KLP60R170B TO‑220 600V22A N 沟道 MOS管｜KIA‑MOS管
信息来源：本站 日期：2026-08-24
KLP60R170B TO-220 600V22A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
Super-J 高压 MOS 管，低内阻低 Qg，适配 PFC 开关电源
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KLP60R170B规格书
| KLP60R170B TO-220｜600V 22A N沟道Super-J mos管 | |
|---|---|
| 产品简介 | KIA多外延超结mos管，低栅极电荷，开关速度快，抗雪崩能力强。 |
| 核心卖点 | Rds(on)典型150mΩ；Qg典型30.2nC；100%雪崩测试，dv/dt抗扰优秀。 |
| 典型应用 | 开关电源、适配器、LED驱动、PFC电路、工业电源、逆变器。 |
| 封装 | TO?220；同系列塑封版本KLF60R170B为TO?220F |
| 1.KLP60R170B（TO-220封装）订货信息 Ordering Information | |
|---|---|
| 料号 | 封装 |
| KLP60R170B | TO?220 |
| KLF60R170B | TO?220F |
| 2.KLP60R170B（TO-220封装）引脚定义 Pin configuration | |
|---|---|
| 引脚Pin | 功能Function |
| 1 | Gate 栅极G |
| 2 | Drain 漏极D |
| 3 | Source 源极S |
| 3.KLP60R170B（TO-220封装）最大绝对额定值 Absolute maximum ratings(Tc=25℃) | |||
|---|---|---|---|
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
| 漏源电压 | VDSS | 600 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | V |
| 连续漏极电流(Tc25℃) | ID | 22 | A |
| 连续漏极电流(Tc100℃) | ID | 12 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 57 | A |
| 单脉冲雪崩能量 |
E |
985 | mJ |
| 雪崩电流 | IAR | 4 | A |
| 重复雪崩能量 |
E |
1.62 | mJ |
| 二极管恢复dv/dt | dv/dt | 20 | V/ns |
| MOS管dv/dt | dv/dt | 100 | V/ns |
| 耗散功率 | PD | 36 | W |
| 降额系数>25℃ | PD | 0.29 | W/℃ |
| 引脚焊接最高温度 | TL | 260 | ℃ |
| 工作存储温度 |
T |
-55~150 | ℃ |
| 4.KLP60R170B（TO-220封装）热特性 Thermal characteristics | |||
|---|---|---|---|
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
| 结到壳热阻 |
R |
3.5 | ℃/W |
| 结到环境热阻 |
R |
62.5 | ℃/W |
| 5.KLP60R170B（TO-220封装）电气特性 Electrical characteristics(Tc=25℃) | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | 600V | - | - |
| 漏源击穿@150℃ | BVDSS | 600V | - | - |
| 漏源漏电流Vds=600V | IDSS | - | - | 1uA |
| 漏源漏电流Vds=480V 125℃ | IDSS | - | 2uA | - |
| 栅极漏电流 | IGSS | - | - | ±100uA |
| 导通电阻Vgs=10V Id=10A |
R |
- | 150mΩ | 170mΩ |
| 栅极阈值电压 |
V |
2.5V | - | 4.5V |
| 栅极电阻 f=1MHz |
R |
- | 1.3Ω | - |
| 输入电容 |
C |
- | 1250pF | - |
| 反向转移电容 |
C |
- | 35pF | - |
| 输出电容 |
C |
- | 3.5pF | - |
| 总栅电荷Vds400V Id10A |
Q |
- | 31nC | - |
| 栅源电荷 |
Q |
- | 6nC | - |
| 栅漏密勒电荷 |
Q |
- | 16nC | - |
| 开通延迟时间 |
t |
- | 13nS | - |
| 上升时间 |
t |
- | 9nS | - |
| 关断延迟时间 |
t |
- | 55nS | - |
| 下降时间 |
t |
- | 10nS | - |
| 体二极管连续正向电流 |
I |
- | - | 22A |
| 体二极管脉冲正向电流 |
I |
- | - | 57A |
| 体二极管正向电压Is=10A |
V |
- | - | 1.2V |
| 体二极管反向恢复时间 |
t |
- | 274ns | - |
| 反向恢复电荷 |
Q |
- | 3.33uC | - |
| 6.KLP60R170B（TO-220封装）KLP60R170B（TO-220封装）产品特性 Features | |
|---|---|
| 1 | Rds(on)=150mΩ(典型) @ VGS=10V |
| 2 | 低栅极电荷典型Qg=30.2nC |
| 3 | 高抗冲击鲁棒性High ruggedness |
| 4 | 超高速开关Ultra fast switching |
| 5 | 100%雪崩测试100% avalanche tested |
| 6 | 增强dv/dt耐受能力 |
|
KLP60R170B（TO-220封装）平替替代型号清单
|
|---|
|
SPP24N60C3 ASA60R170E SIHB150N60E-GE3 (选型需复核实际电路裕量) |
| KLP60R170B（TO-220封装）文档版本信息 | |
|---|---|
| 型号 | 60R170B(KLP60R170B TO-220) |
| 版本 | Rev1.0 Apr.2026 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
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QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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