制效果，抗干扰强
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高密度沟槽工艺，性能稳定
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KPD3606A（ TO-252封装）绝对最大额定值（TA=25℃）
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漏源击穿电压 VDSS
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-60V
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栅源电压 VGS
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±20V
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脉冲漏极电流 IDM
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-170A
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单次脉冲雪崩能量 EAS
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330mJ
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雪崩电流 IAS
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-40A
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最大耗散功率 PD(Tc=25℃)
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90W
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结温&存储温度范围
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-55℃ ~ 150℃
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KPD3606A（ TO-252封装）热特性参数
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结到环境热阻 RθJA(Max)
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62 ℃/W
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结到外壳热阻 RθJC(Max)
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1.4 ℃/W
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KPD3606A（ TO-252封装）电气特性（TJ=25℃）
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零栅压漏极电流 IDSS
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≤-1μA（VDS=-48V,VGS=0V）
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栅体漏电流 IGSS
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±100nA Max
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开启阈值 VGS(th)
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-1.0V ~ -2.5V
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Rds(on) @VGS=-10V,ID=-18A
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典型11.6mΩ，最大14mΩ
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Rds(on) @VGS=-4.5V,ID=-12A
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典型14mΩ，最大17mΩ
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总栅电荷 Qg
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86nC
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输入电容 Ciss
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4640pF
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输出电容 Coss
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526pF
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反向传输电容 Crss
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240pF
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开通延时 td(on)
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20ns
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上升时间 tr
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15ns
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关断延时 td(off)
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100ns
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下降时间 tf
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70ns
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KPD3606A（ TO-252封装）平替替代型号清单
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AOD4184
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AOS4184
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IRF4905
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SPP60P06
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STD60P06
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HYG60P06
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AP60P06
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KPD3206A
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KPD3606A（ TO-252封装）产品推广优势
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低导通内阻，导通损耗小，降低整机发热
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栅电荷参数优异，适合高频开关电源方案
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内置雪崩耐受能力，负载冲击环境可靠性强
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TO-252贴片封装，PCB布局简易，散热良好
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稳定批量供货，支持车载、电源、电机驱动应用
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国产替代进口P沟道MOS管，交期稳定，性价比高
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有效抑制CdV/dt，减少电路误触发，系统稳定性更高
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KPD3606A（ TO-252封装）典型应用场景
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负载开关、锂电池保护板、DC-DC电源、电机驱动
电动车控制系统、适配器、便携式电源、逆向防灌电电路
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