AP35P10D TO-252 -100V 35A P 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
AP35P10D 平替 MOS 管｜低内阻高雪崩，PIN 对 PIN 直接替换
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BMS 保护 mos管，电机驱动 MOS管，低内阻 P 沟道 MOS管
AP35P10D TO-252 P沟道MOS管参数
AP35P10D （ TO-252封装）基础产品信息
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产品型号
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AP35P10D
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器件类型
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-100V P沟道增强型MOSFET
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封装规格
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TO-252-3L（DPAK贴片封装）
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原厂品牌
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APM永源微电子
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料盘包装
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2500PCS/卷盘
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丝印标识
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AP35P10D XXX YYYY
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规格书版本
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REV1.1（2023/11/21，优化Rds(on)）
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标准认证
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RoHS环保合规
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引脚定义
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1-G栅极 | 2-D漏极 | 3-S源极
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标准应用场景
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无刷电机、负载开关、UPS不间断电源、电池保护BMS
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AP35P10D （ TO-252封装）极限额定参数
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参数符号
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参数名称
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额定值
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单位
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VDS
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漏源击穿电压
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-100
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V
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VGS
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栅源电压范围
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±20
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V
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ID(Tc=25℃)
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连续漏极电流25℃
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-35
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A
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ID(Tc=100℃)
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连续漏极电流100℃
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-19
|
A
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IDM
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脉冲峰值漏极电流
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-110
|
A
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EAS
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单脉冲雪崩能量
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360
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mJ
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IAS
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雪崩电流
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-35
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A
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PD
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25℃总耗散功率
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119
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W
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TJ/TSTG
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结温/存储温度区间
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-55 ~ +150
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℃
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RθJC
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结到外壳热阻
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1.35
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℃/W
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RθJA
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结到环境热阻
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62.5
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℃/W
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AP35P10D （ TO-252封装） 标准电气特性
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符号
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参数名称&测试条件
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Min
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Typ
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Max
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V(BR)DSS
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漏源击穿 VGS=0V,ID=-250μA
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-100V
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-
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-
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IGSS
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栅极漏电流 VGS=±20V,VDS=0V
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-
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-
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±100nA
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IDSS(25℃)
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零栅漏电流 VDS=-100V,VGS=0V
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-
|
-
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-1μA
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IDSS(150℃)
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高温零栅漏电流150℃
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-
|
-
|
-100μA
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VGS(th)
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栅阈值 VDS=VGS,ID=-250μA
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-1.2V
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-1.7V
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-2.4V
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RDS(on)10V
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导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A
|
-
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40mΩ
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52mΩ
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RDS(on)4.5V
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低压导通 VGS=-4.5V,ID=-10A
|
-
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43mΩ
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55mΩ
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gfs
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正向跨导 VDS=-10V,ID=-20A
|
-
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44S
|
-
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Ciss
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输入电容 VDS=-50V,f=1MHz
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-
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5870pF
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-
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Coss
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输出电容 VDS=-50V,f=1MHz
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-
|
135pF
|
-
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Crss
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反向传输电容 f=1MHz
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-
|
106pF
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-
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Rg
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栅极内阻 f=1MHz
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-
|
9.5Ω
|
-
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Qg
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总栅电荷 VGS=-10V,VDS=-50V
|
-
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126nC
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-
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Qgs
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栅源电荷 ID=-20A
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-
|
13.9nC
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-
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Qgd
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栅漏电荷 ID=-20A
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-
|
13nC
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-
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td(on)
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开通延迟时间 RG=3Ω,ID=-20A
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-
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15ns
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-
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tr
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上升时间 RG=3Ω,ID=-20A
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-
|
42ns
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-
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td(off)
|
关断延迟时间 RG=3Ω,ID=-20A
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-
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68ns
|
-
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tf
|
下降时间 RG=3Ω,ID=-20A
|
-
|
38ns
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-
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VSD
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体二极管正向压降 IS=-20A
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-
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-1.2V
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-
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IS
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连续源极电流 Tc=25℃
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-
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-30A
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-
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AP35P10D 平替替代型号清单（TO-252 -100V/-35A P沟道MOS管）
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序号
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可直接PIN对PIN平替型号
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型号核心对标说明
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1
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KIA35P10AD
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低内阻32mΩ、雪崩95mJ，发热更低
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AP35P10D 产品介绍
核心优势：
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1.先进沟槽Trench工艺，导通内阻低至40mΩ
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2.支持4.5V低压栅极驱动，适配低电压主控
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3.360mJ超高雪崩耐量，抗浪涌不易烧毁
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4.TO-252贴片封装，散热优良、贴片量产友好
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5.-55~150℃宽温工作，工业设备稳定运行
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6.100%UIS雪崩全检，可靠性远超普通竞品
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7.兼容KIA35P10AD等多款同规格PMOS直接替换
适配方案推荐：
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1.直流无刷电机驱动、电动车控制器上管
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2.48V/24V锂电池BMS保护高侧开关
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3.UPS不间断电源、负压电源负载开关
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4.工业工控板、大功率电源切换开关
采购服务亮点：
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原厂原装AP35P10D现货充足，2500PCS标准卷盘
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免费提供规格书、样品测试、技术参数支持
-
可提供同参数平替料选型对比，降低采购成本
-
全系列MOS管一站式配单，交期稳定无忧
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