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AO35P10 TO-252 -100V P 沟道 MOS管|KIA-MOS管

信息来源:本站 日期:2026-08-11 

AO35P10 TO-252 -100V P 沟道 MOS管|KIA-MOS管

替代 AO35P10 平替 MOS 管,低内阻耐雪崩,快充电源专用

AO35P10

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AO35P10 TO-252 P沟道MOS管产品详情

一、AO35P10  ( TO-252封)产品基础介绍

AO35P10

产品型号 AO35P10(对标AM35P10)
器件类型 100V P沟道MOS管
封装形式 TO-252(4引脚)
原厂参考 AiT AM35P10(参数完全对标)
包装规格 管装2500pcs/Tube;无卤版本DVR
环保等级 全系列符合RoHS绿色器件

二、AO35P10  ( TO-252封)核心电气简参

BVDSS击穿电压 -100V
RDS(ON)@VGS=-10V 最大50mΩ
RDS(ON)@VGS=-4.5V 最大55mΩ
连续漏极电流ID -35A(25℃)

三、AO35P10  ( TO-252封)产品特性 FEATURE

  • 优异dv/dt抗冲击能力
  • 低输入电容,开关损耗小
  • 100%雪崩能量EAS全检保障
  • 支持无卤环保封装版本

四、AO35P10  ( TO-252封)典型应用领域 APPLICATION

  • 网络设备电源开关
  • 负载电源开关模块
  • LED驱动照明电路
  • 快充适配器副边开关

五、AO35P10  ( TO?252封)引脚定义 PIN DESCRIPTION

引脚序号 引脚符号 引脚功能
1 G 栅极 Gate
2 D 漏极 Drain
3 S 源极 Source
4 D 漏极 Drain(散热加强)

六、AO35P10  ( TO-252封)订购型号区分 ORDERING INFO

封装类型 完整料号 包装/备注
TO-252 AM35P10DR 标准管装2500pcs
TO-252 AM35P10DVR 无卤无卤素封装
兼容贴牌 AO35P10 参数与AM35P10完全通用

七、AO35P10  ( TO-252封)绝对最大额定值 TA=25℃

参数名称 符号 额定数值 单位
漏源电压 Voss -100 V
栅源电压 VGSS ±20 V
连续漏极电流25℃ ID -35 A
连续漏极电流100℃ ID -23 A
脉冲漏极电流 IDM -100 A
单脉冲雪崩电流 IAS -28 A
单脉冲雪崩能量 EAS 392 mJ
最大耗散功率 PD 104 W
存储温度范围 TSTG -55~+150
结温工作范围 TJ -55~+150
结到环境热阻 RθJA 62 ℃/W
结到外壳热阻 RθJC 1.2 ℃/W

八、AO35P10  ( TO-252封)电气特性参数 TA=25℃

参数分类 参数名称 符号 测试条件 典型/最大 单位
关断特性 击穿电压 BVOSS VGS=0V,ID=-250μA Min -100 V
漏源漏电流 IDSS VDS=-100V,125℃ Max -1μA μA
栅源漏电流 IGSS VGS=±20V,VDS=0V Max ±100nA nA
导通特性 栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VDS,ID=-250μA -1.2~-2.5 V
导通电阻 RDS(ON) VGS=-10V,IDS=-10A Typ44/Max50
VGS=-4.5V,IDS=-8A Typ48/Max55
动态电容 f=1MHz 输入电容 Ciss VDS=-20V,VGS=0V Typ6500 pF
输出电容 Coss Typ225 pF
反向传输电容 Crss Typ130 pF
开关时序 开通延迟时间 Td(on) VDS=-50V,ID=-14A
Rg=3.3Ω,VGS=-10V
Typ21 ns
上升时间 tr Typ32 ns
关断延迟时间 Td(off) Typ125 ns
下降时间 tf Typ64.2 ns
栅极电荷 总栅电荷 Qg VDS=-80V,ID=-14A
VGS=-10V
Typ90 nC
栅源电荷 Qgs Typ18.2 nC
米勒栅漏电荷 Qgd Typ14.5 nC
体二极管 源漏正向压降 VSD VGS=0A,IS=-1A Typ-1.2 V
连续源极电流 IS VG=VD=0V -35 A
脉冲源极电流 ISM 脉冲工况 -90 A

九、TO-252封装尺寸(单位mm)

尺寸标识 最小值 最大值 尺寸标识 最小值 最大值
A 2.200 2.400 D 6.500 6.700
A1 0.000 0.127 D1 5.100 5.460
b 0.660 0.860 D2 0.486典型值
c 0.460 0.580 E 6.000 6.200
e 2.186 2.386 L 9.800 10.400
L1 2.900典型值 L2 1.400 1.700
L3 1.600典型值 L4 0.600 1.000
Φ安装孔 1.100 1.300 θ引脚角度
h 0.000 0.300 V散热区 5.350典型值

十、KIA35P10AD平替替代   AO35P10  ( TO-252封)

AO35P10

KIA35P10AD

十一、产品营销推广文案

产品优势卖点
  • 100V/-35A大电流P沟道MOS,TO252贴片散热强
  • 低导通电阻44~55mΩ,快充/LED负载损耗更低
  • 低输入电容,开关速度快,适配高频快充电路
  • 100%雪崩能量全检,设备短路抗冲击更稳定
  • 国产替代AO35P10,交期稳定,支持无卤环保料
  • 适配网络电源、LED驱动、大功率快充适配器
选型客户痛点解决
  • 替代进口AO35P10,解决原厂缺货、交期长涨价问题
  • 大电流低内阻,降低设备温升,延长整机寿命
  • EAS雪崩全检,减少批量整机炸管售后故障率
  • TO252封装自带散热焊盘,PCB布线简单散热高效
  • 标准参数对标进口料,可直接pin to pin替换无需改板
采购服务优势
  • 常备现货库存,管装2500pcs标准出货
  • 提供规格书、样品免费申请,技术选型支持
  • 可定制无卤环保版本,满足出口安规认证
  • 批量长期合作价优,替代AO35P10降采购成本

联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

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联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902





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