KCF9860A TO-220F 600V47A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-08-10
KCF9860A TO-220F 600V47A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
600V 高压耐冲击 TO220F 绝缘 mos 管，低导通损耗适配大功率电源
KCF9860A mos管，KIA mos 管，600V47A N 沟道 mos管
| 产品型号 | KCF9860A |
|---|---|
| 封装规格 | TO-220F |
| 品牌 | KIA SEMICONDUCTORS |
| 基础规格 | 600V 47A N沟道高压mos管 |
| 同系列型号 | KCM9860A（TO-247封装） |
| 采用高端耐压终端工艺，阻断电压更强，长期性能稳定； 可承受雪崩、换相工况高能冲击；内置快恢复体二极管； 适配高压高速开关电源、变换器、PWM电机驱动、桥式电路； 二极管速度与安全工作区冗余充足，抵御电压瞬态冲击。 |
|
| 引脚序号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极 |
| 2 | Drain 漏极 |
| 3 | Source 源极 |
| 参数名称 | 符号 | TO-220F参数 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 连续栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 结温/存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ |
| 连续漏极电流 | ID | 47 | A |
| 脉冲漏极峰值电流 | IDM | 141 | A |
| 单脉冲雪崩能量TJ=25℃ | EAS | 720 | mJ |
| 总耗散功率PD | PD | 50 | W |
| 25℃以上降额系数 | / | 0.4 | W/℃ |
| 引脚最高焊接温度 | TL | 260 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | TO-220F数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 62.5 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 2.5 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,IDS=250μA | 600 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=600V,VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| 正向栅源漏电流 | IGSSF | VGS=20V,VDS=0V | - | - | 100 | nA |
| 反向栅源漏电流 | IGSSR | VGS=-20V,VDS=0V | - | - | -100 | nA |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=15.6A | - | 68 | 81 | mΩ |
| 源极正向导通电压 | VSD | IS=20A | - | - | 1.5 | V |
| 反向恢复时间 | trr | diS/dt=100A/us | - | 450 | - | nS |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz | - | 3100 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 2410 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 61 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=300V,ID=20A,RG=25Ω | - | 46 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 120 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 138 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 118 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=480V,ID=20A,VGS=10V | - | 88 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 22 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 42 | - | nC |
| 开关电源、DC-DC变换器、PWM电机控制器、全桥/半桥逆变电路、 工业高压驱动、快充电源、大功率充电模块、工业变频设备 |
| 卖点标题 | 推广详情 |
|---|---|
| 600V高压耐冲击 | 标准600V耐压，完善雪崩能量参数，工业高压工况稳定可靠 |
| 47A大电流输出 | 连续47A通流，脉冲峰值141A，适配大功率电源设备 |
| 内置快恢复二极管 | 体二极管trr仅450ns，省去外置续流二极管，降低整机成本 |
| TO-220F绝缘封装 | 自带绝缘安装孔，无需绝缘垫片，简化结构、缩减装配工序 |
| 低导通损耗 | 典型Rds(on)68mΩ，高温损耗可控，整机温升更低 |
| 高速开关特性 | 栅电荷参数均衡，开关速度快，高频电源转换效率更高 |
| KIA原厂稳定供货 | 国产半导体原厂，交期稳定，支持批量试样、长期配套 |
| 兼容替代型号 |
|---|
| FQPF47N60C |
| 47N60 TO-220F |
| STW47N60M2 |
| SPP47N60C3 |
| KCM9860A（同芯TO-247大功率版） |
| IPA47N60S5 |
| IRFP47N60 |
| CSD47060 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
申请样品、下载规格书、在线询价
参数、规格书、样品申请
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
