KSZ018N120A TO-247-4 1200V120A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-08-10
KSZ018N120A TO-247-4 1200V120A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
1200V 碳化硅 mos 管低内阻低发热，光伏储能电源专用 KSZ018N120A
KSZ018N120A,KIA MOS管，TO-247-4 mos管，1200V120A N 沟道 mos管
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 料号 | KSZ018N120A |
| 产品全称 | 018N120A SiC N-CHANNEL MOSFET |
| 封装 | TO-247-4 |
| 品牌 | KIA SEMICONDUCTORS |
| 电压规格 | 1200V |
| 电流规格 | 120A |
| 沟道类型 | N沟道碳化硅MOS管 |
| 序号 | 特性说明 |
|---|---|
| 1 | RDS(ON)=18mΩ(典型值)@VGS=18V,TJ=25℃ |
| 2 | 高阻断电压+极低导通电阻 |
| 3 | 支持并联使用，驱动简易 |
| 4 | 高速开关，寄生电容低 |
| 5 | 耐雪崩冲击，可靠性强 |
| 6 | 无卤素，符合RoHS环保标准 |
| 序号 | 适配应用场景 |
|---|---|
| 1 | 光伏并网逆变器 |
| 2 | 开关模式电源SMPS |
| 3 | 高压DC-DC变换器 |
| 4 | 储能电池充电器 |
| 引脚Pin | 引脚功能Function |
|---|---|
| 1 | Drain 漏极 |
| 2 | Source 源极 |
| 3 | KS 感应源极 |
| 4 | Gate 栅极 |
| 料号Part Number | 封装Package | 品牌Brand |
|---|---|---|
| KSZ018N120A | TO-247-4 | KIA |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 1200 | V |
| 栅源工作电压 | Vgss | -5~+20 | V |
| 连续漏极电流25℃ | Id | 120 | A |
| 连续漏极电流100℃ | Id | 80 | A |
| 脉冲漏极电流 | Id pulse | 250 | A |
| 单脉冲雪崩能量L=10mH | Eas | 1558 | mJ |
| 最大耗散功率 | Pd | 430 | W |
| 工作/存储温度区间 | TJ&TSTG | -55~175 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.35 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 35 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,Id=250uA | 1200 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=1200V,Vgs=0V,Tc=25℃ | - | - | 100 | uA |
| 栅源正向漏电流 | Igss | VGS=18V,Vds=0V | - | 10 | 200 | nA |
| 栅源反向漏电流 | Isgs | VGS=-8V,Vds=0V | -200 | -10 | - | nA |
| 导通电阻Rds(on) | Rds(on) | VGS=18V,Id=60A,TJ=25℃ | - | 18 | 25 | mΩ |
| VGS=18V,Id=60A,TJ=150℃ | - | 30 | - | mΩ | ||
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | Vds=VGS,Id=25mA,TJ=25℃ | 2.0 | 2.8 | 4.0 | V |
| Vds=VGS,Id=25mA,TJ=175℃ | 2.0 | - | - | V | ||
| 跨导 | gfs | Vds=20V,Id=60A | - | 50 | - | S |
| 栅极内阻 | Rg | VGS=0V,VAC=25mV,f=1MHz | - | 2.4 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | Vds=1000V,VGS=0V,f=1MHz | - | 6150 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 13 | - | pF | |
| 输出电容 | Coss | - | 235 | - | pF | |
| 总栅电荷Qg | Qg | VDD=800V,Id=60A,VGS=-5~+18V | - | 190 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | Qgs | - | 60 | - | nC | |
| 栅漏电荷Qgd | Qgd | - | 75 | - | nC | |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vds=800V,VGS=-5~18V,Rg=5Ω,Id=50A,L=200uH | - | 25 | - | ns |
| 上升时间tr | tr | - | 16 | - | ns | |
| 关断延迟时间td(off) | td(off) | - | 72 | - | ns | |
| 下降时间tf | tf | - | 45 | - | ns | |
| 开通开关损耗 | Eon | Vds=800V,Id=50A,Rg=5Ω,L=200uH,TJ=25℃ | - | 0.46 | - | mJ |
| 关断开关损耗 | Eoff | - | 1.0 | - | mJ | |
| 体二极管正向电压Vsd | Vsd | Isd=30A,VGS=-5V,TJ=25℃ | - | 3.2 | - | V |
| Isd=30A,VGS=-5V,TJ=175℃ | - | 2.3 | - | V | ||
| 反向恢复时间trr | trr | Isd=50A,VGS=-5~+18V,VR=800V,TJ=25℃ | - | 18.6 | - | ns |
| 反向恢复电荷Qrr | Qrr | - | 130 | - | nC | |
| 峰值反向恢复电流Irr | Irr | - | 10.6 | - | A |
| 推广板块 | 营销文案（单行≤35字） |
|---|---|
| 产品核心卖点 | 1200V120A碳化硅MOS，18mΩ低阻，高速低损耗 |
| 客户痛点解决1 | 传统硅管发热大，SiC低导通损耗，整机温升更低 |
| 客户痛点解决2 | 开关损耗高效率差，超快开关提升电源转换效率 |
| 客户痛点解决3 | 耐雪崩可靠性差，1558mJ雪崩能量适配恶劣工况 |
| 客户痛点解决4 | 并联驱动复杂，本型号并联简易，布线调试省心 |
| 封装优势 | TO-247-4带KS感应引脚，精准电流采样，散热优良 |
| 环保合规 | 无卤素工艺，全系列符合RoHS，出口无资质阻碍 |
| 供货服务 | KIA原厂直供，样品免费申领，批量现货稳定交期 |
| 适配行业红利 | 光伏储能/高压快充刚需碳化硅，降本增效首选器件 |
| KSZ018N120A平替型号（1200V SiC TO-247） |
|---|
|
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