KPD6110B （ TO-252封装）基础产品信息
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产品型号
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KPS6110B
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器件类型
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P-CHANNEL MOSFET（P沟道MOS管）
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封装形式
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SOT-89
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品牌
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KIA 可易亚半导体
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额定漏源电压VDS
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-100V
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连续漏极电流ID
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-12A(Tc=25℃)；-8.4A(Tc=100℃)
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KPD6110B （ TO-252封装）引脚定义
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Pin 1
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Gate（栅极G）
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Pin 2
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Drain（漏极D）
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Pin 3
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Source（源极S）
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KPD6110B （ TO-252封装）产品特性 Features
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先进沟槽Trench MOS工艺，性能稳定耐用
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Rds(on)=170mΩ(典型值) @ VGS=-10V
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Rds(on)=190mΩ(典型值) @ VGS=-4.5V
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支持环保无铅绿色器件
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具备雪崩耐受能力，适合感性负载电路
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KPD6110B （ TO-252封装）绝对最大额定值（TC=25℃）
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漏源击穿电压 VDS
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-100V
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栅源电压 VGS
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±20V
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脉冲漏极电流 IDM
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-48A
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单次脉冲雪崩能量 EAS
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49mJ
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雪崩电流 IAS
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-14A
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最大耗散功率 PD
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39W
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结温工作范围 TJ
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-55℃ ~ 150℃
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存储温度范围 TSTG
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-55℃ ~ 150℃
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KPD6110B （ TO-252封装）热特性参数
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结到环境热阻 RθJA(Max)
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55 ℃/W
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结到外壳热阻 RθJC(Max)
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3.2 ℃/W
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KPD6110B （ TO-252封装）电气特性（TJ=25℃）
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零栅压漏极电流 IDSS
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≤1μA（VDS=-80V,VGS=0V,25℃）
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栅体漏电流 IGSS
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±100nA Max
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开启阈值 VGS(th)
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-1.2V ~ -2.5V
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Rds(on) @VGS=-10V,ID=-5A
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典型170mΩ，最大210mΩ
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Rds(on) @VGS=-4.5V,ID=-5A
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典型190mΩ，最大240mΩ
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总栅电荷 Qg
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19nC
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输入电容 Ciss
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1228pF
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输出电容 Coss
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41pF
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反向传输电容 Crss
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29pF
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开通延时 td(on)
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9ns
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上升时间 tr
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6ns
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关断延时 td(off)
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39ns
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下降时间 tf
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33ns
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KPD6110B （ TO-252封装）平替替代型号清单
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SPP12P10
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BSP100
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AO3407
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TSM12P10
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HMPS12P10
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Si2307
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KPS6108B
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KPD6110B （ TO-252封装）产品推广优势
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SOT-89小型贴片封装，节省PCB布局空间
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-100V高压规格，适配宽电压电源管理方案
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开关速度快、栅电荷低，高频电路损耗更低
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内置雪崩防护，感性负载工况不易损坏
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沟槽工艺稳定，高低温环境性能一致性好
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国产替代进口P沟道MOS管，现货充足交期快
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低压驱动兼容，4.5V栅压即可稳定导通
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KPD6110B （ TO-252封装）典型应用场景
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电源管理模块、直流电机驱动、锂电池保护
负载开关、便携式设备、安防电源、逆向防灌电电路
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